|
|
Perovskitové materiály
Gavranović, Stevan ; Zmeškal, Oldřich (oponent) ; Pospíšil, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na studium elektrických vlastností perovskitových monokrystalů připravených metodou inverzní teplotní krystalizace (ITC). Měření byla provedena na organicko-anorganickém monokrystalu MAPbBr3 a na kompletně anorganickém monokrystalu CsPbBr3. Metodou rentgenové práškové analýzy (XRD) byla potvrzena krystalická struktura a chemické složení připravených monokrystalů. Pomocí slunečního simulátoru byly naměřeny stejnosměrné voltampérové charakteristiky, ze kterých metodou POPN byly stanoveny děrové pohyblivosti jednotlivých krystalů. Dále byly měřeny závislosti dielektrické permitivity na frekvenci při střídavém proudu. Monokrystal MAPbBr3 vykazoval lepší elektrické vlastnosti, tedy vyšší děrové pohyblivosti, než monokrystal CsPbBr3.
|
|
|
Perovskitové materiály
Gavranović, Stevan ; Zmeškal, Oldřich (oponent) ; Pospíšil, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na studium elektrických vlastností perovskitových monokrystalů připravených metodou inverzní teplotní krystalizace (ITC). Měření byla provedena na organicko-anorganickém monokrystalu MAPbBr3 a na kompletně anorganickém monokrystalu CsPbBr3. Metodou rentgenové práškové analýzy (XRD) byla potvrzena krystalická struktura a chemické složení připravených monokrystalů. Pomocí slunečního simulátoru byly naměřeny stejnosměrné voltampérové charakteristiky, ze kterých metodou POPN byly stanoveny děrové pohyblivosti jednotlivých krystalů. Dále byly měřeny závislosti dielektrické permitivity na frekvenci při střídavém proudu. Monokrystal MAPbBr3 vykazoval lepší elektrické vlastnosti, tedy vyšší děrové pohyblivosti, než monokrystal CsPbBr3.
|
|
|
Characterization of rainbowlike hanze on (111) Si wafers
Seďa, Bohuslav ; Englišová, V.
Silicon single crystals used in microelectronic industry are mostly grownin crystalline orientations (111) or (100). These crystals are processed to polished wafers by several technological steps. The first one is their cutting. The crystals in crystalline orientation (111) are usually cut with off-orientation up to 4 degrees of (111) crystalline plane. Only wafers for some special applications are cut with zero off-orientation. A specialoptical feature of polished surface of (111) silicon wafers cut with zerooff-orientation is presentsed in this paper.
|
|
|
Propustnost podél hranic zrn v dobře definovaných polykrystalických vrstvách silikalitu-1 a v samostatných krystalech
Brabec, Libor ; Zikánová, Arlette ; Kočiřík, Milan
Samonosné vrstvy silikalitu-1 byly pěstovány na povrchu rtuti z jemně koloidních roztoků při teplotách 140-180 oC, a to pomocí templátu TPABr. Podobně byly syntetizovány i velké krystaly. Morfologie vrstev a jejich tloušťka byly zjišťovány elektronovým mikroskopem. Krystalinita a orientace krystalů byla určována rentgenovou difrakcí. Vrstvy o tloušťce nad 40 mikronů byly shledány vysoce kompaktními. Leptání polykrystalických vrstev pomocí HF vedlo k vytvoření ostrých štěrbin mezi krystaly. U kalcinovaných vrstev zůstaly během leptání zachovány krystalové slupky, a to z příčiny jejich impregnace uhlíkatými zbytky. Výsledky leptání svědčí o amorfní fázi mezi sousedícími krystaly. Leptací obrazce jsou jiné u velkých krystalů. Do surových krystalů proniká HF podél hranic pyramidálních domén. Kalcinované krystaly se rozpouštějí jednotně po celém povrchu. Malé kalcinované krystaly jsou naopak vysoce odolné.
|
host ::
RSS.