|
|
Měření transportních vlastností grafenu
Nečesal, Daniel ; Procházka, Pavel (oponent) ; Kormoš, Lukáš (vedoucí práce)
Pro použití grafenu v elektronice je nutné vytvořit velké plochy grafenu vysoké kva- lity, k čemuž se využívá chemická depozice z plynné fáze (CVD). Kvalitu grafenové folie určuje pohyblivost nosičů náboje, protože je nepřímo úměrná počtu defektů grafenu, čehož bylo využito v této bakalářské práci. Byly vyrobeny vzorky s CVD grafenem pro měření transportních vlastností metodami van der Pauw a Hall bar. Grafen byl na vzorky přenesen dvěma metodami, pomocí roztoku dusičnanu železitého nebo pomocí elektrolytické delaminace. Bylo zjištěno vysoké p-dotování měřeného grafenu. U vzorku s přeneseným grafenem pomocí elektrolytické delaminace byla pozorována vysoká mo- bilita nosičů náboje a Diracův bod byl nalezen díky sníženému p-dotování.
|
|
|
Vliv elektronového svazku na grafenové polem řízené tranzistory
Mareček, David ; Čech,, Vladimír (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje elektrické vodivosti grafenu, přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru a jeho ozařování elektronovým svazkem. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na křemíkový substrát s vrstvou SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru pro použití v UHV podmínkách. Dále popisuje skenování elektronového svazku přes vyrobený tranzistor a tvorbu proudových map tranzistoru. V poslední části se věnuje vlivu elektronového svazku na transportní vlastnosti grafenové vrstvy a dotování grafenové vrstvy, indukované elektronovým svazkem.
|
|
|
Příprava grafenových vzorků pro experimenty v UHV podmínkách
Mareček, David ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o elektrické vodivosti grafenu a přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru s velkou vzdáleností elektrod. Kapitola se věnuje návrhu držáku vzorku a přivedením kontaktů v UHV podmínkách. Poslední část popisuje naměření závislosti vodivosti grafenové vrstvy na hradlovém napětí se zřetelem na polohu Diracova bodu při úpravě vzorku v UHV podmínkách.
|
host ::
RSS.