|
|
Vytváření nanostruktur na površích pevných látek hybridními metodami
Rudolfová, Zdena ; Mikulík, Petr (oponent) ; Horová, Ivana (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem vlastností GaAs povrchu a metodikou nanášení kovových (převážně zlatých) nanočástic na GaAs substrát. GaAs má složitou strukturu povrchových oxidů, které jsou při kontaktu s různými chemickými látkami (ať už kyselými nebo zása- ditými) velmi reaktivní a mění tak povrchové vlastnosti GaAs. Proto je studium těchto vlastností klíčové pro pochopení reaktivity GaAs povrchu na koloidní roztok kovových nanočástic, ze kterého se tyto nanočástice na povrch nanáší. Jsou diskutovány možnosti leptání a pasivace GaAs povrchu za účelem zajištění stability povrchu při nanášení ko- loidních nanočástic. Dále byl zkoumán vliv adhezních polymerů nanesených na povrch GaAs na množství nanočástic přichycených na povrch po ponoření substrátu do koloid- ního roztoku. Pro objektivní zhodnocení homogenity rozmístění nanočástic na povrchu byla vytvořena metoda pracující na principu Voroného mozaiky. Díky této metodě lze ob- jektivně srovnávat adhezi nanočástic na různě modifikované povrchy. Dále lze analyzovat anizotropie nanočástic na povrchu, tedy, zda je homogenita ve všech směrech stejná, či zda je pozorovatelná určitá směrovost. Dalším zaměřením této práce je analyzovat možnosti, jak zlaté koloidní nanočástice nanést na GaAs výběrově, tedy pouze na předem určená místa. Tato místa byla určena pomocí expozice svazkem nabitých částic.
|
|
|
Terahertzová vodivost nositelů náboje v polovodičích
Hendrych, Erik ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Nádvorník, Lukáš (oponent)
V této práci zkoumáme spektra vodivosti vzorků slabě dotovaného galium arsenidu v terahertzové oblasti v závislosti na teplotě. Jedná se o křemíkem dotovaný Galium arsenid typu N a zinkem dotovaný galium arsenid typu P. Teplotní závislost v terahert- zové oblasti pro tyto materiály nebyla dosud v literatuře popsána. Pozorujeme maxima vodivosti, která odpovídají energiím příměsových hladin v zakázeném pásu. Ke zpraco- vání dat využíváme Drude-Lorentzův model. Dosáhli jsme dobrého fitu naměřených dat. Koncentrace nositelů při pokojové teplotě odpovídá nominální hodnotě. Relaxační čas a vysokofrekvenční permitivita odpovídají tabelovaným hodnotám. Frekvence oscilátoru pro N typ přibližně odpovídá energii příměsové hladiny. Pro P typ je tato hodnota mimo měřený rozsah a vidíme pouze stoupání k tomuto maximu. 1
|
|
|
Structural Analysis Of Gaas-Based Pv Cells After Ionizing Irradiation
Papež, Nikola
Morphology and structural analysis of photovoltaic cells based on GaAs before and after high dose gamma radiation of 500 kGy was investigated. Cobalt-60 emitter was used as the synthetic radioactive isotope. This radioactive form of cobalt is commonly used for space instruments and devices testing. Atomic force microscopy (AFM) was used to study the morphology and roughness differences. Cross-sectional investigation using transmission detector to thin layers observing was performed. Also, with use of sputtering system of Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) a detailed molecular and elemental information about the surface top layers was showed. Another molecular and structural changes in the top layers using two optical methods of Raman spectroscopy and spectrophotometry were also identified.
|
|
|
Právní aspekty cloud computingu: GaaS (gaming as a service) jako nová forma cloudové služby
Janda, Petr ; Holcová, Irena (vedoucí práce) ; Žikovská, Petra (oponent)
Cloud gaming či GaaS je rychle se rozvíjející služba s vysokým ekonomickým potenciálem. Tato práce na současný trend reaguje a zabývá se poskytováním videohry v cloudovém prostředí tzv. jako služby. Cílem práce bylo v kontextu českého autorského práva teoreticky popsat vzájemné vztahy při poskytování videohry přes cloud a přiblížit praktické implikace, které to obnáší, zejména v kontrastu s cloudovou službou SaaS. V První části práce je čtenář seznámen se základními právními aspekty videoher. Důraz je zde kladen na popis videohry jakožto komplexního autorského díla, které je obvykle složené z počítačového programu a dalších prvků. Uvažována je i klasifikace videoher z hlediska autorského práva. Je upozorněno na nejistoty v právní ochraně audiovizuálních součástí videohry. Na základě právní analýzy je popsáno, že neexistuje uspokojivá klasifikace videohry v českém autorském zákoně. V závěru části autor navrhuje, jak videohru legislativně upravit. Předmětem druhé části práce je přiblížení technologie cloud gamingu. Tato část je koncipovaná tak, aby i nepoučený čtenář mohl tématu porozumět. Představeny jsou proto nejprve základní typy cloudové technologie. Poté je popsána již samotná technologie cloudového hraní videoher, včetně jejích technických a obchodních modelů, se kterými je možné se v dnešní...
