|
|
Návrh nízkonapěťového napájecího a referenčního bloku založeného na teplotně stabilní napěťové referenci
Zwiener, Jan ; Kledrowetz, Vilém (oponent) ; Prokop, Roman (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá analýzou a vyhodnocením čtyř rozdílných obvodových řešení, které se používají pro konstrukci stabilního referenčního napětí. V literatuře se tyto obvody označují pod pojmem bandgap reference a v této práci je rozebrán princip jejich činnosti. Na základě dosažených výsledů bylo vybráno jedno obvodové řešení, na jehož základě bylo navrženo zařízení obsahující osm referenčních napětí o hodnotách (0,8; 1,0; 1,2; 1,5; 1,8; 2,0; 2,5; 3,3) V a jedno napájecí napětí, kterému lze pomocí binárního kódu přiřadit jednu z hodnot referenčního napětí. Toto zařízení obsahuje zdroje čtyř referenčních proudů o hodnotách (1; 2; 4; 8) µA.
|
|
|
Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T
Pěček, Lukáš ; Prokop, Roman (oponent) ; Kledrowetz, Vilém (vedoucí práce)
Napěťové reference tvoří základní součást většiny integrovaných obvodů. Cílem této práce je popsat jejich princip a v technologii ONSemi I3T25 navrhnout kompletní obvod reference včetně layoutu. Byla navržena bandgap napěťová reference s výstupním napětím 1,25 V a s předstabilizací napětí. Pro zvýšení přesnosti byl použit pětibitový trimovací obvod.
|
|
|
Napěťové reference v bipolárním a CMOS procesu
Kotrč, Václav ; Prokop, Roman (oponent) ; Kadaňka, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá návrhem napěťových referencí. Porovnává dosažené výsledky optimalizace bipolární reference typu Brokaw s referencemi MOSovými. Uvedená principiální schémata jsou vysvětlena, postupně rozdělena na úroveň základních bloků a analyzána pomocí Monte Carlo. Jsou zde také naznačeny postupy pro dosažení nižší odchylky referenčního napětí za účelem vynechání trimování obvodu při výrobě.
|
|
|
Design of Voltage Reference Circuit in OnSemi I3T Technology
Pěček, L.
The aim of this paper is to design accurate bandgap voltage reference circuit in OnSemi I3T technology. A trimming technique with transistor switches is utilized to adjust output reference voltage and reduce overall error of circuit. The functionality was verified in industrial temperature range with consideration of manufacturing process tolerances using Cadence environment.
|
|
|
Návrh přesné napěťové reference v ACMOS procesu
Kacafírek, Jiří ; Prokop, Roman (oponent) ; Ing. Petr Kadaňka, ON Semiconductor v Rožnově p. Radhoštěm (vedoucí práce)
V této práci je popsán princip napěťových referencí, především napěťových referencí typu bandgap. Dále jsou popsány dva obvody tohoto typu navržené v ACMOS procesu. Je provedena chybová analýza ručním výpočtem pro odhalení prvků, které mají největší vliv a také simulace metodou monte-carlo. V další části práce je provedeno statistické vyhodnocení měření vzorků hotové struktury. Výsledky dosažené všemi metodami jsou přehledně porovnány. Poté jsou srovnána obě zapojení vzhledem k přesnosti jejich referenčního napětí. U zapojení s větší chybou je provedena optimalizace pro dosažení nižší chyby. Získané výsledky ukazují dobrou shodu všech tří metod, což ukazuje význam a možnosti ručního výpočtu.
|
|
|
Band Gap - přesná napěťová reference
Bubla, Jiří ; Petržela, Jiří (oponent) ; Kolka, Zdeněk (vedoucí práce)
Projekt je zaměřený na návrh přesné napěťové reference Bandgap v technologii monolitických integrovaných obvodů. Tento obvod se vyznačuje velmi nízkým teplotním koeficientem v řádu jednotek ppm/°C a napětím blízkým 1,205V. Práce obsahuje podrobné odvození funkce, několik principiálních zapojení, metody kompenzace závislosti referenčního napětí na teplotě a procesních vlivech, návrh Brokawovy a Gilbertovy reference, návrh testovacího čipu pro měření parametrů Brokawovy reference a výsledky měření.
|
|
|
Počítačové modelování metamateriálů
Beran, Jaroslav ; Kovács, Peter (oponent) ; Oliva, Lukáš (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá metamateriálovými strukturami. Což jsou periodické struktury, které mohou mít permitivitu nebo permeabilitu, popřípadě oba tyto parametry, záporné. Je provedeno testování na třech základních strukturách: Split Loop Array; Spiral Array a Double Spiral Array. Pro každou strukturu je vytvořen disperzní diagram a jsou sledovány S – parametry. Testování je prováděno v komerčním software Ansoft High Frequency Structure Simulator a CST Microwave Studio. Sledují se zádržná pásma těchto struktur a kdy se struktura chová jako left – handed medium nebo right – handed medium. Výsledky jsou porovnány s výsledky v literatuře.
|
host ::
RSS.