|
Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev
Metelka, Ondřej ; Mach, Jindřich (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé rešerši je studován vliv vlastností galium nitridových (GaN) (ultra) tenkých vrstev a jiných struktur připravených různými způsoby na tvar jejich fotoluminiscenčních spekter. V této práci je dále popsána optimalizace fotoluminiscenční aparatury umístěné na Ústavu fyzikálního inženýrství na VUT pro měření fotoluminiscenčních spekter v UV oblasti světelného záření. Úprava se týká také rozšíření měření i za nízkých teplot (návrh a konstrukce vlastního kryostatu). Závěrem je provedení testovacích měření k zjištění vlivu různých nastavení aparatury na výsledné měřené fotoluminiscenční spektrum.
|
| |
| |
|
Thin Films of Sb2S3 Doped by Sm3+ Ions
Frumarová, Božena ; Bílková, M. ; Frumar, M. ; Repka, M. ; Jedelský, J.
Pure and Sm3+ doped amorphous thin films of Sb2S3 were prepared by thermal co-evaporation of Sb2S3 and Sm metal. From transmittance measurement, the absorption edge, index of refraction, thickness , Eg opt relative permittivity, single oscillator energy and dispersion energy were determined.
|
| |
| |
| |