Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"InP"
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 3 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Terahertzová vodivost nositelů náboje v polovodičích
 Hendrych, Erik ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Nádvorník, Lukáš (oponent)
V této práci zkoumáme spektra vodivosti vzorků slabě dotovaného galium arsenidu v terahertzové oblasti v závislosti na teplotě. Jedná se o křemíkem dotovaný Galium arsenid typu N a zinkem dotovaný galium arsenid typu P. Teplotní závislost v terahert- zové oblasti pro tyto materiály nebyla dosud v literatuře popsána. Pozorujeme maxima vodivosti, která odpovídají energiím příměsových hladin v zakázeném pásu. Ke zpraco- vání dat využíváme Drude-Lorentzův model. Dosáhli jsme dobrého fitu naměřených dat. Koncentrace nositelů při pokojové teplotě odpovídá nominální hodnotě. Relaxační čas a vysokofrekvenční permitivita odpovídají tabelovaným hodnotám. Frekvence oscilátoru pro N typ přibližně odpovídá energii příměsové hladiny. Pro P typ je tato hodnota mimo měřený rozsah a vidíme pouze stoupání k tomuto maximu. 1
Úplný záznam
Growth of InP crystals for radiation detectors and other application
 Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman
Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method. Various dopants were added to the melt to obtain single crystals suitable for radiation detectors and other application. The intentionally doped of InP crystals were characterized by measurements of resistivity and Hall coefficient. Prototype detectors were prepared and evaluated by spectral detection of alpha particles and x-rays.
Úplný záznam
GROWTH OF InP CRYSTALS WITH RARE-EARTH ELEMENTS
 Yatskiv, Roman ; Grym, Jan ; Žďánský, Karel ; Pekárek, Ladislav ; Zavadil, Jiří
We report on the influence of rare earth (RE) elements (Pr, Er, and Dy) addition during vertical Bridgman low pressure synthesis on the properties of InP crystals. The temperature dependent Hall measurement and low temperature photoluminescence (PL) spectroscopy were employed to study the changes in electrical and optical properties of the crystals. The observed changes are attributed to the gettering effect of REs caused by the high affinity of REs towards shallow impurities in InP.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English