|
|
Correlative tomography
Vařeka, Karel ; Touš,, Jan (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
The presented master’s thesis deals with a correlative approach towards multiscale and multimodal analysis of through-silicon-via structures. The research is part of an international project concerning a failure characterization of said structures and implemented semiconductor devices. Correlative microscopy and tomography techniques of NanoXCT, FIB-SEM (EDS), FIB-SIMS, and AFM were proposed to establish a workflow of measurements. Focused ion beam tomography is a method of precise serial sectioning and obtaining valuable high-resolution images (FIB-SEM) or chemical composition maps (FIB-SIMS) at each cross-section. The following image registration shows the possibility of identifying defects as a function of structure depth. Additionally, the thesis outlines methods of image fusion of high-resolution and spectral images to most appropriately demonstrate the obtained data.
|
|
|
Effect of implantation of C, Si and Cu into ZrNb nanometric multilayers
Daghbouj, N. ; Karlík, M. ; Lorinčík, J. ; Polcar, T. ; Callisti, M. ; Havránek, Vladimír
Sputter-deposited Zr/Nb nanometric multilayer films with a periodicity (L) in the range from 6 to 167 nm were subjected to carbon, silicon and copper ion irradiation with low and high fluences at room temperature. The ion profiles, mechanical proprieties, and disordering behavior have been investigated by using a variety of experimental techniques (Secondary Ion Mass Spectrometry - SIMS, nanoindentation, X-ray diffraction - XRD, and scanning transmission electron microscopy - STEM). On the STEM bright field micrographs there is damage clearly visible on the surface side of the multilayer. Deeper, the most damaged and disordered zone, located close to the maximum ion concentration, was observed. The in-depth C and Si concentration profiles obtained from SIMS were not affected by the periodicity of the nanolayers. This is in accordance with SRIM simulations. XRD and electron diffraction analyses suggest a structural evolution in relation to L. After irradiation, Zr (0002) and Nb (110) reflexions overlap for L=6 nm. For the periodicity L > 6 nm the Zr (0002) peak is shifted to higher angles and Nb (110) peak is shifted to lower angles.
|
|
|
Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS
Mičulka, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS.
|
|
|
Kvantitativní analýza matricových prvků metodami SIMS a LEIS
Staněk, Jan ; Šik, Ondřej (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá porovnáváním a propojením dvou spektrometrických metod – spektrometrie rozptylu nízkoenergiových iontů (LEIS) a hmotnostní spektrometrie sekundárních iontů (SIMS). Metoda SIMS totiž, přes mnoho pozitivních vlastností, nedokáže potlačit tzv. matricový efekt, který činí kvantifikaci dat velice obtížnou. Vůči tomuto efektu je naopak imunní metoda LEIS, proto je vhodným doplněním metody SIMS. Jako vyhovující vzorek k porovnání byly vybrány vzorky AlGaN o různých koncentracích galia a hliníku. V první části práce je představena fyzikální podstata obou metod, experimentální sestavy a zkoumané vzorky. Ve vlastní části práce jsou pak popsána jednotlivá měření, porovnány data získaná výše zmíněnými metodami.
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
|
|
Příprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMS
Karlovský, Juraj ; Pechal, Radim (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Táto práca sa zaoberá možnosťami štúdia polovodičových súčastok pomocou metódy SIMS s dôrazom na testovanie rôznych parametrov merania a rôznych spôsobov prípravy vzoriek. V rámci tejto práce bol navrhnutý a otestovaný držiak vzorky kompatibilný s používaným zariadením ToF-SIMS$^{5}$ od spoločnosti IONTOF, ktorý je schopný nakláňať vzorky o definovaný uhol voči vodorovnej rovine. Tento držiak umožňuje opracovávanie vzoriek v hlavnej komore zariadenia ToF-SIMS$^5$ bez nutnosti presunu vzorky medzi zariadeniami a držiakmi. Tento držiak bol použitý opracovaniu hrany vzorky TIGBT tranzistora a zobrazeniu hrany krátera predchádzajúceho merania. Na TIGBT tranzistoroch boli zobrazované vnútorné štruktúry preparované rôznymi spôsobmi. Ďalej boli optimalizované parametre merania tenckých vrstiev na molybdén-kremíkovom multivrstvovom R\"{o}ntgenovom zrkadle a na indiových multivrstvách v GaN, kde bol pozorovaný vplyv teploty vzorky behom merania SIMS na výsledné hĺbkové proifly.
|
|
|
Analýza pokročilých materiálů a struktur metodou SIMS
Holeňák, Radek ; Kalousek, Radek (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá studiem pokročilých materiálů metodou SIMS a možnostem kvantitativní analýzy pomocí dat získaných z měření. Byla provedena chemická analýza povrchu keramiky s cílem optimalizace podmínek měření. Zbytek práce využívá datový výstup z měření pro popsání vnitřní mikrostruktury materiálu. Pomocí sofistikovaných metod jsou lokalizovány a popsány Si precipitáty ve vrstvě AlSi a ověřena formace fáze MgAl2O4 ve vzorcích keramiky. Dosažení všech stanovených cílů odhaluje potenciál metody SIMS a především možnosti ve zpracování datového výstupu z měření.
