|
Měření doby života nosičů proudu ve strukturách křemíkových solárních článků
Macháček, Martin ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá problematikou měření doby života ve strukturách křemíkových solárních článků. V první kapitole je popsáno několik modelů rekombinačních dějů, které mají nejpodstatnější vliv na efektivní dobu života nosičů náboje. Na základě znalosti rekombinačních modelů můžeme děje v polovodičových strukturách simulovat a získat tak orientační chování jednotlivých parametrů struktury solárního článku. V této práci jsou simulace prováděny pomocí programu PC1D. Pro samotné měření doby života na skutečných vzorcích byly použity dvě metody: QSSPC (měření za kvazi-ustáleného stavu) a MW-PCD (transientní měření s detekcí mikrovlnami). Ve čtvrté kapitole je uveden detailní popis těchto metod, přístrojů a rozdíly mezi oběma způsoby měření. Hlavním cílem diplomové práce se zabývá poslední kapitola, která je věnována hlavně problému odstranění zbytků po chemické pasivaci z křemíkového substrátu. Jsou zde zmíněny tři druhy chemické pasivace: roztok jodu v etanolu, roztok polymeru a jodu v etanolu a roztok chinhydronu v metanolu. U dvou ze tří pasivačních roztoků bylo dosaženo výsledků, které jsou dostatečné pro návrat křemíkového substrátu po pasivaci zpět do výrobního procesu.
|
|
Chemical passivation of surface for silicon solar cells
Solčanský, Marek ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
This master´s thesis deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.
|
|
Chemical passivation of surface for silicon solar cells
Solčanský, Marek ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
This master´s thesis deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.
|
|
Měření doby života nosičů proudu ve strukturách křemíkových solárních článků
Macháček, Martin ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá problematikou měření doby života ve strukturách křemíkových solárních článků. V první kapitole je popsáno několik modelů rekombinačních dějů, které mají nejpodstatnější vliv na efektivní dobu života nosičů náboje. Na základě znalosti rekombinačních modelů můžeme děje v polovodičových strukturách simulovat a získat tak orientační chování jednotlivých parametrů struktury solárního článku. V této práci jsou simulace prováděny pomocí programu PC1D. Pro samotné měření doby života na skutečných vzorcích byly použity dvě metody: QSSPC (měření za kvazi-ustáleného stavu) a MW-PCD (transientní měření s detekcí mikrovlnami). Ve čtvrté kapitole je uveden detailní popis těchto metod, přístrojů a rozdíly mezi oběma způsoby měření. Hlavním cílem diplomové práce se zabývá poslední kapitola, která je věnována hlavně problému odstranění zbytků po chemické pasivaci z křemíkového substrátu. Jsou zde zmíněny tři druhy chemické pasivace: roztok jodu v etanolu, roztok polymeru a jodu v etanolu a roztok chinhydronu v metanolu. U dvou ze tří pasivačních roztoků bylo dosaženo výsledků, které jsou dostatečné pro návrat křemíkového substrátu po pasivaci zpět do výrobního procesu.
|