|
|
SMV-2020-19: Reliéfní struktury na principu difraktivní optiky
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Výzkum a vývoj v oblasti fyzikální realizace grafických a optických struktur na principu difraktivní optiky prostředky elektronové litografie v záznamovém materiálu neseném křemíkovou nebo skleněnou deskou. Výzkum zahrnuje analýzu grafického resp. optického motivu, výzkum a aplikaci reliéfních struktur realizujících požadované grafické resp. optické vlastnosti, výzkum a modelování možností fyzikální realizace reliéfních struktur, vypracování a analýzu technologie realizace reliéfní struktury s ohledem na limity současných vědeckých přístrojů, ověření teoretických úvah expozicí vzorku reliéfní struktury.
|
|
|
SMV-2019-75: Reliéfní mikrostruktury na principu difraktivní optiky
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Výzkum a vývoj v oblasti fyzikální realizace grafických a optických struktur na principu difraktivní optiky prostředky elektronové litografie v záznamovém materiálu neseném křemíkovou nebo skleněnou deskou. Výzkum zahrnuje analýzu grafického resp. optického motivu, výzkum a aplikaci reliéfních struktur realizujících požadované grafické resp. optické vlastnosti, výzkum a modelování možností fyzikální realizace reliéfních struktur, vypracování a analýzu technologie realizace reliéfní struktury s ohledem na limity současných vědeckých přístrojů, ověření teoretických úvah expozicí vzorku reliéfní struktury.
|
|
| |
|
|
SMV-2019-01: Reliéfní struktury na principu difraktivní optiky
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Výzkum a vývoj v oblasti fyzikální realizace grafických a optických struktur na principu difraktivní optiky prostředky elektronové litografie v záznamovém materiálu neseném křemíkovou nebo skleněnou deskou. Výzkum zahrnuje analýzu grafického resp. optického motivu, výzkum a aplikaci reliéfních struktur realizujících požadované grafické resp. optické vlastnosti, výzkum a modelování možností fyzikální realizace reliéfních struktur, vypracování a analýzu technologie realizace reliéfní struktury s ohledem na limity současných vědeckých přístrojů, ověření teoretických úvah expozicí vzorku reliéfní struktury.
|
|
|
SMV-2019-02: Analýza planárních mikrostruktur vytvářených kombinovaným způsobem zápisu
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Výzkum a vývoj materiálů, technologických postupů a metodiky vytváření planárních mikrostruktur. Příprava a vyhodnocení vlastností tenkých vrstev vhodných pro zápis planárních mikrostruktur, analýza mikrostruktur na elektronovém a konfokálním mikroskopu, příprava masek na litografu pro kombinované expozice, využití dalších technologií – např. UV soukrytovačky masek, RIE a dalších, ověření navržené metodiky, vyhodnocení dosažitelných parametrů, sepsání písemné zprávy.
|
|
|
SMV-2019-05: Fázové mřížky
Krátký, Stanislav ; Matějka, Milan ; Chlumská, Jana ; Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Vývoj přípravy fázových mřížek pro použití ve spektroskopii materiálů. Během vývoje se prozkoumaly možnosti návrhu a přípravy fázových mřížek, které by byly naladěné na dvě odlišné vlnové délky. Teoretické simulace ukázaly, že se mřížka (hloubka mřížky) musí naladit na hodnotu mezi dvěmi zamýšlenými vlnovými délkami, aby se maximalizovaly účinnosti v prvních řádech pro obě vlnové délky. Vzorky byly následně vyrobeny pomocí elektronové litografie a reaktivního iontového leptání.
|
|
|
SMV-2019-04: Velkoplošné nanášení nanostruktur
Horáček, Miroslav ; Kolařík, Vladimír ; Matějka, Milan ; Krátký, Stanislav ; Chlumská, Jana ; Meluzín, Petr ; Král, Stanislav
Vývoj sendvičových nanostruktur na dopovaném křemíkovém substrátu. Rozměry nanostruktur a jejich periodicita je na limitu rozměrů, které umožňuje připravit elektronový litograf Raith EBPG5000+. Na dopovaný křemíkový substrát byla připravena tenká nitridová vrstva jako maska pro následné leptání. Pomocí elektronové litografie a vakuového napařování byly nejdříve připraveny zlaté soukrytovací značky nutné pro provedení vícenásobné expozice. V dalším litografickém kroku byla naexponována maska v rezistu, přes kterou se pomocí reaktivního iontového leptání proleptala nitridová maska. Přes nitridovou masku došlo k vyleptání pyramid v křemíku. V třetím litografickém kroku byla pomocí různých strategií zápisu připravena druhá maska pro napaření hliníkové vrstvy v místech dříve vyleptaných pyramid. Proces byl dokončen provedením lift-off techniky okolní plochy.
|
|
| |
|
|
Silver micro drop structured twice around the earth
Meluzín, Petr ; Tryhuk, V. ; Horáček, Miroslav ; Knápek, Alexandr ; Krátký, Stanislav ; Matějka, Milan ; Kolařík, Vladimír
Planar micro structuring of thin metallic layers allows to achieve required surface properties of metallic layers covering bulk materials. Recently, the arrangement of micro holes or pillars placed around the primary spiral according to a phyllotactic model was presented. This deterministically aperiodic planar arrangement was used for benchmarking purposes of the e-beam writer patterning. This arrangement based on single primary spiral and a variety of derived secondary spirals has several interesting properties. One of them is a very low ratio between the area populated by individual micro elements and the length of the primary phyllotactic spiral. This paper presents analysis of the phyllotactic spiral length and the rising gradient at the spiral outer edge. The practical part of the presented work deals with the patterning of a thin silver layer deposited on the silicon or glass substrates using e-beam pattern generation, lithography techniques and related technologies. An interesting impact of the mentioned spiral properties on the e-beam writing strategies and the exposure ordering strategy are also discussed.
|
|
| |
host ::
RSS.