|
|
Aplikace CFA
Mikláš, Jan ; Havlíček, Tomáš (oponent) ; Stehlík, Jiří (vedoucí práce)
Cílem práce je provést podrobný rozbor vlastností operačního zesilovače s proudovou zpětnou vazbou (CFA – Current Feedback Amplifier) a realizovat vhodnou aplikaci pro demonstraci jeho kladů oproti klasickému operačnímu zesilovači s napěťovou zpětnou vazbou. Realizujte zapojení na tištěném spoji a proměřte.
|
|
| |
|
|
Výkonové spínací tranzistory
Mikláš, Ján ; Procházka, Petr (oponent) ; Patočka, Miroslav (vedoucí práce)
V práci sú popísané predpoklady meraní spínacích strát, ktoré boli vykonané v rámci práce a je navrhnutý napäťový medziobvod a budič výkonových tranzistorov. Nasleduje odvodenie funkcie aproximujúcej priebeh vodivosti gCE = iCuCE, ukážky simulácie spínacích dejov pomocou tejto vodivosti a pojednanie o zmeraných priebehoch.
|
|
|
Polovodičový Teslův transformátor
Pařenica, Jakub ; Mikláš, Ján (oponent) ; Martiš, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zaměřuje na teoretický popis fungování Teslova transformátoru, na jeho návrh včetně elektroniky a na jeho následnou stavbu. Je popsána základní teorie k náhradnímu schématu transformátoru. Je obecně popsán Teslův transformátor, dále jsou popsány způsoby buzení primární strany transformátoru, vznik výboje, skin efekt a význam rezonance. Dále je v práci popsaná konstrukce držáku primární cívky, sekundární cívky. Práce obsahuje obrazec silové desky z programu Eagle, a vše je doplněno fotkami. V práci je popsán postup při oživení a popsány všechny průběhy, které byly měřeny před a po zapojením sekundární cívky.
|
|
| |
|
|
Stavba v krajině - Winery
Mikláš, Jan ; Vojtová, Lea (oponent) ; Urbášková, Hana (vedoucí práce)
Diplomová práce se zabývá optimálním návrhem řešení viničního hospodářství ve vinařské oblasti Strachotín. Cílem je využití přírodního potenciálu CHKO Pálava a vodního díla Nové Mlýny s podporou rozvoje agroturistiky v oblasti. Teoretická část diplomové práce zahrnuje rozbory, průzkumy a vývoj oblasti, problematiku výroby a zpracování vinné révy. Praktická část obsahuje soubor problematických výkresů, použité technologie a materiály pro zabezpečení správného plnění funkce stavby.
|
|
|
2D Physical Modelling of Semiconductor Equations for Verification of 1D Lumped-Charge Model of Bipolar Power Devices
Mikláš, Jan ; Procházka, Petr
The paper demonstrates a finite-element method(FEM) simulation model of semiconductor devices operation.Classical semiconductor equations employing drift, diffusionand generation-recombination transport of charge carriers areestablished and variational forms for FEM assembly are derivedin detail, including a basic voltage and current boundary conditions.Mathematically, a system of mutually coupled nonlinearequations need to be solved, which requires extensive use ofnonlinear iteration solver. The derived model was coded inPython by strict use of open source tools, mainly grouped aroundFEniCSx project. Graphic output figures and characteristics forbasic semiconductor structures are presented to demonstrate thefunctionality of model.An ultimate goal of presented effort is derivation and verificationof simplified semi-analytical model of Insulated-gate bipolartransistor (IGBT), including precise transient behavior.This kind of model should be calibrated by use ofmeasurement-obtained data, so the qualitative behavior of devicephysics at reasonable computational cost is of primary interestof presented FEM model as opposed to commercial devicedevelopment tools aiming at precise quantitative outputs; whichneed to be experimentally calibrated even so.As an additional step to simplified one-dimensional modelusability verification, results of unusual way of experimentalestimation of minority-carrier excess charge within power bipolartransistor collector and base during on-state is presented andcompared to simulation result.
|
|
|
A Simple Calorimetric Measurement of SiC MOSFET Switching Loss and Comparison with Electric Measurement
Mikláš, Jan ; Procházka, Petr
This paper proposes a simple and accessible method for dynamic calorimetric measurement of ultra-fast power semiconductor devices switching loss. It utilizes a temperature rise monitoring of a copper cube thermally coupled with a semiconductor chip. No special chambers or heat exchangers are used and no additional wiring compared to standard electric pulsed test. This provides an opportunity to perform a direct comparison with traditional electric power loss measurement, including all of the parasitic influences and further investigation of power loss with intentionally varying of particular elements impact, which absent in available literature. The paper establishes the test method and setup as well as a basic comparison of calorimetric and electric measurement.
|
|
|
Polovodičový Teslův transformátor
Pařenica, Jakub ; Mikláš, Ján (oponent) ; Martiš, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zaměřuje na teoretický popis fungování Teslova transformátoru, na jeho návrh včetně elektroniky a na jeho následnou stavbu. Je popsána základní teorie k náhradnímu schématu transformátoru. Je obecně popsán Teslův transformátor, dále jsou popsány způsoby buzení primární strany transformátoru, vznik výboje, skin efekt a význam rezonance. Dále je v práci popsaná konstrukce držáku primární cívky, sekundární cívky. Práce obsahuje obrazec silové desky z programu Eagle, a vše je doplněno fotkami. V práci je popsán postup při oživení a popsány všechny průběhy, které byly měřeny před a po zapojením sekundární cívky.
|
|
| |
host ::
RSS.