| |
|
Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku
Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.
|
|
Optimalizace mycího procesu DPS
Smejkal, Jakub ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Starý, Jiří (vedoucí práce)
Diplomová práce uvádí čtenáře do problematiky čistoty DPS krátkým rozborem historických přístupů k jejich mytí. V teoretické části definuje, jaké jevy nastávají v případě ponechání nečistot na DPS a jmenuje jednotlivé druhy nečistot se zaměřením na tavidla. Dále se zabývá druhy čisticích kapalin a vybranými technologiemi vhodnými pro čištění DPS včetně rešerše konkrétních produktů a jejich výrobců. V praktické části analyzuje současný stav mycích procesů ve společnosti Tescan Brno a provádí prvotní test čistoty DPS externích dodavatelů a interně osazených DPS. Na základě provedené analýzy se práce následně zaměřuje na náhradu aktuální čisticí kapaliny a optimalizaci používané trubičkové pájky. V obou sledovaných oblastech provádí sérii testovacích měření na základě jejichž průběhu a výsledků navrhuje metodiku pro vyhodnocení aktuální použitelnosti čisticí kapaliny a pro testování povrchového izolačního odporu.
|
| |
|
Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku
Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm.
|
|
Ion Beam Thin Film Deposition, Surface and Thin Film Analysis
Šikola, T. ; Spousta, J. ; Zlámal, J. ; Průša, S. ; Lopour, F. ; Kalousek, R. ; Třískala, M. ; Tichopádek, P. ; Krejzlík, T. ; Nebojsa, A. ; Lencová, Bohumila
|