|
|
Theoretical insights into encapsulated noble metals
Hou, Dianwei ; Heard, Christopher James (vedoucí práce) ; Logsdail, Andrew (oponent) ; Rubeš, Miroslav (oponent)
Vzácné kovy se často využívají průmyslově, zejména kvůli svým mimořádným katalytickým a optickým vlastnostem. Vzhledem k jejich nízkému výskytu a s tím související vysoké ceně, je třeba maximalizovat využití každého jednotlivého atomu vzácného kovu. V poslední době se podařilo připravit subnanometrové klastry nebo dokonce izolované atomy, a to navzdory veliké tendenci těchto kovů aglomerovat do větších celků. Rovněž bylo ukázáno, že rezistence vůči aglomeraci je posílena jsou-li kovovéatomy nebo klastry zachyceny v oxidickématrici, například ve vrstevnatých dvourozměrných materiálech nebo v kanálech zeolitů. Detailní pochopení mechanismu záchytu a stabilizace kovů a kovových klastrů není znám a není tedy ani jasné, jakým způsobem je možné optimalizovat vlastnosti těchto materiálů. Stejně tak vztah mezi elektronovou strukturou kovů/kovových klastrů zachycených v matrici a jejich katalytickými vlastnostmi je znám pouze částečně. V této práci jsme použili širokou škálu teoretických metod od globální optimalizace až po kinetickéMonte Carlo abychom identifikovali vliv velikosti kovového klastru, jeho náboje a typu adsorbentu na stabilitu, katalytickévlastnosti a optickévlastnosti kovových nanočástic. Práce je rozdělena do tří sekcí: (1) Struktura, stabilita a migrace platinových a zlatých klastrů...
|
|
|
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
Rozbořil, Filip ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) je studován pomocí STM za pokojové teploty, kdy je pozorována monomodální škálovaná ostrůvková distribuční funkce. Je popsán model Kinetic Monte Carlo simulace, který je následně použit pro fitování vazebných energií a difúzních bariér pro systém Al/Si(100). Nejlepší shoda s experimentem je zjištěna pro anizotropní difúzi s bariérou 0,60 eV ve směru kolmém na Si dimerové řádky a 0,80 eV ve směru rovnoběžném. Jsou popsány úpravy chladicího systému potřebného pro přímé pozorování difúze kovů na Si(100) pomocí STM a je proveden první nízkoteplotní experiment.
|
|
|
Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111)
Sikora, Adam ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Název práce: Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111) Autor: Adam Sikora Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí bakalářské práce: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. Abstrakt: V případě desorpce některých kovů (Pb, In, Ga) z povrchů Si(111) a Ga(111) byl pomocí integrálních technik překvapivě pozorován nultý řád desorp- ce. Teoretické vysvětlení nultého řádu zde dosud chybí, neboť se zdá, že podmínky obvykle vedoucí k desorpci nultého řádu - vysoká difuzivita, existence 2D plynné fáze atd. - zde nemohou být splněny. Cílem práce bude vyvinutí kinetického Mon- te Carlo počítačového kódu pro simulaci atomárních procesů na povrchu Si(111). Vyvinutý kód bude následně použitý k zkoumání desorpčních spekter za různých podmínek a taky k nalezení parametrů, které dovolují právě desorpci nultého řádu. Klíčová slova: kinetické Monte Carlo, tepelně programovaná desorpce, desorpce nultého řádu, Si(111) 1
|
|
|
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
Rozbořil, Filip ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) je studován pomocí STM za pokojové teploty, kdy je pozorována monomodální škálovaná ostrůvková distribuční funkce. Je popsán model Kinetic Monte Carlo simulace, který je následně použit pro fitování vazebných energií a difúzních bariér pro systém Al/Si(100). Nejlepší shoda s experimentem je zjištěna pro anizotropní difúzi s bariérou 0,60 eV ve směru kolmém na Si dimerové řádky a 0,80 eV ve směru rovnoběžném. Jsou popsány úpravy chladicího systému potřebného pro přímé pozorování difúze kovů na Si(100) pomocí STM a je proveden první nízkoteplotní experiment.
|
host ::
RSS.