|
|
Studium mikrodefektů v Czochralskiho křemíku
Španělová, Klára ; Cába, Vladislav (oponent) ; Másilko, Jiří (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá studiem mikrodefektů v Czochralskiho křemíku ve spolupráci s firmou onsemi Rožnov pod Radhoštěm. Hlavním cílem je nalezení poznatků o mikrodefektech v Czochralskiho křemíku a jejich vlivu na vlastnosti polovodičových součástek. Experimentální část pojednává o charakterizaci mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku dopovaných B, P a Sb a pěstovaných ve společnosti onsemi. Konkrétně je provedeno měření radiálního měrného odporu pomocí čtyřbodové sondy s následným přepočtem na koncentraci dopantu (dle normy ASTM F 723-99). Je provedeno vyhodnocení radiální a axiální distribuce mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku pomocí precipitačního testu a OISF testu. V rámci studia mikrodefektů byla také detekována poloha vakantní-intersticiálního rozhraní.
|
|
|
Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku
Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.
|
|
|
Studium mikrodefektů v Czochralskiho křemíku
Španělová, Klára ; Cába, Vladislav (oponent) ; Másilko, Jiří (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá studiem mikrodefektů v Czochralskiho křemíku ve spolupráci s firmou onsemi Rožnov pod Radhoštěm. Hlavním cílem je nalezení poznatků o mikrodefektech v Czochralskiho křemíku a jejich vlivu na vlastnosti polovodičových součástek. Experimentální část pojednává o charakterizaci mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku dopovaných B, P a Sb a pěstovaných ve společnosti onsemi. Konkrétně je provedeno měření radiálního měrného odporu pomocí čtyřbodové sondy s následným přepočtem na koncentraci dopantu (dle normy ASTM F 723-99). Je provedeno vyhodnocení radiální a axiální distribuce mikrodefektů v ingotech Czochralskiho křemíku pomocí precipitačního testu a OISF testu. V rámci studia mikrodefektů byla také detekována poloha vakantní-intersticiálního rozhraní.
|
|
|
Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku
Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.
|
host ::
RSS.