|
|
Optické hradlování epitaxního grafénu
Fridrišek, Tomáš ; Dědič, Václav (vedoucí práce)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem s vysokou tepelnou, chemickou a mechanickou odolností. Pomocí termální dekompozice křemíku z SiC je možno vyrůst na povrchu vysoce kvalitní epitaxní grafen, jehož výrobu je možné průmyslově škálovat. Tato práce zkoumá, zda je možné opticky hradlovat epitaxní grafen a jaký vliv na elektrickou stabilitu epitaxního grafenu má okolní prostředí. Experimentální část práce se skládá z optimalizace přípravy kontaktů vzorků pomocí elektronové litografie, měření vlivu okolní atmosféry na elektrické vlastnosti grafenu, měření závislosti proudu na optickém výkonu a spektrální závislosti fotovodivosti grafenu. Během měření byl prokázán značný vliv adsorpce molekul z prostředí na elektrické vlastnosti grafenu.
|
|
|
Optické hradlování epitaxního grafénu
Fridrišek, Tomáš ; Dědič, Václav (vedoucí práce) ; Nádvorník, Lukáš (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem s vysokou tepelnou, chemickou a mechanickou odolností. Pomocí termální dekompozice křemíku z SiC je možno vyrůst na povrchu vysoce kvalitní epitaxní grafen, jehož výrobu je možné průmyslově škálovat. Tato práce zkoumá, zda je možné opticky hradlovat epitaxní grafen a jaký vliv na elektrickou stabilitu epitaxního grafenu má okolní prostředí. Experimentální část práce se skládá z optimalizace přípravy kontaktů vzorků pomocí elektronové litografie, měření vlivu okolní atmosféry na elektrické vlastnosti grafenu, měření závislosti proudu na optickém výkonu a spektrální závislosti fotovodivosti grafenu. Během měření byl prokázán značný vliv adsorpce molekul z prostředí na elektrické vlastnosti grafenu.
|
|
|
Měření elektrického pole v polovodičovém detektoru s netriviální geometrií kontaktů
Fridrišek, Tomáš ; Dědič, Václav (vedoucí práce) ; Trojánek, František (oponent)
Hlavním cílem bakalářské práce bylo prozkoumat, zdali je možné použít novou metodu využívající elektrooptický Pockelsův jev ke studiu vnitřního elektrického pole v polovodičovém detektoru gama záření s koplanární mřížkou. Změřením elektrického pole detektoru s triviální geometrií kontaktů byl určen Pockelsův koeficient pro CdZnTe. Následně byl zjištěný Pockelsův koeficient použit pro vyhodnocení 2D vektorového pole u vzorků s netriviální geometrií kontaktů. Zmíněnou metodou se podařilo vyhodnotit intenzitu elektrického pole v téměř celém objemu detektorů s koplanární mřížkou.
|
host ::
RSS.