Hlavní stránka > Výsledky hledání: El Gomati, M. M.
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 3 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
On the imaging of semiconductor doping using low energy electron microscopy
 El Gomati, M. M. ; Wells, T. C. R. ; Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona
Regions of n + and p + semiconductors doped to 2.5x10 20 and 80x10 19 cm -3 respectively on n-type silicon substrate have been imaged in a scanning electron microscope modified for use into a cathode lens mode operating in the region of 1-10000 eV. The highest contrast with respect to that of the n-type silicon has been obtained from the n + region followed by the p + . Further, the n+ shows a maximum contrast at about 5-20 eV, while the contrast from the p+ area shows a maximum at about 300 eV.
Úplný záznam
Measurements of the Secondary and Backscattered Electron Coefficients in the Very Low Energy Range
 Zadražil, Martin ; El Gomati, M. M.
Úplný záznam
Elektrostatický nízkoenergiový rastrovací elektronový mikroskop pro Augerovu analýzu
 Romanovský, V. ; El Gomati, M. M. ; Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona
Byl realizován rastrovací nízkoenergiový elektronový mikroskop (SLEEM) s katodovou čočkou, v níž jako katoda slouží vzorek připojený na záporný potenciál. V tomto uspořádání procházejí elektrony mikroskopem s vysokou energií a na nízkou energii jsou bržděny těsně před svým dopadem na vzorek. Takový systém zajišťuje vysokou úroveň signálu dokonce i při energiích dopadu v desítkách nebo jednotkách eV. Používání primárních elektronů o nízké energii přináší mnohé problémy, jako např. nízký jas zdroje, zvětšené zobrazovací vady a citlivost k rušivým polím. Rastrovací Augerova mikroskopie (SAM) je dobře zavedenou experimentální metodou. Kombinace SAM a SLEEM v jediném zařízení by tedy představovala nástroj postačující k vyřešení problémů, s nimiž se tyto metody potýkají jednotlivě. Ačkoliv již bylo mnohé vykonáno na poli detekce pomalých elektronů, žádná z metod známých v současnosti není způsobilá k zabudování do rastrovacího osvětlovacího tubusu pro analytickou Augerovu mikrosondu
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English