Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 48 záznamů.  předchozí11 - 20dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Příprava vysoce definovaných nanoporézních struktur s využitím v membránové biosensorice
Fabianová, Kateřina ; Édes, Zoltán (oponent) ; Sadílek, Jakub (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou plasmonického biosensoru založeného na vysoce definovaných porézních strukturách vytvořených v nitridu křemíku obsahujících kovové nanomenhiry. Tyto porézní struktury byly připraveny pomocí metody reaktivního iontového leptání nitridové vrstvy skrze dočasnou masku připravenou elektronovou litografií následované depozicí kovové vrstvy tvořící finální nanomenhiry pomocí napařování a magnetronového naprašování. Práce shrnuje finálně dosažené výsledky a předkládá úspěšný návrh postupu výroby sensoru bez kovové kontaminace nosného povrchu.
Analýza nanostruktur metodou ToF-LEIS
Duda, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Mašek, Karel (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Předložená práce pojednává o využití analytické metody TOF-LEIS v oblasti výzkumu nanostruktur. Touto metodou byl stanoven nový postup pro hloubkové profilování prvkového složení vzorku, který je založen na střídavém měření spolu s metodou DSIMS. Metoda TOF-LEIS je schopna detekovat rozhraní vrstev ještě před jeho rozmixováním odprašujícím svazkem iontů metody DSIMS. Dále byl stanoven postup úpravy výsledných ToF-LEIS spekter tak, abychom obdrželi skutečnou koncentraci prvků ve vzorku eliminací příspěvku mnohoobných kolizí projektilů. Porovnáním TOF LEIS spekter s výsledky měření metody DSIMS byl obdržen poměr výtěžku iontů molybdenu a křemíku. V další části práce jsou ukázány výhody metody TOF-LEIS v kombinaci s metodou XPS během analýzy teplotní stability zlatých nanočástic. Je ukázána komplementárnost obou metod a jejich závěry podloženy snímky elektronového mikroskopu. Závěrečná část je věnována popisu nově sestavené aparatury pro analytickou metodu TOF-SARS a představení jejich možností především ohledně detekce vodíku na grafenu.
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
Příprava plazmonických antén pro analytickou transmisní elektronovou mikroskopii pomocí iontové litografie
Foltýn, Michael ; Kejík, Lukáš (oponent) ; Horák, Michal (vedoucí práce)
Tato experimentálně zaměřená bakalářská práce se zabývá naprašováním zlatých vrstev a výrobou plazmonických antén metodou iontové litografie. Optimalizoval jsem proces naprašování zlatých vrstev metodou depozice za pomoci iontového svazku. Dále jsem optimalizoval proces výroby plazmonických antén za použití iontové litografie. Naprašoval jsem zlaté vrstvy o tloušťkách 20, 30 a 40 nm různými depozičními rychlostmi. Jako nejlepší se z hlediska velikosti zrn projevila vrstva deponovaná rychlostí 2 /s. Z hlediska krystalografického složení však byly nejlepší vrstvy deponované rychlostmi 0,2 a 3 /s. Vyráběl jsem tři typy antén, tyčinkovité anténky o délkách 240 nm a šířkách 40 a 80 nm a dále motýlkovité anténky (bowtie) s 20 nm mezerou mezi křidélky antény. Optimalizoval jsem parametry odprašování pro jednotlivé tloušťky vrstev a depoziční rychlosti, kterými byly vytvořeny. Největší počet dobrých antén byl dosažen u vrstev tlustých 20 a 40 nm. Pro výrobu bowtie antén je nejlepší použít vrstvy libovolné tloušťky v testovaném intervalu deponované rychlostí 3 /s. Zjistil jsem, že pro vrstvy deponované rychlostí 2 /s vznikalo při iontové litografii velké množství redepozitu, který tak mohou při vhodném postupu zajistit optimální rozměry plazmonických antén alespoň v jedné ose.
