keywords:"III-V semiconductors" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"III-V semiconductors"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	LPE Growth of III-V Semiconductors from rare-earth Treated Melts Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel We focus on the characterization of InP and InGaAsP layers prepared by liquid phase epitaxy with rare-earth admixtures. We applied photoluminescence spectroscopy (PL), capacitance-voltage measurements, and secondary ion mass spectroscopy in order to explain: (i) the gettering effect and conductivity crossover of InP layers for Pr treated samples, (ii) narrowing of the PL and elecroluminescent spectra of the active InGaAsP region of a double-heterostructure LED. Úplný záznam
	Detektory rtg a částicového záření na bázi indium fosfidu Pekárek, Ladislav ; Žďánský, Karel Monokrystaly indium fosfidu byly připravovány růstem podle metody Czochralského. Do taveniny byly přidávány různé dopanty tak, aby se získaly semiizolační krystaly vhodné pro detekční účely. Byly připraveny prototypy detektorů a vyhodnoceny spektrální detekcí alfa částic a rtg paprsků. Úplný záznam
	Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel Je známo, že přidáním prvků vzácných zemin do růstové taveniny lze získat LPE vrstvy sloučenin AIIIBV vysoké čistoty. Každý z těchto prvků však vykazuje jedinečné chování. Nízké přídavky Tb, Dy, Tm a Pr vedou ke getraci mělkých donorů a růstu čistých vrstev vodivosti typu n. Při překročení určité koncentrace dochází ke změně vodivostního typu. Přídavek Tm na InP:Fe substrátech má za následek konverzi epitaxní vrstvy do semiizolačního stavu kvůli difuzi Fe zprostředkované vzácnou zeminou. Úplný záznam
	Asymetrie krystalografických pórů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Jarchovský, Zdeněk V příspěvku je dokumentována naprostá neekvivalence rovin (011) z hlediska vytváření porů v InP a některých dalších sloučeninách A.sup.3./sup. B.sup.5./sup. . V rovině (01-1) existují tři druhy krystalograficky orientovaných porů s různou orientací. V rovině kolmé, (011) existují pouze trojúhelnikové průsečíky porů s touto rovinou. Tepelným zpracováním InP destiček jsou pory konvertovány do sférických dutin, jejichž laterálním zárustem se daří snižovat hustotu defektů prorůstajících z podložky. Úplný záznam
	Physical properties of InP epitaxial layers prepared with dysprosium admixture Grym, Jan ; Procházková, Olga Physical properties of commonly prepared InP layers grown by LPE technique and those grown from Dy treated melt are compared. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a significant dependence on the presence of Dy and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Dy the reversal of electrical conductivity occurs. Úplný záznam
	Influence of rare-earth elements on InP-based semiconductor structures for radiation detectors Grym, Jan ; Procházková, Olga Preparation and characterization of InP epitaxial layers with Tb admixture in the growth melt is reported. Structural, electrical and optical properties of InP layers exhibit a signaficant dependence on the presence of Tb and its concentration in the melt. When increasing the concentration of Tb in the growth melt the reversal of electrical conductivity occurs. Úplný záznam
	Characterisation of InP layers prepared by the LPE method with Pr and Nd addition in the growth melt Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel High purity InP epitaxial layers were grown by LPE from the melt conataining, besides essential components, also rare-earth elements admixture. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. The behaviour and the impact of Pr and Nd were compared. The concentration of shallow impurities was reduced by up to three orders of magnitude. PL spectra were markedly narrowed and fine spectral features were resolved. Úplný záznam
	O možnosti současného měření složení a tloušťky tenkých polovodičových vrstev Ga.sub.x./sub.In.sub.1-x./sub.As.sub.y./sub.P.sub.1-y./sub. na podložce InP Starý, V. ; Olšovec, P. ; Jurek, Karel ; Peřina, Vratislav ; Kohout, Jindřich Úplný záznam
	Technologie přípravy superluminiscenční diody pro pásmo 1,3 ćm. (Preparation of 1,3ćm superluminescent diode) Novotný, Jan Úplný záznam
	Novel growth methods of optoelectronic crystals Venkrbec, J. J. ; Kousal, J. ; Štětina, J. ; Fiksa, J. ; Papež, J. ; Rosická, Vlasta ; Knobloch, V. ; Leitner, J. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English