|
|
|
Elemental and isotopic study of differentiated meteorites and implications for the origin and evolution of their parent bodies
Halodová, Patricie ; Košler, Jan (vedoucí práce) ; Řanda, Zdeněk (oponent) ; Kanický, Viktor (oponent)
PRVKOVÉ A IZOTOPICKÉ STUDIUM DIFERENCOVANÝCH METEORITŮ A JEHO VÝZNAM PRO PŮVOD A VÝVOJ JEJICH MATEŘSKÝCH TĚLES Železné meteority patří do skupiny diferencovaných meteoritů a jsou tvořeny převážně Fe-Ni slitinami. Ve většině železných meteoritů můžeme na řezu pozorovat strukturu tzv. Widmanstättenových obrazců - dvoufázové prorostlice kamacitu (α-bcc, ferrit) a taenitu (γ-fcc, austenit), které vznikly odmíšením kamacitu z taenitu během chladnutí mateřských těles železných meteoritů. Vybrané vzorky železných meteoritů - oktaedritů (Canyon Diablo, Toluca, Bohumilitz, Horh Uul, Alt Biela, Nelson County, Gibeon and Joe Wright Mountain) náležící k různým strukturním a chemickým skupinám, byly podrobeny detailnímu studiu. Cílem tohoto studia bylo stanovení rozsahu variability izotopického složení Fe železných meteoritů a nalezení možných vztahů mezi rozdíly v izotopickém složení a termálním vývojem mateřských těles železných meteoritů. Izotopické složení Fe kamacitu a taenitu ve studovaných vzorcích bylo stanoveno pomocí tří nezávislých analytických metod (LA MC ICP-MS, MC ICP-MS z roztoku a SIMS). Byly zjištěny značné rozdíly ve složení, s rozpětím ~4.5‰ pro δ56 Fe. Ve všech studovaných meteoritech je taenit izotopicky těžší než kamacit. Nebyla však zjištěna žádná korelace mezi izotopickým složením Fe v...
|
|
|
Noise, Transport and Structural Properties of High Energy Radiation Detectors Based on CdTe
Šik, Ondřej ; Lazar, Josef (oponent) ; Navrátil, Vladislav (oponent) ; Grmela, Lubomír (vedoucí práce)
Because of demands from space research, healthcare and nuclear safety industry, gamma and X-ray imaging and detection is rapidly growing topic of research. CdTe and its alloy CdZnTe are materials that are suitable to detect high energy photons in range from 10 keV to 500 keV. Their 1.46 -1.6 eV band gap gives the possibility of high resistivity (10^10-10^11 cm) crystals production that is high enough for room temperature X-ray detection and imaging. CdTe/CdZnTe detectors under various states of their defectiveness. Investigation of detector grade crystals, crystals with lower resistivity and enhanced polarization, detectors with asymmetry of electrical characteristics and thermally degenerated crystals were subject of my work in terms of analysis of their current stability, additional noise, electric field distribution and structural properties. The results of the noise analysis showed that enhanced concentration of defects resulted into change from monotonous spectrum of 1/f noise to spectrum that showed significant effects of generation-recombination mechanisms. Next important feature of deteriorated quality of investigated samples was higher increase of the noise power spectral density than 2 with increasing applied voltage. Structural and chemical analyses showed diffusion of metal material and trace elements deeper to the crystal bulk. Part of this work is also focused on surface modification by argon ion beam and its effect on chemical and morphological properties of the surface.
|
|
|
SDN řízené pomocí identity uživatelů
Holkovič, Martin ; Ryšavý, Ondřej (oponent) ; Polčák, Libor (vedoucí práce)
Cílem této práce je propojení systému pro správu dynamických identit vyvíjený v rámci projektu Sec6Net s řízením SDN sítě. Pro řízení sítě je použitý kontroler Pyretic, který umožňuje tvorbu aplikací pomocí match-action pravidel. Bylo navrženo rozhraní mezi systémem pro správu dynamických identit a kontrolerem Pyretic, které bylo následně implementováno a integrováno do obou systémů. Byly vytvořeny různe případy užití týkající se bezpečnosti, směrování a účtování pro ověření správnosti konceptu. Tyto případy byly následně implementovány jako aplikace nad kontrolerem Pyretic. Všechny aplikace byly dle možností testovány v~síťové laboratoři. Hlavním přínosem této práce je zjednodušení správy počítačových sítí a zároveň poskytnutí nových možností správcům těchto sítí a v konečném důsledku i jejich uživatelům.
|
host ::
RSS.