Napájecí zdroj pro pulsní magnetronové naprašování
Chochola, Ondřej ; Havlíček, Tomáš (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Předkládaná práce se zabývá teorií depozice velmi tenkých vrstev pomocí pulsního magnetronového naprašování a návrhem, realizací a testováním napájecího zdroje pro pulsní magnetronové naprašování.
Modern methods of coating of cutting tools and their application
Kolenič, Michal ; Sliwková, Petra (oponent) ; Píška, Miroslav (vedoucí práce)
This study is aimed on PVD coatings with focus on one of the more advanced PVD methods – high-power impulse magnetron sputtering (HIPIMS). This study aims to describe mechanical and structural proprieties of multiple types of PVD coatings. Experimental part of this study aims to analyse mechanical proprieties and durability of cutting tools with coatings created using HIPIMS methods. The experimental part of this work results in comparison of cutting moments of cutting tools coated with TiN and TiAlN using HIPIMS and a cutting tool without coating.
Tvorba nanostruktur pomocí fokusovaného iontového svazku
Bartoš, Radko ; Tomanec, Ondřej (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářské práce se zabývá problematikou obrábění iontovým svazkem. Jsou představeny přístroje, které se pro tuto metodu používají, a možnosti různých druhů nastavení počátečních podmínek, které mají za následek odlišný výsledný tvar nanostruktur. V práci je popsána metodika tvorby a měření vytvořených nanostruktur. Ze získaných výsledků jsou odvozena vhodná nastavení iontového svazku tak, aby získané nanostruktury měly požadovaný tvar.
Vakuové technologie pro vytváření tenkovrstvých systémů
Kuchařík, Jan ; Šafl, Pavel (oponent) ; Zatloukal, Miroslav (vedoucí práce)
Teoretická část této práce se zabývá tvorbou tenkých vrstev vakuovými metodami. Jedná se o chemickou a fyzikální depozici z plynné fáze v pracovním prostředí vakua. Chemická depozice probíhá za zvýšených teplot, které urychlují reakce. Fyzikální depozice je nejčastěji jen kondenzací par odpařeného materiálu. Fyzikálními metodami je vakuové napařování, a dále katodové, iontové, reaktivní a magnetronové naprašování. Tvorba tenkých vrstev probíhá dle 3 známých mechanismů. Substráty je před depozičním procesem nutné povrchově upravit. Kvalita tenkých vrstev se zkoumá z několika hledisek. Difuze a její mechanismy, faktory ovlivňující difuzi a Fickovy zákony. Praktická část je věnována výrobě tenkovrstvého systému mědi a cínu na skleněném substrátu. Tyto vrstvy jsou odděleny třemi různými bariérovými kovy. Následně byly zhotovené vzorky vystaveny tepelnému namáhání a posléze sledovány elektronovým mikroskopem.
Studium povlakovací technologie HIPIMS pro řezné nástroje
Havlíková, Hana ; Sliwková, Petra (oponent) ; Píška, Miroslav (vedoucí práce)
Cílem práce je uvedení do problematiky metody PVD se zaměřením na metodu HIPIMS a jejím srovnání s konvenčním DC magnetronovým napařováním. Součástí experimentální části práce je zkoumání mechanických a životnostních vlastností stopkových vrtáků s povlakem AlTiN naneseným pomocí technologie HiPIMS. Účelem je charakterizování těchto vlastností a jejich následným porovnáním s vlastnostmi obdrženými u povlaků vytvořených klasickými metodami PVD.
Transparent and conductive titanium nitride thin films for implantable bioelectronics deposited at low temperature using two Kaufman ion-beam sources
Jarušek, J. ; Gablech, I.
This work proposes ultra-thin films of titanium nitride as a material for the realization of transparent and conductive layers suitable for implantable bioelectronics. Results further show that good results of crystallography, transmittance, and sheet resistance can be achieved for thin films with thicknesses of 15 nm and 20 nm deposited at the beam energy of the primary ion source of 400 eV and temperature below 100 °C.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 48 záznamů.   předchozí11 - 20dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.