| |
|
Deformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation.
Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Frolov, Oleksandr ; Štraus, Jaroslav ; Chalupský, Jaromír ; Choukourov, A.
Flatness of the mask is one of key features influencing the quality of image. Among factors that can affect mask flatness belongs inhomogeneous illumination. This does not apply to lithography, but to experiments that use only discrete parts of mask e.g. for nanostructuring or other type of material research. It is shown that even single EUV laser shot (laser wavelength ~46.9 nm, pulse duration ~1.5 ns, focused pulse energy ~20 .mu.J, peak fluency 48 J/cm2) not only deforms the mask, but also changes mask-substrate distance. In our case two kinds of grids (one circular with rectangular windows 7.5x7.5 μm and bars 5 micro m (period 12.5x12.5 micro m), other rectangular with rectangular windows 3.2x1.2 μm and bars 0.8 micro m (period 4x2 micro m)) were attached to PMMA substrate and exposed to one or five superimposed focused laser shots. The mask (grid) deformation was inferred from the changes of diffraction pattern engraved into PMMA.
|
|
Reflectivity of a mirror in XUV spectral region (46.9 nm).
Schmidt, Jiří ; Koláček, Karel ; Štraus, Jaroslav ; Frolov, Oleksandr ; Prukner, Václav ; Melich, Radek ; Psota, Pavel ; Sobota, Jaroslav ; Fořt, Tomáš
A focusing mirror as an optical element is used in our applications that require light collection (e.g. for laser ablation studies). A knowledge of the mirror reflectivity is important for determination of focused laser pulse energy, or for determination of local fluencies near the laser focus. The reflectivity of our spherical focusing mirror with(/without) multi-layer coating was measured. Reflection coefficients of this mirror in a long period of time are also reported. Further, the incidence-angle dependence of the XUV reflectivity of flat mirrors is presented as well.
|
| |
|
Exploze drátku ve vodě
Prukner, Václav ; Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Frolov, Oleksandr ; Štraus, Jaroslav
Příspěvek přináší první experimentální výsledky, kterých bylo získáno pomocí nově sestrojeného experimentálního zařízení, jež bylo konstruhováno jako zdroj měkkého koherentního roentgenového záření s vlnovou délkou 14 nm. Záření bude generováno explozí drátku v tekutině, kde kapalina může stabilizovat plazma, podobně jako stěna kapiláry stabilizuje Z-pinč. První část příspěvku popisuje konstrukci zařízení, druhá část pak přináší experimentální výsledky.
|
|
Čtyř-segmentová vakuová XUV fotodioda
Schmidt, Jiří ; Koláček, Karel ; Frolov, Oleksandr ; Prukner, Václav ; Štraus, Jaroslav
Dioda měkkého rtg. záření/XUV je mocný diagnostický nástroj pro nastavování, mimo jiné v experimentech s kapilárním výbojem, které generují směrové záření v měkké rtg. oblasti. V naších experimentálních zařízeních (CAPEX a CAPEX-U) jsme obvykle používali PIN diodu nebo vakuovou fotodiodu (jedno-segmentovou). Tyto diagnostiky jsou ne zcela vhodné, hlavně z důvodu mnoha výstřelů (více než 50), které jsou nezbytné k nalezení optické osy. Během posledního roku jsme navrhli a vyrobili 4-segmentovou diodu pracující v měkké rtg. oblasti se zlatou fotokatodou, která detekuje měkké rtg. záření emitované v axiálním směru. Tento nový diagnostický nástroj je schopen lokalizovat osu laseru v měkké rtg. oblasti během několika málo výstřelů (méně než 10). Popis a experimentální měřeni 4-segmentové XUV vakuové diody je předmětem tohoto článku.
|
|
Využití modelových spekter ke stanovení vhodných parametrů kapilárního výboje pro zesílenou emisi Balmerova alfa – přechodu H–like N (13,4 nm)
Štraus, Jaroslav ; Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Frolov, Oleksandr ; Prukner, Václav
Naše zařízení s kapilárním výbojem CAPEX-U, jak i mnoho dalších impulsních zařízení, potřebují velice precizní spouštěni vysokonapěťových spínačů. Laserem spínané jiskřiště nabízí mnoho výhod oproti elektrický spínanému pokud jde o reprodukovatelnost, spolehlivost, vhodnost pro multikanálový provoz a elektrickou izolovanost od hlavního vysokonapěťového pulzu. Tady představujeme výsledky současné iniciace čtyřkanálového vysokonapěťového jiskřiště pomocí Nd:YAG laseru (λ=1064 nm). Jiskřiště bylo natlakovano SF6 a N2 a udrželo napětí kolem 500 kV na vzdáleností 13 mm. Elektrické parametry jiskřiště byly získané z porovnáni výsledků experimentu a simulace.
|
| |
|
Multikanálové laserem spínané jiskřiště
Frolov, Oleksandr ; Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Štraus, Jaroslav ; Prukner, Václav
Naše zařízení s kapilárním výbojem CAPEX-U, jak i mnoho dalších impulsních zařízení, potřebují velice precizní spouštěni vysokonapěťových spínačů. Laserem spínané jiskřiště nabízí mnoho výhod oproti elektricky spínanému pokud jde o reprodukovatelnost, spolehlivost, vhodnost pro multikanálový provoz a elektrickou izolovanost od hlavního vysokonapěťového pulzu. Tady představujeme výsledky současné iniciace čtyřkanálového vysokonapěťového jiskřiště pomocí Nd:YAG laseru (λ=1064 nm). Jiskřiště bylo natlakováno SF6 a N2 a udrželo napětí kolem 500 kV na vzdálenosti 13 mm. Elektrické parametry jiskřiště byly získané z porovnáni výsledků experimentu a simulace.
|
| |