|
|
Příprava grafenových vrstev metodou MBE
Čalkovský, Martin ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá tvorbou grafenových struktur metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE). V teoretické části je stručně popsán materiál grafen, jeho vlastnosti, možnosti výroby a způsoby detekce. Detailněji je provedena rešeršní studie přípravy grafenových struktur metodou MBE. V experimentální části této bakalářské práce je provedena optimalizace sublimačního zdroje atomů uhlíku a proměření jeho vlastností. Dále jsou popsány experimenty přípravy grafenových struktur na Cu a Ge substráty. Přítomnost grafenových struktur je ověřována ramanovou spektroskopií.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur s kovovým jádrem
Čalkovský, Martin ; Jarý,, Vítězslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou GaN nanokrystalů s kovovým jádrem. V teoretické části této práce je představen materiál GaN se svými vlastnostmi a aplikacemi. Dále jsou uvedeny některé metody přípravy GaN, přičemž metoda MBE je popsána podrobněji. Dále je popsána depozice kovových nanočástic z koloidního roztoku a nejnovější metody zesílení luminiscence GaN struktur. Experimentální část je rozdělena na tři části odpovídající postupu přípravy GaN krystalů s Ag jádrem. V prvním kroku jsou Ag nanočástice naneseny na Si(111) substrát. Ve druhém kroku je optimalizován proces depozice Ga a v posledním kroku je nadeponované Ga transformováno na GaN. Po depozici Ga byly vzorky analyzovány pomocí SEM/EDX a SAM/AES. Vlastnosti připravených GaN krystalů s Ag jádrem byly studovány metodou XPS, fotoluminiscenční spektroskopií a Ramanovou spektroskopií.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur s kovovým jádrem
Čalkovský, Martin ; Jarý,, Vítězslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou GaN nanokrystalů s kovovým jádrem. V teoretické části této práce je představen materiál GaN se svými vlastnostmi a aplikacemi. Dále jsou uvedeny některé metody přípravy GaN, přičemž metoda MBE je popsána podrobněji. Dále je popsána depozice kovových nanočástic z koloidního roztoku a nejnovější metody zesílení luminiscence GaN struktur. Experimentální část je rozdělena na tři části odpovídající postupu přípravy GaN krystalů s Ag jádrem. V prvním kroku jsou Ag nanočástice naneseny na Si(111) substrát. Ve druhém kroku je optimalizován proces depozice Ga a v posledním kroku je nadeponované Ga transformováno na GaN. Po depozici Ga byly vzorky analyzovány pomocí SEM/EDX a SAM/AES. Vlastnosti připravených GaN krystalů s Ag jádrem byly studovány metodou XPS, fotoluminiscenční spektroskopií a Ramanovou spektroskopií.
|
|
|
Příprava grafenových vrstev metodou MBE
Čalkovský, Martin ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá tvorbou grafenových struktur metodou molekulární svazkové epitaxe (MBE). V teoretické části je stručně popsán materiál grafen, jeho vlastnosti, možnosti výroby a způsoby detekce. Detailněji je provedena rešeršní studie přípravy grafenových struktur metodou MBE. V experimentální části této bakalářské práce je provedena optimalizace sublimačního zdroje atomů uhlíku a proměření jeho vlastností. Dále jsou popsány experimenty přípravy grafenových struktur na Cu a Ge substráty. Přítomnost grafenových struktur je ověřována ramanovou spektroskopií.
|
host ::
RSS.