|
|
Příprava a charakterizace vzorků pro studium vlivu povrchových plasmonových polaritonů na růst ostrůvků na površích
Závodný, Adam ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a studiem růstu tenkých vrstev kobaltu a termální stabilitou multivrstvy Al2O3/Au/SiO2/Si. Jako substrát pro růst tenkých vrstev byl použit krystalický křemík povrchově upraven dvěma způsoby: SiO2/Si(111) a Al2O3/SiO2/Si(111). Růst vrstev byl prováděn pomocí efuzní cely. Růst kobaltových vrstev je zkoumán v závislosti na depoziční teplotě substrátu, typu substrátu a množství deponovaného materiálu. Připravené vrstvy jsou studovány použitím rentgenové fotoelektronové spektroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil.
|
|
|
Návrh atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách UHV
Horáček, Matěj ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky.
|
|
|
Selektivní růst GaN na SiN
Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM).
|
|
|
Funkcionalizované nanostruktury
Váňa, Rostislav ; Kvapil, Michal (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá funkcionalizovanými nanostrukturami. V první části jsou zmíněny materiály vhodné pro funkcionalizaci, využití funkcionalizovaných nanostruktur v oblasti medicíny a biochemie a metody detekce změn optických vlastností. Ve druhé části jsou zkoumány změny optických vlastností nanostruktur po funkcionalizaci pomocí spektroskopické elipsometrie a FTIR spektroskopie.
|
|
|
Návrh iontového zdroje pro odprašování
Glajc, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem nového typu iontového zdroje. Jejím cílem je navrhnout iontový zdroj se sedlovým polem pro odprašování. Inovací ve vypracovaném návrhu je kombinace klasického válcově symetrického iontového zdroje a žhavené katody vyrobené z wolframu. V první části práce je uvedena rešerše problematiky iontových zdrojů. Druhá část se zabývá elektronově-optickým návrhem zdroje a simulací elektrostatického pole včetně trajektorií elektronů a iontů. Jsou také odhadnuty některé parametry iontového zdroje. V třetí části je detailně popsán konstrukční návrh založený na předchozích simulacích. Součástí práce je kompletní výkresová dokumentace.
|
|
|
Morfologie ostrůvků germania v přítomnosti gallia a zlata
Pejchal, Tomáš ; Čechal, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá morfologií ostrůvků germania v přítomnosti zlata, stříbra a gallia, připravených na povrchu Ge(111) pomocí napařování za podmínek UHV. V práci je představena rešerše povrchových rekonstrukcí uvedených kovů na povrchu Ge(111). Je ukázáno, že koncentrace, velikost i tvar ostrůvků závisí na přítomnosti jednotlivých kovů i teplotě depozice. Povrchová struktura a morfologie vzorků byly studovány metodami RHEED a SEM.
|
|
|
Modelování růstu polovodičových nanovláken
Kovács, Roland ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá modelováním růstu polovodičových nanovláken. Práce obsahuje popis mechanizmu růstu pomocí metody vapor-liquid-solid (VLS). Hlavním cílem je simulace rozložení materiálu v eutektické kapce v počáteční fázi růstu. Byly vytvořeny matematické modely, které popisují různé situace difuze materiálu v kapce. Simulační model je naprogramován v prostředí MATLAB.
|
|
| |
|
|
Studium růstu ultratenkých vrstev Au
Beránek, Jiří ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této práce je studium růstu ultratenkých vrstev zlata. Vrstvy byly připraveny metodou molekolární svazkové epitaxe (Molecular beam epitaxy - MBE) v podmínkách ultravysokého vakua na různě modifikované křemíkové substráty za různých teplot. Následná analýza získaných vzorků byla zaměřena na zjištění tloušťky vrstev (ToF - LEIS) , morfologii (SEM, AFM) a chemické složení vzniklého povrchu (XPS). Vyhodnocení naměřených dat přispívá k popisu a porozumění některým procesům, probíhajícím při depozici zlata a po následném vystavení již hotového vzorku vzorku vysokým teplotám. Dosažené výsledky zároveň poskytují východisko dalším experimentům a potenciálním aplikacím.
|
|
|
Tvorba nanostruktur pomocí fokusovaného iontového svazku
Bartoš, Radko ; Tomanec, Ondřej (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářské práce se zabývá problematikou obrábění iontovým svazkem. Jsou představeny přístroje, které se pro tuto metodu používají, a možnosti různých druhů nastavení počátečních podmínek, které mají za následek odlišný výsledný tvar nanostruktur. V práci je popsána metodika tvorby a měření vytvořených nanostruktur. Ze získaných výsledků jsou odvozena vhodná nastavení iontového svazku tak, aby získané nanostruktury měly požadovaný tvar.
|
host ::
RSS.