|
| |
|
|
Měření transportních vlastností grafenu
Nečesal, Daniel ; Procházka, Pavel (oponent) ; Kormoš, Lukáš (vedoucí práce)
Pro použití grafenu v elektronice je nutné vytvořit velké plochy grafenu vysoké kva- lity, k čemuž se využívá chemická depozice z plynné fáze (CVD). Kvalitu grafenové folie určuje pohyblivost nosičů náboje, protože je nepřímo úměrná počtu defektů grafenu, čehož bylo využito v této bakalářské práci. Byly vyrobeny vzorky s CVD grafenem pro měření transportních vlastností metodami van der Pauw a Hall bar. Grafen byl na vzorky přenesen dvěma metodami, pomocí roztoku dusičnanu železitého nebo pomocí elektrolytické delaminace. Bylo zjištěno vysoké p-dotování měřeného grafenu. U vzorku s přeneseným grafenem pomocí elektrolytické delaminace byla pozorována vysoká mo- bilita nosičů náboje a Diracův bod byl nalezen díky sníženému p-dotování.
|
|
|
Měření transportních vlastností grafenu
Nečesal, Daniel ; Procházka, Pavel (oponent) ; Kormoš, Lukáš (vedoucí práce)
Pro použití grafenu v elektronice je nutné vytvořit velké plochy grafenu vysoké kva- lity, k čemuž se využívá chemická depozice z plynné fáze (CVD). Kvalitu grafenové folie určuje pohyblivost nosičů náboje, protože je nepřímo úměrná počtu defektů grafenu, čehož bylo využito v této bakalářské práci. Byly vyrobeny vzorky s CVD grafenem pro měření transportních vlastností metodami van der Pauw a Hall bar. Grafen byl na vzorky přenesen dvěma metodami, pomocí roztoku dusičnanu železitého nebo pomocí elektrolytické delaminace. Bylo zjištěno vysoké p-dotování měřeného grafenu. U vzorku s přeneseným grafenem pomocí elektrolytické delaminace byla pozorována vysoká mo- bilita nosičů náboje a Diracův bod byl nalezen díky sníženému p-dotování.
|
|
| |
|
|
Characterization of the Nanostructured Nickel Oxide Layers Prepared by Ion Beam Sputtering
Horák, Pavel ; Bejšovec, Václav ; Lavrentiev, Vasyl ; Khun, J. ; Vrňata, M.
Nanostructured nickel oxide layers (thickness cca 100 nm) were prepared by bombardment of nickel foil with ion beam created from a mixture of argon and oxygen. Different volume ratios of argon:oxygen mixture were used, ranging from 4:1 to 1:3. Composition of the resulting layers was analyzed by RBS, morphology by AFM and main crystal orientation of the sample by XRD. The electrophysical properties (resistivity, concentration of charge carriers) were measured by four point Van der Pauw technique and Hall measurement respectively. Prepared samples were characterized in as-deposited state and after annealing with varying temperature of treatment. Chemical composition (i.e. stoichiometry) of the as-deposited samples with different argon: oxygen ratio was related to their electrophysical parameters. Hall measurements are showing majority charge carriers to be electrons - surface concentration (0.5 - 2.3) x 10(21) m(-2) - suggesting prevailing metallic conductivity. Resistivity of the sample is increasing with higher amount of oxygen in gas mixture. The as-deposited layer is almost amorphous with no visible grains on AFM.
|
host ::
RSS.