|
|
Power amplifier for 2 metres radio amateur transmitter
Klapil, Filip ; Vařacha, František (referee) ; Prokeš, Aleš (advisor)
This work deal with development a solution of a power amplifier for 2 metres radio amateur transmitter with a minimum output of 1 kW. Part of the solution is to use a commercial module of power amplifier. In addition, the design of the input attenuator, the switching elements in the signal path, the output filter and the protection circuits including cooling. The bachelor thesis contains a proposal of a system solution with a discussion of required performance and legislative requirements. This is followed by a hardware section, where the work is devoted to the design of the hardware, the theoretical calculation of the components and the simulation. In the last part of the work deals with practical implementation, verification of function and measurement of achieved parameters and their evaluation.
|
|
|
SPICE model of LDMOS structure
Loginov, Dmitrii ; Biolek, Dalibor (referee) ; Hejátková, Edita (advisor)
V této bakalářské práci je provedeno porovnání struktury LDMOS oproti konvenční MOS struktuře. Anomální efekty, výzvy, které tato struktura přináší do oblasti modelování a charakterizace jsou popsány v první kapitole. Další část této práce se zaměřuje na existující možné přístupy v charakterizaci LDMOS struktury, které se používají v polovodičovém průmyslu. V druhé kapitole je také popsána BSIM metodologie, která je dále použitá pro vytváření modelu LDMOS popisujícího DC a CV chování. Kroky charakterizace, která probíhala v laboratoři ON Semiconductor, jakožto měření součástky a ladění charakteristik modelu až do výsledného souboru parametrů BSIM4, jsou uvedeny v posledních kapitolách této práce.
|
|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (referee) ; Hégr, Ondřej (advisor)
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností LDMOS tranzistorů. V první části práce jsou rozebrány vlastnosti LDMOS tranzistorů, jejich základní parametry a techniky pro vylepšení parametrů těchto tranzistorů. V další části je rozebrána spolehlivost LDMOS tranzistorů, tato část popisuje bezpečnou pracovní oblast (SOA), injekci horkých nosičů (HCI) a negativní teplotní stabilitu (NBTI). Poslední teoretická část popisuje používané modely pro simulaci ESD událostí. Praktická část práce je zaměřena na simulaci základních parametrů PLDMOS a NLDMOS tranzistorů, porovnání simulovaných a změřených koncentračních profilů. Dále se práce zabývá simulacemi změny geometrických parametrů PLDMOS tranzistoru a vliv těchto změn na elektrické parametry. Poslední část práce tvoří TLP simulace, které zkoumají elektrické vlastnosti PLDMOS tranzistoru při použití jako ESD ochrana.
|
|
|
SPICE model of LDMOS structure
Loginov, Dmitrii ; Biolek, Dalibor (referee) ; Hejátková, Edita (advisor)
V této bakalářské práci je provedeno porovnání struktury LDMOS oproti konvenční MOS struktuře. Anomální efekty, výzvy, které tato struktura přináší do oblasti modelování a charakterizace jsou popsány v první kapitole. Další část této práce se zaměřuje na existující možné přístupy v charakterizaci LDMOS struktury, které se používají v polovodičovém průmyslu. V druhé kapitole je také popsána BSIM metodologie, která je dále použitá pro vytváření modelu LDMOS popisujícího DC a CV chování. Kroky charakterizace, která probíhala v laboratoři ON Semiconductor, jakožto měření součástky a ladění charakteristik modelu až do výsledného souboru parametrů BSIM4, jsou uvedeny v posledních kapitolách této práce.
|
|
|
Power amplifier for 2 metres radio amateur transmitter
Klapil, Filip ; Vařacha, František (referee) ; Prokeš, Aleš (advisor)
This work deal with development a solution of a power amplifier for 2 metres radio amateur transmitter with a minimum output of 1 kW. Part of the solution is to use a commercial module of power amplifier. In addition, the design of the input attenuator, the switching elements in the signal path, the output filter and the protection circuits including cooling. The bachelor thesis contains a proposal of a system solution with a discussion of required performance and legislative requirements. This is followed by a hardware section, where the work is devoted to the design of the hardware, the theoretical calculation of the components and the simulation. In the last part of the work deals with practical implementation, verification of function and measurement of achieved parameters and their evaluation.
|
|
|
High-Voltage Devices in Smart Power Technology
Šeliga, Ladislav ; Boušek, Jaroslav (referee) ; Hégr, Ondřej (advisor)
Tato práce se zabývá popisem základních vlastností LDMOS tranzistorů. V první části práce jsou rozebrány vlastnosti LDMOS tranzistorů, jejich základní parametry a techniky pro vylepšení parametrů těchto tranzistorů. V další části je rozebrána spolehlivost LDMOS tranzistorů, tato část popisuje bezpečnou pracovní oblast (SOA), injekci horkých nosičů (HCI) a negativní teplotní stabilitu (NBTI). Poslední teoretická část popisuje používané modely pro simulaci ESD událostí. Praktická část práce je zaměřena na simulaci základních parametrů PLDMOS a NLDMOS tranzistorů, porovnání simulovaných a změřených koncentračních profilů. Dále se práce zabývá simulacemi změny geometrických parametrů PLDMOS tranzistoru a vliv těchto změn na elektrické parametry. Poslední část práce tvoří TLP simulace, které zkoumají elektrické vlastnosti PLDMOS tranzistoru při použití jako ESD ochrana.
|
guest ::