|
|
|
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Pipek, Jindřich ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace proudových závislostí pro detektor s mělkou elektronovou pastí jsou diskutovány. Monte Carlo simulace proudových závislostí je navržena a aplikována na experimentální proudové závislosti změřené pomocí laserem indukované metody tranzientních proudů pro získání transportních parametrů náboje v detektoru jako je profil elektrického pole, driftová pohyblivost a další parametry. Detektory vyrobené z vysoko odporových GaAs a CdZnTe monokrystalů jsou testovány pomocí elektrických, spektroskopických a optických charakterizačních metod.
|
|
|
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Pipek, Jindřich ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace proudových závislostí pro detektor s mělkou elektronovou pastí jsou diskutovány. Monte Carlo simulace proudových závislostí je navržena a aplikována na experimentální proudové závislosti změřené pomocí laserem indukované metody tranzientních proudů pro získání transportních parametrů náboje v detektoru jako je profil elektrického pole, driftová pohyblivost a další parametry. Detektory vyrobené z vysoko odporových GaAs a CdZnTe monokrystalů jsou testovány pomocí elektrických, spektroskopických a optických charakterizačních metod.
|
|
|
Characteristics Of Gallium Arsenide Solar Cellsat High Temperature
Papež, Nikola
This article reviews a work on processing of gallium arsenide (GaAs) solar cells. The performance of the cells before and after 300 _x000E_C thermal processing was correlated with topography identified by optical camera, atomic force microscope (AFM) and scanning electron microscope (SEM). Experiment indicates insignificant changes in topography of GaAs solar cells, but electrical characteristics show an excellent resistance of the samples to processing temperature.
|
|
|
Morphological Structure Of Solar Cells Based On
Silicon And Gallium Arsenide After Ion Etching
Papež, Nikola
Study deals with the investigation of the surface after ion etching on two types of solar cells – based on widely available polycrystalline silicon and on durable gallium arsenide for use in more demanding environments. Solar cell morphology was compared using an electron microscope together with an Energy Dispersive X-ray detector to show distribution ratios of elements. Atomic force microscopy was used to accurately describe the heights and roughness structure. Raman spectroscopy to study of vibrational properties and the stress investigations.
|
|
|
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Pipek, Jindřich ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hazdra, Pavel (oponent)
Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace proudových závislostí pro detektor s mělkou elektronovou pastí jsou diskutovány. Monte Carlo simulace proudových závislostí je navržena a aplikována na experimentální proudové závislosti změřené pomocí laserem indukované metody tranzientních proudů pro získání transportních parametrů náboje v detektoru jako je profil elektrického pole, driftová pohyblivost a další parametry. Detektory vyrobené z vysoko odporových GaAs a CdZnTe monokrystalů jsou testovány pomocí elektrických, spektroskopických a optických charakterizačních metod.
|
|
|
Vytváření nanostruktur na površích pevných látek hybridními metodami
Rudolfová, Zdena ; Mikulík, Petr (oponent) ; Horová, Ivana (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem vlastností GaAs povrchu a metodikou nanášení kovových (převážně zlatých) nanočástic na GaAs substrát. GaAs má složitou strukturu povrchových oxidů, které jsou při kontaktu s různými chemickými látkami (ať už kyselými nebo zása- ditými) velmi reaktivní a mění tak povrchové vlastnosti GaAs. Proto je studium těchto vlastností klíčové pro pochopení reaktivity GaAs povrchu na koloidní roztok kovových nanočástic, ze kterého se tyto nanočástice na povrch nanáší. Jsou diskutovány možnosti leptání a pasivace GaAs povrchu za účelem zajištění stability povrchu při nanášení ko- loidních nanočástic. Dále byl zkoumán vliv adhezních polymerů nanesených na povrch GaAs na množství nanočástic přichycených na povrch po ponoření substrátu do koloid- ního roztoku. Pro objektivní zhodnocení homogenity rozmístění nanočástic na povrchu byla vytvořena metoda pracující na principu Voroného mozaiky. Díky této metodě lze ob- jektivně srovnávat adhezi nanočástic na různě modifikované povrchy. Dále lze analyzovat anizotropie nanočástic na povrchu, tedy, zda je homogenita ve všech směrech stejná, či zda je pozorovatelná určitá směrovost. Dalším zaměřením této práce je analyzovat možnosti, jak zlaté koloidní nanočástice nanést na GaAs výběrově, tedy pouze na předem určená místa. Tato místa byla určena pomocí expozice svazkem nabitých částic.
|
host ::
RSS.