|
|
Interaction of low-energy electrons with graphene field effect transistors
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
This diploma thesis is focused on fabrication of graphene field-effect transistors, characterisation of their transport properties and investigation of low-energy electron beam influence on the devices' properties under UHV conditions. The theoretical part of this work describes graphene fabrication methods, options of graphene transfer onto the substrates for graphene field-effect transistor manufacture. Furthermore, model of graphene doping via electrostatic interaction or photon, resp. electron beam exposition is explained. The experimental part of this work consist of manufacture of the graphene field-effect transistor in order to examine the change of its transport properties induced by doping of the graphene via low-energy electron beam exposition.
|
|
|
Graphene doping by low-energy electrons
Stará, Veronika ; Kunc, Jan (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
Tato diplomová práce se zabývá dotováním grafenu nízkoenergiovými elektrony. Na křemíkový substrát pokrytý vrstvou SiO2 jsou pomocí litograficky vyrobené masky nadeponované kovové kontakty z titanu a zlata. Grafen vyrobený pomocí metody depozice z plynné fáze je přenesen na substrát a slouží jako vodivé spojení kovových elektrod, které vytvářejí kolektor a emitor. Na křemík je ze spodu přivedeno napětí, které tak vytváří spodní hradlo. Takto vytvořený grafenový tranzistor je ozařován nízkoenergiovými elektrony, které mění dotování grafenu. Z polohy maxima v závislosti odporu grafenu na hradlovém napětí lze vyčíst typ dotování. Toto maximum udává napětí, při kterém Fermiho meze grafenu prochází Diracovým bodem v pásové struktuře grafenu. Velikost hradlového napětí, primární energie elektronového svazku a proud svazku jsou tři parametry, které mají velký vliv na změny dotování. Při ozařování transistoru dochází ke změně typu dotování právě tehdy, když odpor grafenu v závislosti na hradlovém napětí dosáhne maxima. Vývoj této změny je zkoumán pro různé energie a proudy primárního svazku v závislosti na hradlovém napětí i v čase. Typ dotování je také prozkoumán při zastavení ozařování v různých fázích smyčky hradlového napětí. Dopování grafenu nízkoenergiovými elektrony je popsáno v teoretickém modelu.
|
|
|
Interaction of low-energy electrons with graphene field effect transistors
Vysocký, Filip ; Kunc, Jan (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
This diploma thesis is focused on fabrication of graphene field-effect transistors, characterisation of their transport properties and investigation of low-energy electron beam influence on the devices' properties under UHV conditions. The theoretical part of this work describes graphene fabrication methods, options of graphene transfer onto the substrates for graphene field-effect transistor manufacture. Furthermore, model of graphene doping via electrostatic interaction or photon, resp. electron beam exposition is explained. The experimental part of this work consist of manufacture of the graphene field-effect transistor in order to examine the change of its transport properties induced by doping of the graphene via low-energy electron beam exposition.
|
|
|
Graphene doping by low-energy electrons
Stará, Veronika ; Kunc, Jan (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
Tato diplomová práce se zabývá dotováním grafenu nízkoenergiovými elektrony. Na křemíkový substrát pokrytý vrstvou SiO2 jsou pomocí litograficky vyrobené masky nadeponované kovové kontakty z titanu a zlata. Grafen vyrobený pomocí metody depozice z plynné fáze je přenesen na substrát a slouží jako vodivé spojení kovových elektrod, které vytvářejí kolektor a emitor. Na křemík je ze spodu přivedeno napětí, které tak vytváří spodní hradlo. Takto vytvořený grafenový tranzistor je ozařován nízkoenergiovými elektrony, které mění dotování grafenu. Z polohy maxima v závislosti odporu grafenu na hradlovém napětí lze vyčíst typ dotování. Toto maximum udává napětí, při kterém Fermiho meze grafenu prochází Diracovým bodem v pásové struktuře grafenu. Velikost hradlového napětí, primární energie elektronového svazku a proud svazku jsou tři parametry, které mají velký vliv na změny dotování. Při ozařování transistoru dochází ke změně typu dotování právě tehdy, když odpor grafenu v závislosti na hradlovém napětí dosáhne maxima. Vývoj této změny je zkoumán pro různé energie a proudy primárního svazku v závislosti na hradlovém napětí i v čase. Typ dotování je také prozkoumán při zastavení ozařování v různých fázích smyčky hradlového napětí. Dopování grafenu nízkoenergiovými elektrony je popsáno v teoretickém modelu.
|
guest ::
