Hlavní stránka > Výsledky hledání: 999C1a:GA102/99/0341
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Characterisation of InP layers prepared by the LPE method with Pr and Nd addition in the growth melt
 Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
High purity InP epitaxial layers were grown by LPE from the melt conataining, besides essential components, also rare-earth elements admixture. The layers were examined by SEM, low temperature PL spectroscopy, C-V measurements and temperature dependent Hall effect. The behaviour and the impact of Pr and Nd were compared. The concentration of shallow impurities was reduced by up to three orders of magnitude. PL spectra were markedly narrowed and fine spectral features were resolved.
Úplný záznam
Investigation of X- and y-ray detectors based on GaAs and InP with electrodes grown by MOCVD
 Dubecký, F. ; Darmo, J. ; Zat'ko, B. ; Krempaský, M. ; Hasenöhrl, S. ; Procházková, Olga ; Bešše, I. ; Sekáčková, M. ; Boháček, Pavel ; Pelfer, P.G. ; Nečas, V.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English