|
|
High Efficiency n-type Monocrystalline Silicon Solar Cells
Mojrová, Barbora ; Kolařík, Vladimír (referee) ; Poruba,, Aleš (referee) ; Boušek, Jaroslav (advisor)
Tato dizertační práce je zaměřena vývoj a ověřování nových postupů přispívajících ke zvýšení účinnosti bifaciálních solárních článků založených na monokrystalickém křemíku n-typové vodivosti. Tato práce přináší nové poznatky o vylepšených výrobních procesech a postupech použitých během výroby článků v ISC Konstanz. V rámci práce byly vyrobeny solární články typu n-PERT (Passivated Emitter Rear Totally diffused) s vysokou účinností, a to pomocí standartních procesů a zařízení používaných běžně při průmyslové výrobě. Zapojení těchto průmyslových postupů a metod umožnilo ověřit možnosti výroby n-typových článků za použití téměř totožného vybavení, jaké je potřeba pro výrobu p-typových článků. Zvýšení účinnosti bylo založeno především na vylepšení jednotlivých procesních kroků. Experimenty popsané v této práci dosvědčují zlepšení procesu difúze bóru, přizpůsobení parametrů pasivační a antireflexní vrstvy nově navrženému emitoru, zlepšení procesu metalizace ve smyslu využití past neobsahujících hliník, testování tisku rozličných motivů spolu s různými sekvencemi výpalu. V rámci práce byla testována možnost zamezení jevu potenciální indukované degradace (Potential Induced Degradation – PID) pomocí vhodného složení ARC a pasivační vrstvy. Vyrobené n-typové solární články dosáhly maximální hodnoty účinnosti 20,9 %.
|
|
|
Potential Induced Degradation Effect On N-Type Solar Cells With Boron Emitter
Mojrová, Barbora
This study is focusing on Potential Induced Degradation (PID) effect on n-type solar cells with boron emitter. We designed and fabricated single cell modules using n-PERT cells with textured and flat front side, and with various passivation structures on the front side to prevent PID at the cell level. The modules were characterized before and after PID testing by electroluminescence (EL), IV measurements, reflection and Internal Quantum Efficiency (IQE). Measurements were done on both sides of module to obtain whether the degradation was going on the front side, rear side or both. Comparison of IQE of front vs rear side shows, that intensity of degradation is fully influenced by properties of the front side of antireflection and passivation (ARC) layer.
|
|
|
High Efficiency n-type Monocrystalline Silicon Solar Cells
Mojrová, Barbora ; Kolařík, Vladimír (referee) ; Poruba,, Aleš (referee) ; Boušek, Jaroslav (advisor)
Tato dizertační práce je zaměřena vývoj a ověřování nových postupů přispívajících ke zvýšení účinnosti bifaciálních solárních článků založených na monokrystalickém křemíku n-typové vodivosti. Tato práce přináší nové poznatky o vylepšených výrobních procesech a postupech použitých během výroby článků v ISC Konstanz. V rámci práce byly vyrobeny solární články typu n-PERT (Passivated Emitter Rear Totally diffused) s vysokou účinností, a to pomocí standartních procesů a zařízení používaných běžně při průmyslové výrobě. Zapojení těchto průmyslových postupů a metod umožnilo ověřit možnosti výroby n-typových článků za použití téměř totožného vybavení, jaké je potřeba pro výrobu p-typových článků. Zvýšení účinnosti bylo založeno především na vylepšení jednotlivých procesních kroků. Experimenty popsané v této práci dosvědčují zlepšení procesu difúze bóru, přizpůsobení parametrů pasivační a antireflexní vrstvy nově navrženému emitoru, zlepšení procesu metalizace ve smyslu využití past neobsahujících hliník, testování tisku rozličných motivů spolu s různými sekvencemi výpalu. V rámci práce byla testována možnost zamezení jevu potenciální indukované degradace (Potential Induced Degradation – PID) pomocí vhodného složení ARC a pasivační vrstvy. Vyrobené n-typové solární články dosáhly maximální hodnoty účinnosti 20,9 %.
|
guest ::
