Hlavní stránka > Výsledky hledání: Hendrych, Erik
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 2 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Terahertzová vodivost nositelů náboje v polovodičích
 Hendrych, Erik ; Kužel, Petr (vedoucí práce) ; Nádvorník, Lukáš (oponent)
V této práci zkoumáme spektra vodivosti vzorků slabě dotovaného galium arsenidu v terahertzové oblasti v závislosti na teplotě. Jedná se o křemíkem dotovaný Galium arsenid typu N a zinkem dotovaný galium arsenid typu P. Teplotní závislost v terahert- zové oblasti pro tyto materiály nebyla dosud v literatuře popsána. Pozorujeme maxima vodivosti, která odpovídají energiím příměsových hladin v zakázeném pásu. Ke zpraco- vání dat využíváme Drude-Lorentzův model. Dosáhli jsme dobrého fitu naměřených dat. Koncentrace nositelů při pokojové teplotě odpovídá nominální hodnotě. Relaxační čas a vysokofrekvenční permitivita odpovídají tabelovaným hodnotám. Frekvence oscilátoru pro N typ přibližně odpovídá energii příměsové hladiny. Pro P typ je tato hodnota mimo měřený rozsah a vidíme pouze stoupání k tomuto maximu. 1
Úplný záznam
Terahertzové záření v nanostrukturách
 Hendrych, Erik ; Ostatnický, Tomáš (vedoucí práce) ; Kozák, Martin (oponent)
Zkoumáme vodivost nanostruktur v terahertzové oblasti. Nanostrukturu modelujeme jako pravoúhlou potenciálovou jámu konečné hloubky s bariérou uvnitř. Zjišťujeme, jak závisí vodivost na teplotě, materiálových konstantách a rozměrech potenciálové jámy. Vodivost materiálu souvisí přes komplexní index lomu s jeho optickými vlastnostmi (odrazivost, propustnost a koeficient útlumu). Vyneseme-li si závislost vodivosti materiálu na frekvenci elektrického pole, maxima této závislosti odpovídají spektrálním čárám. Zkoumali jsme závislost frekvencí těchto maxim (resp. spektrálních čar) na různých parametrech. Nejzajímavější byl případ, kdy jsme spojitě měnili polohu bariéry uvnitř potenciálové jámy. Došli jsme ke kvalitativně zcela odlišným výsledkům pro různé výšky bariéry. S vysokou bariérou se systém chová jako dvě oddělené potenciálové jámy a můžeme pozorovat monotónní závislosti polohy maxim (spektrálních čar) na poloze bariéry. S nízkou bariérou pozorujeme oscilující závislosti. Pro galium arsenid a šířku bariéry 2 nm se bariéra vyšší než 1 eV chová jako vysoká a bariéra nižší než 0.05 eV se chová jako nízká.
Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English