|
|
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
|
|
|
Počítačové modelování polovodičových diod
Pacholík, Vladimír ; Wilfert, Otakar (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá nejdůležitějšími jevy, které nastávají v polovodiči, popř. na polovodičovém přechodu. Obsahuje rovnice a vztahy, které jsou nezbytné pro modelování jednoduché polovodičové PN diody, Gunnovy diody a Schottkyho diody. Dále také obsahuje stručný postup toho, jak tyto vztahy prakticky použít a ve spolupráci s programy COMSOL Multiphysics a TiberCAD diody nasimulovat. Výsledkem modelování jsou pak data ve formě grafů, které poskytují základní představu o nosičích náboje v polovodiči, elektrickém potenciálu a voltampérové charakteristice.
|
|
|
Planární přenosové vedení na polovodičovém substrátu
Chára, Pavel ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejich vlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedení v programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá část práce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrický substrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabývá ověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
|
|
|
Počítačové modelování polovodičových diod
Pacholík, Vladimír ; Wilfert, Otakar (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá nejdůležitějšími jevy, které nastávají v polovodiči, popř. na polovodičovém přechodu. Obsahuje rovnice a vztahy, které jsou nezbytné pro modelování jednoduché polovodičové PN diody, Gunnovy diody a Schottkyho diody. Dále také obsahuje stručný postup toho, jak tyto vztahy prakticky použít a ve spolupráci s programy COMSOL Multiphysics a TiberCAD diody nasimulovat. Výsledkem modelování jsou pak data ve formě grafů, které poskytují základní představu o nosičích náboje v polovodiči, elektrickém potenciálu a voltampérové charakteristice.
|
|
|
Planární přenosové vedení na polovodičovém substrátu
Chára, Pavel ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Cílem této práce bylo seznámit se s typy planárních vedení a diskutovat jejich vlastnosti. Následně pak vytvoření reálných modelů vybraných typů vedení v programu COMSOL Multiphysics a simulací ověřit jejich vlastnosti. Druhá část práce se zabývá modelováním polovodičového substrátu, který nahrazuje dielektrický substrát použitý u vedení v první části práce. Závěrečná část práce se zabývá ověřením dosažených výsledků výpočtem ve specializovaném programu TiberCAD.
|
|
|
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
|
host ::
RSS.