|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
|
|
Snižující DC/DC měniče s vysokou účinností
Chudý, Andrej ; Cipín, Radoslav (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá návrhom a realizáciou viacerých verzií znižujúceho DC/DC meniča. Teoretická časť bakalárskej práce je venovaná všeobecnému rozboru DC/DC meničov s podrobným zameraním na znižujúci menič. Ďalšia časť sa špecializuje na analýzu súčasného stavu v tejto oblasti, kde sú popísané základné rozdiely medzi synchrónnym a diódovým usmerňovačom, elektromagnetické rušenie a GaN tranzistory. Pokračovaním je návrh a dopočítanie potrebných parametrov meniča, ktoré sú overené simuláciou a následným zhotovením prvého prototypu. Na zrealizovanej vzorke sú vykonané základné merania. Zistené nedostatky prototypu sú odstránené vo verzií 1.0. S cieľom dosiahnuť vyššiu účinnosť je vyrobená inovovaná verzia 2.0 a verzia s GaN tranzistormi. Práca je zakončená porovnaním zhotovených znižujúcich meničov.
|
|
|
Snižující DC/DC měniče s vysokou účinností
Chudý, Andrej ; Cipín, Radoslav (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá návrhom a realizáciou viacerých verzií znižujúceho DC/DC meniča. Teoretická časť bakalárskej práce je venovaná všeobecnému rozboru DC/DC meničov s podrobným zameraním na znižujúci menič. Ďalšia časť sa špecializuje na analýzu súčasného stavu v tejto oblasti, kde sú popísané základné rozdiely medzi synchrónnym a diódovým usmerňovačom, elektromagnetické rušenie a GaN tranzistory. Pokračovaním je návrh a dopočítanie potrebných parametrov meniča, ktoré sú overené simuláciou a následným zhotovením prvého prototypu. Na zrealizovanej vzorke sú vykonané základné merania. Zistené nedostatky prototypu sú odstránené vo verzií 1.0. S cieľom dosiahnuť vyššiu účinnosť je vyrobená inovovaná verzia 2.0 a verzia s GaN tranzistormi. Práca je zakončená porovnaním zhotovených znižujúcich meničov.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
host ::
RSS.