|
Organické materiály pro molekulární kvantové bity: příprava vrstev a jejich rentgenová analýza
Tuček, Marek ; Bábor, Petr (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
V této práci jsou představeny vlastnosti a využití kovových ftalocyaninů, stručně popsán postup depozice tenkých vrstev železného ftalocyaninu na Si(100), post-depoziční analýza pomocí XPS a aparatura k měření rentgenové reflektivity. Dále se věnujeme teoretickému popisu fyzikální podstaty rentgenové difrakce na krystalu, popisu problematiky měření rentgenové reflektivity a vyhodnocování získaných dat se zaměřením na zjištění tloušťky nadeponované vrstvy, identifikaci její krystalové struktury a mřížkových parametrů. Bylo zjištěno, že vrstvy železného ftalocyaninu, deponované na substrát o pokojové teplotě, rostou jako alfa-fáze ve tvaru jehlic kolmo na povrch vzorku, takže tloušťku vrstvy je kvůli vysoké drsnosti možné pouze odhadnout ze Scherrerovy rovnice pro dlouhé depozice. V případě kratších depozic (a tedy i nižší drsnosti) je možné použít metodu Kiessigových oscilací. Při post-depozičním žíhání jsme nebyli schopni vyvolat fázovou přeměnu materiálu, aniž by se odpařil z povrchu vzorku. Depozicí na substrát o teplotě 160°C jsme získali značně drsnou vrstvu s nejasnou krystalovou fází.
|
| |
| |
|
Leptání SiO2 pomocí depozice Si
Pokorný, David ; Bábor, Petr (oponent) ; Polčák, Josef (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá jednou z nejzajímavějších reakcí probíhajících v pevné fázi v UHV podmínkách, a to rozkladem SiO2 podle rovnice Si + SiO2 = 2SiO. Využívá dosud nevyzkoušený postup - dodání Si atomů nikoli ze substrátu, ale přímou depozicí na povrch oxidu. Jako zdroj křemíkových atomů byla použita efuzní cela. K objasnění principu této reakce bylo využito jak depozice křemíku na SiO2 substrát za pokojové teploty, tak za zvýšené teploty. Byla stanovena aktivační energie a teplotní závislost rychlosti této reakce. Také byla ověřena možnost leptání SiO2 pomocí depozice Si za UHV podmínek. Připravené vzorky byly zkoumány pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie a mikroskopie atomárních sil.
|
|
Correlative tomography
Vařeka, Karel ; Touš,, Jan (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
The presented master’s thesis deals with a correlative approach towards multiscale and multimodal analysis of through-silicon-via structures. The research is part of an international project concerning a failure characterization of said structures and implemented semiconductor devices. Correlative microscopy and tomography techniques of NanoXCT, FIB-SEM (EDS), FIB-SIMS, and AFM were proposed to establish a workflow of measurements. Focused ion beam tomography is a method of precise serial sectioning and obtaining valuable high-resolution images (FIB-SEM) or chemical composition maps (FIB-SIMS) at each cross-section. The following image registration shows the possibility of identifying defects as a function of structure depth. Additionally, the thesis outlines methods of image fusion of high-resolution and spectral images to most appropriately demonstrate the obtained data.
|
| |
|
Modernizace aparatury pro depozici pomocí iontového naprašování
Páleníček, Michal ; Mach, Jindřich (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací aparatury umožňující zakládání vzorků do vakua bez nutnosti zavzdušnění depoziční komory. Jsou diskutovány teoretické základy vakuových technologií. Dále je práce zaměřena na popis stávající depoziční komory a její princip. Největší část práce se zabývá popisem návrhů aparatury pro zakládání vzorků. První návrh, od kterého se opustilo, je popsán jen stručně, u druhého návrhu jsou rozepsány jednotlivé kroky a řešení. V práci je i jednoduchý návod na zakládání vzorků. Na závěr jsou prezentovány výsledky simulací chladícího sytému vzorků a průhybu magnetické tyče.
|
|
Analýza pokročilých materiálů a struktur metodou SIMS
Holeňák, Radek ; Kalousek, Radek (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá studiem pokročilých materiálů metodou SIMS a možnostem kvantitativní analýzy pomocí dat získaných z měření. Byla provedena chemická analýza povrchu keramiky s cílem optimalizace podmínek měření. Zbytek práce využívá datový výstup z měření pro popsání vnitřní mikrostruktury materiálu. Pomocí sofistikovaných metod jsou lokalizovány a popsány Si precipitáty ve vrstvě AlSi a ověřena formace fáze MgAl2O4 ve vzorcích keramiky. Dosažení všech stanovených cílů odhaluje potenciál metody SIMS a především možnosti ve zpracování datového výstupu z měření.
|
|
Vývoj nosiče vzorků pro měření elektrických vlastností v UHV SEM
Axman, Tomáš ; Pavera, Michal (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá konstrukcí a následným testováním nosiče vzorků umožňující ohřev, chlazení a měření teploty vzorku a zásobníku vzorků pro vysokovakuovou aparaturu skenovacího elektronového mikroskopu, který je vyvíjen ve spolupráci s firmou Tescan. Teoretická část se zabývá rešeršní studií v současnosti používaných nosičů vzorků pro UHV a zhodnocení jejich pozitiv a negativ. Pojednáno je také o vhodnosti použití některých materiálů. Experimentální část popisuje samotnou konstrukci receptoru paletek s ohledem na nutný počet elektrických kontaktů pro měření elektrických vlastností vzorků a kompatibilitu s UHV. Následuje samotné měření a testování vyrobeného funkčního vzorku receptoru paletek jak při nízkých tak při vysokých teplotách.
|
|
Návrh aparatury pro VF plasmové leptání
Bárdy, Stanislav ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá návrhom aparatúry na vysokofrekvenčnú (VF) indukčne viazanú plazmu. V teoretickej časti je rešerne spracované čistenie grafénových povrchov plazmovým leptaním, ďalej sú popísané metódy generovania plazmového výboja a návrh VF elektrického obvodu. Praktická časť sa zaoberá samotnou konštrukciou aparatúry a vyrovnávacej jednotky, optickou diagnostikou plazmového výboja a meraním parametrov leptania PMMA (rýchlosť leptania, drsnosť) použitím spektroskopickej reflektometrie a mikroskopie atomárnych síl.
|