|
|
Tvorba nanostruktur využitím mikroskopu AFM
Doupal, Antonín ; Škoda, David (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o tvorbě nanostruktur využitím mikroskopie atomárních sil. Teoretická část poskytuje stručný úvod do mikroskopie atomárních sil a lokální anodické oxidace a je založena na literární rešerši. Experimentální část je zaměřena na vyšetřování závislosti operačních parametrů (napětí mezi hrotem a vzorkem, rychlost hrotu) na rozměrech LAO nanostruktur na Si (111). Dále je na těchto oxidových nanostrukturách pozorován a analyzován selektivní růst kobaltu a galia .
|
|
|
Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Švec, Martin (oponent)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Interaction of metal atoms with metastable reconstructions of the Si(111) surface studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Ošťádal, Ivan (oponent)
Metódou STM je skúmaný proces rekonštrukcie povrchu Si(111) po naparení tália a jeho následnej desorbcii. Je nameraná závislosť pokrytia povrchu táliom na teplote a z určenej závislosti sú vyvodené vhodné podmienky pre tvorbu povrchu s čo najvyšším zastúpením metastabilných rekonštrukcií (hlavne (5x5) a (9x9)). Na takto vytvorený povrch sú následne naparené rôzne množstvá Al a je pozorovaná možnosť vzniku magických klastrov a iných zaujímavých štruktúr. Sú navrhnuté možné štruktúrne modely pre magické klastre na rekonštrukcii (5x5). V rámci práce je popísaná aparatúra použitá pri meraniach, sú popísané jednotlivé meracie postupy a fyzikálne princípy spojené s prevádzkou STM.
|
|
|
Interaction of adsorbates with passivated Si surfaces studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Interaction of organic molecules with metal passivated semiconductor surfaces studied via STM
Zimmermann, Petr ; Sobotík, Pavel (vedoucí práce) ; Plšek, Jan (oponent) ; Šikola, Tomáš (oponent)
Název Studium interakce organických molekul na kovem pasivovaných površích křemíku pomocí STM Autor Petr Zimmermann Katedra / Ústav Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce Doc. RNDr. Pavel Sobotík, CSc. Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt Organické molekuly vykazují celou řadu optických, elektronických či chemických vlastností. Vhodnou integrací s křemíkem by tak mohly umožnit vznik zcela nových druhů zařízení. Řízená funkcionalizace křemíku organickými molekulami je však pro- blematická kvůli přítomnosti vysoce reaktivních vazeb na jeho površích. V této práci zkoumáme možnosti snížení reaktivity křemíkových povrchů pomocí ultratenkých vrs- tev kovových adsorbátů a s využitím řádkovací tunelové mikroskopie studujeme, jak s nimi interagují organické molekuly. V první části zkoumáme interakci ethylenu, malé nenasycené molekuly, s cínovými a indiovými 1D řetízky na Si(001) - 2 × 1. Tyto řetízky jsou tvořeny dimery, jež mají strukturu analogickou s křemíkovými dimery tvo- řící Si(001) - 2 × 1. Ukázalo se, že cínové řetízky jsou méně reaktivní než samotný Si(001) povrch a dále že absence π vazby v indiovém dimeru způsobuje, že indiové řetízky jsou pro etylen inertní. V druhé části pak zkoumáme interakci fthalocyaninu mědnatého (CuPc), malé makrocyklické heteroaromatické sloučeniny, na...
|
|
|
Modification of silicon surfaces for selective adsorption
Doležal, Jiří ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Práce se zabývá adsorpcí ftalocyaninů na cínem a indiem pasivovaných površích křemíku Si(111) s rekonstrukcí √3 × √3 při pokojové teplotě. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie byly získány atomárně rozlišené obrázky povrchu. Molekuly na těchto površích adsorbují zejména na křemíkových substitučních defektech. Lokální hustota stavů (LDOS) silně adsorbovaných molekul byla změřena skenovací tunelovou spektroskopií. Zkoumán byl původ rozmazaného ("fuzzy") zobrazování ftalocyaninových molekul sedících na křemíkovém substitučním dvojdefektu. Byla změřena napěťová závislost doby života dvou pozorovaných stavů, mezi kterými se přepíná "fuzzy" molekula pomocí analýzy fluktuací tunelového proudu. Diskutovali jsme, jakým způsobem ovlivňují přepínání vnější parametry měření. Přisuzujeme "fuzzy" chování molekuly adsorbované na dvojdefektu a změřené fluktuace tunelového proudu nad molekulou pohybu molekuly v potenciálové dvojjámě. Navrhli jsem dvě možnosti pohybu v dvojjámě, které nejvíce odpovídají naměřeným informacím o molekule, a jeví se nám proto jako nejpravděpodobnější.
|
|
|
Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111)
Sikora, Adam ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Mysliveček, Josef (oponent)
Název práce: Počítačové simulace charakteristik desorpce kovů z povrchu Si(111) Autor: Adam Sikora Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí bakalářské práce: RNDr. Pavel Kocán, Ph.D. Abstrakt: V případě desorpce některých kovů (Pb, In, Ga) z povrchů Si(111) a Ga(111) byl pomocí integrálních technik překvapivě pozorován nultý řád desorp- ce. Teoretické vysvětlení nultého řádu zde dosud chybí, neboť se zdá, že podmínky obvykle vedoucí k desorpci nultého řádu - vysoká difuzivita, existence 2D plynné fáze atd. - zde nemohou být splněny. Cílem práce bude vyvinutí kinetického Mon- te Carlo počítačového kódu pro simulaci atomárních procesů na povrchu Si(111). Vyvinutý kód bude následně použitý k zkoumání desorpčních spekter za různých podmínek a taky k nalezení parametrů, které dovolují právě desorpci nultého řádu. Klíčová slova: kinetické Monte Carlo, tepelně programovaná desorpce, desorpce nultého řádu, Si(111) 1
|
|
|
Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Švec, Martin (oponent)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
host ::
RSS.