Home > Search Results: keywords:"Vapour-Liquid-Solid growth"
Search:
Search Tips :: Advanced Search
Search collections:
Sort by: Display results: Output format:
National Repository of Grey Literature 4 records found  Search took 0.01 seconds. 
Preparation of InAs nanowires by MBE
 Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (referee) ; Musálek, Tomáš (advisor)
The bachelor’s thesis deals with growth of InAs nanowires grown on silicon substrate by molecular beam epitaxy. The emphasis is mainly layed on fabrication of nanowires grown via Vapour-Liquid-Solid mechanism using gold catalytic nanoparticles. There is a brief description of two most common mechanisms of nanowire growth in the first part of the thesis. The text also discusses crystal structure of InAs and doping options of InAs nanowires. The experimental part is aimed at deposition and the impact of different growth conditions on both growth mechanism and nanowire morphology.
Detailed record
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
 Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou nanostruktur z indium arsenidu (InAs) pomocí metody molekulární svazkové epitaxe (MBE). Důraz je kladen na výrobu struktur ve formě nanodrátů na křemíkovém substrátu. V úvodní části práce je popsána motivace pro studium III-V polovodičů a konkrétně InAs. Následující kapitoly vysvětlují dva základní princpy tvorby nanodrátů. Experimentální část práce diskutuje možnost přípravy indiového katalyzátoru pro samokatalyzovaný růst InAs nanodrátů v konkrétní aparatuře MBE. Následuje prezentace výsledků růstu InAs nanodrátů mechanismem selektivní epitaxe (SAE). Nanodráty byly vyrobeny na substrátu s termálně dekomponovaným oxidem a rovněž na substrátech s litograficky připravenou oxidovou maskou.
Detailed record
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
 Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (referee) ; Kolíbal, Miroslav (advisor)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou nanostruktur z indium arsenidu (InAs) pomocí metody molekulární svazkové epitaxe (MBE). Důraz je kladen na výrobu struktur ve formě nanodrátů na křemíkovém substrátu. V úvodní části práce je popsána motivace pro studium III-V polovodičů a konkrétně InAs. Následující kapitoly vysvětlují dva základní princpy tvorby nanodrátů. Experimentální část práce diskutuje možnost přípravy indiového katalyzátoru pro samokatalyzovaný růst InAs nanodrátů v konkrétní aparatuře MBE. Následuje prezentace výsledků růstu InAs nanodrátů mechanismem selektivní epitaxe (SAE). Nanodráty byly vyrobeny na substrátu s termálně dekomponovaným oxidem a rovněž na substrátech s litograficky připravenou oxidovou maskou.
Detailed record
Preparation of InAs nanowires by MBE
 Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (referee) ; Musálek, Tomáš (advisor)
The bachelor’s thesis deals with growth of InAs nanowires grown on silicon substrate by molecular beam epitaxy. The emphasis is mainly layed on fabrication of nanowires grown via Vapour-Liquid-Solid mechanism using gold catalytic nanoparticles. There is a brief description of two most common mechanisms of nanowire growth in the first part of the thesis. The text also discusses crystal structure of InAs and doping options of InAs nanowires. The experimental part is aimed at deposition and the impact of different growth conditions on both growth mechanism and nanowire morphology.
Detailed record

Interested in being notified about new results for this query?
Subscribe to the RSS feed.
Digital Repository :: Search :: Submit :: Personalize :: Help
Powered by Invenio v1.1.2
Maintained by admin.invenio@techlib.cz
This site is also available in the following languages:
Česky  English