|
|
Preparation and characterization of nanostructured III-V semiconductor materials
Maniš, Jaroslav ; Kostelník,, Petr (referee) ; Hospodková,, Alice (referee) ; Šikola, Tomáš (advisor)
Předkládaná dizertační práce se zabývá výrobou a analýzou gallium nitridových (GaN) nanostruktur ve třech odlišných formách. V prvním případě byl zkoumám trojdimenzionální GaN ve formě nanokrystalů rostených na grafenu. Nanokrystaly byly připraveny s využitím techniky droplet epitaxy, která mimo jiné umožňuje růst nanostruktur za nízké teploty substrátu (T = 200°C). Studium se zaměřovalo jak na charakterizaci kvality připravených nanokrystalů, tak na statistický popis růstu. V dalším kroku byly připravené struktury využity pro výrobu fotodektoru citlivého na ultrafialové světlo. Výroba fotodektoru a jeho úspěšné použití slouží jako základ pro navazující výzkum. Ve druhém případě byly studovány dvoudimenzionální GaN nanostruktury, které byly rovněž připraveny za nízké teploty křemíkového substrátu. Následná analýza se soustředila na popis krystalové struktury a prvkovou analýzu, neboť byly takovéto struktury pozorovány vůbec poprvé. Další rozvoj možností přípravy těchto nanostruktur je předmětem navazujícího výzkumu. Ve třetím případě byly zkoumány jednodimenzionální GaN nanodráty připravené na safírovém substrátu. Účelem tohoto projektu bylo získání datasetu pro ověření teoretického modelu, který popisuje růst horizontálních nanodrátů. Na základě sběru a analýzy dat se podařilo modelovat růstovou dynamiku GaN nanodrátů, která byly v souladu s teoretickým modelem.
|
|
|
Preparation of InAs nanowires by MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (referee) ; Musálek, Tomáš (advisor)
The bachelor’s thesis deals with growth of InAs nanowires grown on silicon substrate by molecular beam epitaxy. The emphasis is mainly layed on fabrication of nanowires grown via Vapour-Liquid-Solid mechanism using gold catalytic nanoparticles. There is a brief description of two most common mechanisms of nanowire growth in the first part of the thesis. The text also discusses crystal structure of InAs and doping options of InAs nanowires. The experimental part is aimed at deposition and the impact of different growth conditions on both growth mechanism and nanowire morphology.
|
|
| |
|
|
Fabrication, optimization and in-situ characterization of thermally tunable vanadium dioxide nanostructures
Krpenský, Jan ; Maniš, Jaroslav (referee) ; Konečná, Andrea (advisor)
Oxid vanadičitý (VO2) přilákal v posledních desetiletích zvýšenou pozornost kvůli svému fázovému přechodu kov-izolant na teplotě okolo 68 °C. Tento fázový přechod je provázen změnou krystalové mříže z monoklinické (dielektrikum) na tetragonální (kov), smrštěním krystalové mříže v kovové fázi a výrazným rozdílem mezi transmisivitou v infračervené oblasti mezi oběma fázemi. Avšak výroba VO2 může být náročná kvůli jiným možným stochiometrickým konfiguracím jako je VO, V2O3 nebo V2O5. V posledních letech bylo použito mnoho výrobních technik, u kterých optimalizace výrobního procesu produkuje VxOy v požadované VO2 stochiometrii. V této práci je uvedeno shrnutí tří technik vhodných pro depozici tenkých vrstev VO2 a je popsán proces výroby tenkých vzorků (lamel), které jsou vhodné pro studium v transmisním elektronovém mikroskopu (TEM), pomocí fokusovaného iontového svazku (FIB). Použití TEM se zahříváním uvnitř komory pro charakterizaci VO2 vzorků produkuje cenné informace o mikrostruktuře VO2 pod i nad teplotou přechodu. Navíc dává spektroskopie energiových ztrát elektronů cenný vhled do změn různých stochiometrií VO2 v souvislosti s tloušťkou zkoumaného vzorku, zejména blízko hrany vzorku.
|
|
|
Studies of molecular beams of organic materials
Maniš, Jaroslav ; Průša, Stanislav (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
This bachelor's thesis deals with assembling of low-temperature efussion cell which is suitable for deposition of organic materials. The calibration of operating temperature of effusion cell is performed. Depositions of organic semiconductor material are realized. Morphology of surface of thin film is studied in AFM and SEM microscope. In the paper background research on the utilization of organic materials in semiconductor industry is presented.
