|
|
Vliv podleptání plazmonických antén na jejich optickou odezvu
Novák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
V této práci je sledována závislost optické odezvy na podleptání plazmonických antén. Když na optické antény dopadá světlo s rezonanční vlnovou délkou, tak v okolí antény dojde k zesílení elektromagnetického pole. Rezonanční vlnová délka je závislá na délce antény a efektivním indexu lomu, jenž je dán vlastnostmi v okolí antény. Podleptáváním antény se zmenší styčná plocha se substrátem (dielektrikem) a změní se efektivní index lomu a tím i optická odezva antény.
|
|
|
Elektrochemické leptání křemíku
Vrzal, Pavel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Elektrochemické leptání nachází uplatnění při modifikaci polovodičových materiálů. Pomocí této metody lze připravit širokou škálu struktur, které lze využít v biotechnologiích, nanotechnologiích nebo elektronice. Mezi tyto struktury patří porézní křemík. Úkolem bakalářské práce byla příprava porézního křemíku pomocí elektrochemického leptání a studium jeho vlastností. Nejdříve byla provedena obecná studie, ve které byla věnována pozornost vlastnostem porézního Si a možnostem jeho výroby. Experimentální část se zabývá návrhem leptací cely pro elektrochemické leptání a přípravou porézního křemíku chemickou a elektrochemickou metodou. Vytvořené struktury byly následně analyzovány pomocí rastrovací elektronové mikroskopie. Pozornost byla také zaměřena na fotoluminiscenční vlastnosti porézního křemíku.
|
|
|
Elektrochemické leptání křemíku
Vrzal, Pavel ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Elektrochemické leptání nachází uplatnění při modifikaci polovodičových materiálů. Pomocí této metody lze připravit širokou škálu struktur, které lze využít v biotechnologiích, nanotechnologiích nebo elektronice. Mezi tyto struktury patří porézní křemík. Úkolem bakalářské práce byla příprava porézního křemíku pomocí elektrochemického leptání a studium jeho vlastností. Nejdříve byla provedena obecná studie, ve které byla věnována pozornost vlastnostem porézního Si a možnostem jeho výroby. Experimentální část se zabývá návrhem leptací cely pro elektrochemické leptání a přípravou porézního křemíku chemickou a elektrochemickou metodou. Vytvořené struktury byly následně analyzovány pomocí rastrovací elektronové mikroskopie. Pozornost byla také zaměřena na fotoluminiscenční vlastnosti porézního křemíku.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
|
Charakterizace struktur připravených selektivním mokrým leptáním křemíku
Metelka, Ondřej ; Mikulík, Petr (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace procesu přípravy kovové leptací masky pomocí elektronové litografie a následného selektivního mokrého leptání křemíku s krystalografickou orientací (100). Dále byla provedena charakterizace leptaného povrchu a vytvořených struktur. Konkrétně byla pozornost věnována morfologii znázorněné pomocí skenovací elektronové mikroskopie a studiu změny optických vlastností zlatých plazmonických antén vlivem jejich podleptání.
|
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu (
|
|
|
Příprava mikro- a nanostruktur pomocí rozdílných leptacích metod
Těšík, Jan ; Urbánek, Michal (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Selektivní leptání je v současnosti velmi používanou metodou pro přípravu mikro- a nanostruktur. Tato bakalářská práce se zabývá principy těchto leptacích metod, jejich aplikacemi a také možnostmi suchého a mokrého leptání na Ústavu fyzikálního inženýrství. V experimentální části se věnuje přípravě leptacích masek k zajištění selektivity leptání a následně tvorbě předem definovaných mikro- a nanostruktur. Z výsledků byly stanoveny důležité parametry, např. rychlosti leptání Si, selektivitu masek atd. Dále byla porovnána vhodnost použitých způsobů leptání a krycích masek.
|
|
| |
|
|
Srovnání zobrazovacích možností transmisního a rastrovacího elektronového mikroskopu
Maňka, Tadeáš ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Zlámal, Jakub (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je srovnání zobrazovacích možností transmisního a rastrovacího elektronového mikroskopu. Teoretická část se zabývá popisem konstrukce a vysvětlením principu každého typu mikroskopu. Dále je sestaven přehled používaných detektorů signálu a popsán princip získávání obrazu. Prostor je věnován i vzorkům a jejich přípravě. Praktická část je věnována porovnání zobrazovacích možností obou mikroskopů. Ke srovnání byly použity standardní kalibrační vzorky. Jsou zmíněny výhody a nevýhody obou mikroskopů.
|
|
|
Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev
Metelka, Ondřej ; Mach, Jindřich (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé rešerši je studován vliv vlastností galium nitridových (GaN) (ultra) tenkých vrstev a jiných struktur připravených různými způsoby na tvar jejich fotoluminiscenčních spekter. V této práci je dále popsána optimalizace fotoluminiscenční aparatury umístěné na Ústavu fyzikálního inženýrství na VUT pro měření fotoluminiscenčních spekter v UV oblasti světelného záření. Úprava se týká také rozšíření měření i za nízkých teplot (návrh a konstrukce vlastního kryostatu). Závěrem je provedení testovacích měření k zjištění vlivu různých nastavení aparatury na výsledné měřené fotoluminiscenční spektrum.
|
host ::
RSS.