|
|
Characterization of VTR-7000 deposition furnace
Petrová, Lenka ; Ulrych, Jan (referee) ; Semiconductor, Vlastimil Hanáček, ON (advisor)
Tato práce je zaměřena na problém nastavení CVD pece pro produkci ve výrobním závodu. Problém je, že přesná zařízení jako depoziční pece musíbýt pro produkci nastaveny až na místě, kde budou provozovány. Toho je možno docílit pomocí statistických nástrojů jako například DOE (design of experiment). Vstupní hodnoty procesu ovlivňují výstupy. Úkolem DOE je definovat, jakým způsobem. Z předchozího DOE provedeného v závodě COM1 vyplývají některá nastavení proměnných. Jiné proměnné musí být nastaveny dle předchozích zkušeností. Úkolem práce je seznámit čtenáře se základy depozice z plynné fáze a konceptem DOE. Následně je navržen vlastní experiment. Tento je vyhodnocen a výstupem práce je pak ideální nastavení reaktoru. Čtenáři bude též nepřímo představen proces DMAIC, který byl použit při samotném experimentu a vyhodnocování v ON Semiconductor, Rožnov pod Radhoštěm, CZ4 WFAB.
|
|
|
Thin Films of Polycrystalline Silicon
Lysáček, David ; Schmidt, Eduard (referee) ; Fejfar, Antonín (referee) ; Spousta, Jiří (advisor)
The doctoral thesis deals with the structure and properties of the polycrystalline silicon layers deposited on the silicon wafers backside. The wafers are further used for production of semiconductor devices. This work is focused on detailed description of the layers structure and study of the gettering properties and residual stress of the layers. The main goal of this work is to develop two novel technologies. The first one leads to improvement of the temperature stability of the gettering properties of the layers, and the second one solves the deposition of the layers with pre-determined residual stress. This doctoral thesis was created with the support of the company ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
|
|
|
Characterization of VTR-7000 deposition furnace
Petrová, Lenka ; Ulrych, Jan (referee) ; Semiconductor, Vlastimil Hanáček, ON (advisor)
Tato práce je zaměřena na problém nastavení CVD pece pro produkci ve výrobním závodu. Problém je, že přesná zařízení jako depoziční pece musíbýt pro produkci nastaveny až na místě, kde budou provozovány. Toho je možno docílit pomocí statistických nástrojů jako například DOE (design of experiment). Vstupní hodnoty procesu ovlivňují výstupy. Úkolem DOE je definovat, jakým způsobem. Z předchozího DOE provedeného v závodě COM1 vyplývají některá nastavení proměnných. Jiné proměnné musí být nastaveny dle předchozích zkušeností. Úkolem práce je seznámit čtenáře se základy depozice z plynné fáze a konceptem DOE. Následně je navržen vlastní experiment. Tento je vyhodnocen a výstupem práce je pak ideální nastavení reaktoru. Čtenáři bude též nepřímo představen proces DMAIC, který byl použit při samotném experimentu a vyhodnocování v ON Semiconductor, Rožnov pod Radhoštěm, CZ4 WFAB.
|
|
| |
|
|
Annealing of thin film polycrystalline silicon solar cells in water vapour
Pikna, Peter ; Fejfar, Antonín
Samples of thin film polycrystalline silicon solar cells prepared by the Company CSG Solar AG were treated in water vapour. Appearance of treated solar cells was very similar to samples etched in a solution of acids, which is commonly used to approach the bottom part of pn junction. No significant improvement of measured open-circuit voltage Voc was observed, but the etching effect of water vapour can determine the upper limit of temperature, pressure and treatment time for water vapour passivation. Novel approach for preparation of a depth profile to approach the bottom part of pn junction is proposed.
|
guest ::
