|
|
Měření náhradního obvodu piezoelektrického rezonátoru
Vomočil, Vojtěch ; Frk, Martin (oponent) ; Kazelle, Jiří (vedoucí práce)
Diplomová práce pojednává o obecném přehledu teorie piezoelektřiny zaměřeném jak na matematický popis, tak na popis vlastností piezoelektrických látek. Dále se zaměřuje na popis piezoelektrických rezonátorů s podrobnějším vysvětlením jejich náhradního schématu a metod měření jeho jednotlivých prvků. Praktická část práce spočívá v návrhu měřícího zařízení, které bude sloužit k měření prvků náhradního obvodu piezoelektrických rezonátorů. Popsána je realizace zařízení a odzkoušení jeho funkce. V experimentální části práce jsou zpracovány naměřené hodnoty a stanoveny hodnoty prvků elektrického náhradního obvodu použitého piezoelektrického rezonátoru pro základní a následující dva nejbližší vyšší rezonanční kmitočty. Naměřené výsledky jsou zpracovány formou standardního protokolu o měření. Práce by měla položit základy ke vznikajícímu laboratornímu pracovišti, jemuž by měla být zdrojem nezbytných teoretických i praktických informací.
|
|
|
CMOS compatible piezoelectric resonator with FET structure for graphene monolayer properties modulation
Gablech, Imrich ; Frank,, Otakar (oponent) ; Husák,, Miroslav (oponent) ; Pekárek, Jan (vedoucí práce)
This work proposes a new structure allowing characterization of graphene monolayer properties under precisely specified conditions. It combines MEMS piezoelectric resonator with Hall Bar/FET structure. This approach allows changing graphene properties separately or together via two methods. The mechanical way is based on induced strain from the resonator which is graphene monolayer situated on. It brings the opportunity to measure graphene properties induced by the changes of mechanical strain and frequency of forced vibrations without the influence from external electric field. The second way uses FET structure to influence graphene monolayer using an electric field from bottom gate. There is no limit to measure concentration in units of ppb in terms of structure design. This approach of fabrication CMOS-compatible and biocompatible tunable frequency-modulated piezoelectric MEMS resonators with graphene monolayer can be very useful in many fields for molecule level detection.
|
|
|
CMOS compatible piezoelectric resonator with FET structure for graphene monolayer properties modulation
Gablech, Imrich ; Frank,, Otakar (oponent) ; Husák,, Miroslav (oponent) ; Pekárek, Jan (vedoucí práce)
This work proposes a new structure allowing characterization of graphene monolayer properties under precisely specified conditions. It combines MEMS piezoelectric resonator with Hall Bar/FET structure. This approach allows changing graphene properties separately or together via two methods. The mechanical way is based on induced strain from the resonator which is graphene monolayer situated on. It brings the opportunity to measure graphene properties induced by the changes of mechanical strain and frequency of forced vibrations without the influence from external electric field. The second way uses FET structure to influence graphene monolayer using an electric field from bottom gate. There is no limit to measure concentration in units of ppb in terms of structure design. This approach of fabrication CMOS-compatible and biocompatible tunable frequency-modulated piezoelectric MEMS resonators with graphene monolayer can be very useful in many fields for molecule level detection.
|
|
|
Měření náhradního obvodu piezoelektrického rezonátoru
Vomočil, Vojtěch ; Frk, Martin (oponent) ; Kazelle, Jiří (vedoucí práce)
Diplomová práce pojednává o obecném přehledu teorie piezoelektřiny zaměřeném jak na matematický popis, tak na popis vlastností piezoelektrických látek. Dále se zaměřuje na popis piezoelektrických rezonátorů s podrobnějším vysvětlením jejich náhradního schématu a metod měření jeho jednotlivých prvků. Praktická část práce spočívá v návrhu měřícího zařízení, které bude sloužit k měření prvků náhradního obvodu piezoelektrických rezonátorů. Popsána je realizace zařízení a odzkoušení jeho funkce. V experimentální části práce jsou zpracovány naměřené hodnoty a stanoveny hodnoty prvků elektrického náhradního obvodu použitého piezoelektrického rezonátoru pro základní a následující dva nejbližší vyšší rezonanční kmitočty. Naměřené výsledky jsou zpracovány formou standardního protokolu o měření. Práce by měla položit základy ke vznikajícímu laboratornímu pracovišti, jemuž by měla být zdrojem nezbytných teoretických i praktických informací.
|
host ::
RSS.