Knotek, Miroslav - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: Knotek, Miroslav

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech Knotek, Miroslav ; Novák, Tomáš (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce) Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu. Úplný záznam
	Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií Knotek, Miroslav ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce) Bakalářská práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN) na křemíkové substráty, které byly strukturovány elektronovou litografií. V práci jsou zkoumány možnosti použití rezistů pro selektivní růst nanostruktur za zvýšených teplot. Úplný záznam
	Selektivní růst GaN nanostruktur na křemíkových substrátech Knotek, Miroslav ; Novák, Tomáš (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce) Tato práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallia na křemíkové substráty pokryté maskami z negativního rezistu HSQ. Rezist byl strukturován elektronovou litografií za účelem vytvoření masek, ve kterých bylo dosaženo selektivního růstu GaN krystalů. Růst vrstev GaN byl prováděn pomocí metody MBE. Byly studovány různé podmínky depozice pro dosažení požadovaného selektivního růstu. Úplný záznam
	Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií Knotek, Miroslav ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce) Bakalářská práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN) na křemíkové substráty, které byly strukturovány elektronovou litografií. V práci jsou zkoumány možnosti použití rezistů pro selektivní růst nanostruktur za zvýšených teplot. Úplný záznam

Viz též: podobná jména autorů
10	Knotek, Martin
4	Knotek, Michal
1	Knotek, Milan

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English