Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 1 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7
Šťastný, Jakub ; Horák, Michal (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá studiem růstu 2D GaN nanokrystalů na substrát Si(111) 7x7. V teoretické části této práce jsou popsány vlastnosti 3D a 2D GaN, hlavní metody přípravy GaN i 2D GaN a využití GaN v průmyslu. Experimentální část se zabývá podrobným popisem metody nízkoteplotní kapkové epitaxe za asistence iontů, která byla využita pro provedení série depozic 2D GaN pod různými úhly dopadu iontového svazku na substrát Si(111) 7x7. Depozice byla provedena v komplexním UHV systému v laboratořích ÚFI VUT v Brně. Vytvořené nanokrystaly 2D GaN byly analyzovány pomocí SEM a AFM.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.