Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"power BJT"
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 1 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Estimating The Power Bjt Excess Charge Recombination Time Constant
 Mikláš, Ján
The paper demonstrates an experimental way of estimating the excess minority carriers charge stored within the the power bipolar transistor in the saturation mode, i.e. with both junctions forward-biased, as a reference to future IGBT switching action analysis. The method is based on analyzing the transient turn-off base current waveforms at different conditions right before this event. The base current is known to supply the minority carriers within the device. Estimating the recombination time constant serves as a basal precondition for further identification of the excess charge storage depending on various operating conditions and retrospectively an accurate identification of power BJT and IGBT various partial stage of switching action.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English