Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 8 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Optická spektroskopie magnetických polovodičů využitelných pro spintronické aplikace
Saidl, Vít ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Mics, Zoltán (oponent)
V této práci se zabýváme optickými vlastnostmi nového antiferomagnetického polovodiče - LiMnAs. Tento polovodič na vzduchu velice snadno oxiduje, což významným způsobem komplikuje studium jeho vlastností pomocí optické spektroskopie. Pro odstranění tohoto problému jsme zkonstruovali optickou aparaturu, která nám umožňuje změřit spektra odrazivosti přímo v růstové komoře, kde je tento polovodič pomocí epitaxe z molekulárních svazků (MBE) připravován. Věrohodnost měření pomocí této aparatury byla ověřena měřením spekter odrazivosti známých polovodičů (GaAs a InAs). V závěrečné části této práce jsme provedli první měření odrazivosti LiMnAs přímo v růstové komoře MBE.
Dynamics of delocalized states in molecular systems studied by time-resolved THz spectroscopy
Mics, Zoltán ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Jepsen, Peter Uhd (oponent) ; Kůsová, Kateřina (oponent)
Tato práce je zaměřena na studium vodivosti lokalizovaných nositelů náboje v různých nanokrystalických materiálech. Použitá experimentální metoda -- THz spektroskopie -- umožňuje měření vodivosti nositelů generovaných dotováním nebo optickou excitací. Při interpretaci naměřených dat bereme v úvahu důležité aspekty transportu náboje, související zejména s nehomogenitou vzorků na mikroskopické úrovni a s omezením pohybu nosičů v důsledku lokalizace. Těžiště práce tvoří studium nanokrystalického ZnO a CdS za použití experimentů a simulací v širokém rozsahu hustoty nosičů a teplot. V ZnO byla pozorována současně přítomnost nosičů s velikou pohyblivostí, hustého elektron-děrového plazmatu a excitonů. Ve vzorcích CdS naše studium odhaluje klíčovou roli klastrů nanokrystalů při lokalizaci náboje. Dynamika pohyblivosti elektronů poukazuje na význam kinetické energie elektronů a její relaxace pro transport náboje. Při teplotě 20 K a při nízké hustotě nosičů jsme poprvé pozorovali přechod mezi režimy lokalizovaných a zcela volných nositelů náboje.
Dynamics of delocalized states in molecular systems studied by time-resolved THz spectroscopy
Mics, Zoltán ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Jepsen, Peter Uhd (oponent) ; Kůsová, Kateřina (oponent)
Tato práce je zaměřena na studium vodivosti lokalizovaných nositelů náboje v různých nanokrystalických materiálech. Použitá experimentální metoda -- THz spektroskopie -- umožňuje měření vodivosti nositelů generovaných dotováním nebo optickou excitací. Při interpretaci naměřených dat bereme v úvahu důležité aspekty transportu náboje, související zejména s nehomogenitou vzorků na mikroskopické úrovni a s omezením pohybu nosičů v důsledku lokalizace. Těžiště práce tvoří studium nanokrystalického ZnO a CdS za použití experimentů a simulací v širokém rozsahu hustoty nosičů a teplot. V ZnO byla pozorována současně přítomnost nosičů s velikou pohyblivostí, hustého elektron-děrového plazmatu a excitonů. Ve vzorcích CdS naše studium odhaluje klíčovou roli klastrů nanokrystalů při lokalizaci náboje. Dynamika pohyblivosti elektronů poukazuje na význam kinetické energie elektronů a její relaxace pro transport náboje. Při teplotě 20 K a při nízké hustotě nosičů jsme poprvé pozorovali přechod mezi režimy lokalizovaných a zcela volných nositelů náboje.
Optická spektroskopie magnetických polovodičů využitelných pro spintronické aplikace
Saidl, Vít ; Němec, Petr (vedoucí práce) ; Mics, Zoltán (oponent)
V této práci se zabýváme optickými vlastnostmi nového antiferomagnetického polovodiče - LiMnAs. Tento polovodič na vzduchu velice snadno oxiduje, což významným způsobem komplikuje studium jeho vlastností pomocí optické spektroskopie. Pro odstranění tohoto problému jsme zkonstruovali optickou aparaturu, která nám umožňuje změřit spektra odrazivosti přímo v růstové komoře, kde je tento polovodič pomocí epitaxe z molekulárních svazků (MBE) připravován. Věrohodnost měření pomocí této aparatury byla ověřena měřením spekter odrazivosti známých polovodičů (GaAs a InAs). V závěrečné části této práce jsme provedli první měření odrazivosti LiMnAs přímo v růstové komoře MBE.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.