|
|
|
The modification of the graphene structures by low energy ions (E
Maniš, Jaroslav ; Čermák,, Jan (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
Diploma thesis deals with the influence of low energy ions on graphene structures. Graphene structures were modified by nitrogen and argon ions of energies lower than 100 eV. Modified structures were analysed by Raman spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. The influence of the dose of ions on quality of graphene were investigated as well. In addition, this diploma thesis includes the literature search which focuses on modification of graphene by charged particles.
|
|
|
Preparation and characterization of nanostructured III-V semiconductor materials
Maniš, Jaroslav ; Kostelník,, Petr (referee) ; Hospodková,, Alice (referee) ; Šikola, Tomáš (advisor)
Předkládaná dizertační práce se zabývá výrobou a analýzou gallium nitridových (GaN) nanostruktur ve třech odlišných formách. V prvním případě byl zkoumám trojdimenzionální GaN ve formě nanokrystalů rostených na grafenu. Nanokrystaly byly připraveny s využitím techniky droplet epitaxy, která mimo jiné umožňuje růst nanostruktur za nízké teploty substrátu (T = 200°C). Studium se zaměřovalo jak na charakterizaci kvality připravených nanokrystalů, tak na statistický popis růstu. V dalším kroku byly připravené struktury využity pro výrobu fotodektoru citlivého na ultrafialové světlo. Výroba fotodektoru a jeho úspěšné použití slouží jako základ pro navazující výzkum. Ve druhém případě byly studovány dvoudimenzionální GaN nanostruktury, které byly rovněž připraveny za nízké teploty křemíkového substrátu. Následná analýza se soustředila na popis krystalové struktury a prvkovou analýzu, neboť byly takovéto struktury pozorovány vůbec poprvé. Další rozvoj možností přípravy těchto nanostruktur je předmětem navazujícího výzkumu. Ve třetím případě byly zkoumány jednodimenzionální GaN nanodráty připravené na safírovém substrátu. Účelem tohoto projektu bylo získání datasetu pro ověření teoretického modelu, který popisuje růst horizontálních nanodrátů. Na základě sběru a analýzy dat se podařilo modelovat růstovou dynamiku GaN nanodrátů, která byly v souladu s teoretickým modelem.
|
|
|
Fabrication, optimization and in-situ characterization of thermally tunable vanadium dioxide nanostructures
Krpenský, Jan ; Maniš, Jaroslav (referee) ; Konečná, Andrea (advisor)
Oxid vanadičitý (VO2) přilákal v posledních desetiletích zvýšenou pozornost kvůli svému fázovému přechodu kov-izolant na teplotě okolo 68 °C. Tento fázový přechod je provázen změnou krystalové mříže z monoklinické (dielektrikum) na tetragonální (kov), smrštěním krystalové mříže v kovové fázi a výrazným rozdílem mezi transmisivitou v infračervené oblasti mezi oběma fázemi. Avšak výroba VO2 může být náročná kvůli jiným možným stochiometrickým konfiguracím jako je VO, V2O3 nebo V2O5. V posledních letech bylo použito mnoho výrobních technik, u kterých optimalizace výrobního procesu produkuje VxOy v požadované VO2 stochiometrii. V této práci je uvedeno shrnutí tří technik vhodných pro depozici tenkých vrstev VO2 a je popsán proces výroby tenkých vzorků (lamel), které jsou vhodné pro studium v transmisním elektronovém mikroskopu (TEM), pomocí fokusovaného iontového svazku (FIB). Použití TEM se zahříváním uvnitř komory pro charakterizaci VO2 vzorků produkuje cenné informace o mikrostruktuře VO2 pod i nad teplotou přechodu. Navíc dává spektroskopie energiových ztrát elektronů cenný vhled do změn různých stochiometrií VO2 v souvislosti s tloušťkou zkoumaného vzorku, zejména blízko hrany vzorku.
|
|
|
Preparation of InAs nanowires by MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (referee) ; Musálek, Tomáš (advisor)
The bachelor’s thesis deals with growth of InAs nanowires grown on silicon substrate by molecular beam epitaxy. The emphasis is mainly layed on fabrication of nanowires grown via Vapour-Liquid-Solid mechanism using gold catalytic nanoparticles. There is a brief description of two most common mechanisms of nanowire growth in the first part of the thesis. The text also discusses crystal structure of InAs and doping options of InAs nanowires. The experimental part is aimed at deposition and the impact of different growth conditions on both growth mechanism and nanowire morphology.
|
|
| |
guest ::
RSS feed.