|
|
Depth profiling of multilayers by LEIS
Strapko, Tomáš ; Duda, Radek (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Diplomová práce se zabývá vytvořením modelu, který by umožnil lepší interpretaci hloubkových profilů měřených metodou LEIS. Obtížnost interpretace těchto profilů je dána vysokým podílem vícenásobně odražených projektilů v meřených spektrech. Tyto projektily nepřináší užitečnou informaci z dané hloubky. Naproti tomu jednonásobně odražené projektily nesou přesnější informaci o složení a tloušťce vrstev. V této práci vytvořený model se snaží určit příspěvek jednonásobně odražených částic k celkovému tvaru spektra a na základě něj i hloubkový profil vzorku.
|
|
|
Real-time study of reaction waves
Gazdík, Richard ; Pavera, Michal (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Táto bakalárska práca sa zaoberá heterogénnou katalytickou oxidáciou oxidu uhoľnatého, a hlavne reakčnými vlnami vyskytujúcimi sa pri určitých podmienkach, na povrchu platiny. Práca je rozdelená na dve hlavné časti – teoretickú a experimentálnu. Teoretická časť podáva informácie ohľadom rastrovacieho elektrónového mikroskopu, mikroskopu atomárnych síl a detailov reakcie. Pre experimentálnu časť boli vykonané pozorovania tejto reakcie v ultravysoko-vákuovom, ako aj vo vysoko-vákuovom rastrovacom elektrónovom mikroskope, a v oboch prípadoch boli identifikované reakčné vlny. Cieľom bolo tiež skúsiť vykonať korelatívne meranie reakčných vĺn sondou a elektrónovým mikroskopom (CPEM), ktoré, bohužiaľ, z veľa rôznych dôvodov popísaných v poslednej časti práce, nevyšlo.
|
|
|
Semiconductor diagnostics and monitoring of chemical reactions by SIMS method
Janák, Marcel ; Skladaný, Roman (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
Hmotnostná spektrometria sekundárnych iónov s analýzou doby letu (TOF-SIMS) patrí vďaka vysokej citlivosti na prvkové zloženie medzi významné metódy analýzy pevných povrchov. Táto práca demonštruje možnosti TOF-SIMS v troch odlišných oblastiach výskumu. Prvá časť práce sa zaoberá lokalizáciou defektov vysokonapäťových polovodičových súčiastok, ktorá je nevyhnutná k ich ďalšiemu skúmaniu metódou TOF-SIMS. Bola navrhnutá experimentálna zostava s riadiacim softvérom umožňujúca automatizované meranie záverného prúdu v rôznych miestach polovodičový súčiastok. Druhá časť práce sa zaoberá kvantifikáciou koncentrácie Mg dopantov v rôznych hĺbkach vzoriek AlGaN. Kvantifikácia je založená na metóde RSF a umožňuje charakterizáciu AlGaN heteroštruktúr určených na výrobu tranzistorov s vysokou elektrónovou mobilitou (HEMT) alebo na výrobu rôznych optoelektronických zariadení. Sada 12 AlGaN kalibračných vzoriek dopovaných Mg, určených na kvantifikáciu hĺbkových profilov, bola pripravená metódou iónovej implantácie. Posledná časť práce demonštruje možnosti metódy TOF-SIMS vo výskume heterogénnej katalýzy. Hlavným objektom nášho výskumu je dynamika oxidácie CO na oxid uhličitý na polykryštalickom povrchu platiny za tlakov vysokého vákua. V tejto práci prezentujem prvé TOF-SIMS pozorovanie časopriestorových vzorov v reálnom čase, ktoré vznikajú v dôsledku rôzneho pokrytia povrchu Pt reaktantmi. Výsledky TOF-SIMS experimentu boli porovnané s výsledkami podobného experiment v rastrovacom elektrónovom mikroskope (SEM).
|
|
|
Upgrade of the UHV manipulator for SIMS and LEIS methods
Dao, Tomáš ; Polčák, Josef (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This bachelor’s thesis deals with the design and the construction of the manipulator, which operates under ultra high vacuum. In the first section, the original design and realization of the manipulator with six motion axis is introduced. Second section deals with the modifications of the manipulator. Advantages and disadvantages of the design are discussed and a new design of the manipulator, based on the experience from manipulator operation, is projected. Section is mainly focused on the design of the sample rotation using a stepper motor working in the ultra high vacuum. The new Faraday cup was also designed and tested. The last section contains the LEIS structural analysis measurement using the manipulator.
|
|
|
Automatization of TDS data evaluation
Badin, Viktor ; Bábor, Petr (referee) ; Potoček, Michal (advisor)
Tato práce se zabývá automatizací vyhodnocování dat termální desorpční spektroskopie (TDS). Teoretická část pojednává o procesích adsorpce a desorpce atomů a molekul a teplotní závislosti desorpce. Součástí práce je také kvantitativní analýza signálu měřícího přístroje. Hlavním cílem praktické části bylo vytvoření počítačového programu na automatizaci vyhodnocování dat TDS. Popis programu a uživatelská příručka jsou také součástí práce. Proběhlo testování programu na předchozích měření a kinetické parametry desorpce byly zjištěny u několika vzorků.
|
|
|
Preparation of graphene layers by MBE
Čalkovský, Martin ; Bábor, Petr (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
This bachelor's thesis deals with growth of graphene by molecular beam epitaxy (MBE). The theoretical section explains the preperation, properties, and detection methods of the material graphene, and the MBE method of graphene preparation is discussed in detail. In the experimental section, optimization of the sublimation carbon source and its properties are shown. Further experiments dealing with the preparation of graphene on Cu and Ge substrates are also described. The presence of graphene structures is proven by Raman spectroscopy.
|
|
|
Atomic structure of FeRh(001) surface
Ondračka, Václav ; Bábor, Petr (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
Alloy of iron-rhodium, Fe50Rh50, shows a low-temperature metamagnetic phase transition between its antiferromagnetic and ferromagnetic state. A detailed description of this transition using the tools of surface analysis has not yet been done. This bachelor’s thesis focuses on preparation and characterisation of the alloy’s clean surface using X-ray photoemission spectroscopy and low-energy electron diffraction. A flat field correction and a diffraction measurement callibration is done using a sample with known crystal lattice in order to quantify the diffraction results.
|
|
| |
|
|
Tomographical analysis of semiconductor devices by FIB-SIMS
Mičulka, Martin ; Voborný, Stanislav (referee) ; Bábor, Petr (advisor)
This thesis deals with a tomographic analysis of the structure of through-silicon via utilizing TOF-SIMS; a method used in electrotechnical industry. A focused ion beam isused to create a cross section of a semiconductor to reveal its inner structure. Afterwards a newly created surface is analysed by TOF-SIMS to determine its chemical composition. A series of 2D images is created which are used for tomographic reconstruction of the through-silicon via. Moreover, the thesis deals with an optimization of FIB-SIMS method by employing oxygen ion beam for improvement of ionized sputter yield and for artifacts reduction. A measurement of instability of bismuth ion beam is demonstrated as well.
|
|
|
Organic materials for molecular quantum bits
Tuček, Marek ; Bábor, Petr (referee) ; Čechal, Jan (advisor)
In this thesis we briefly outline the properties and utilization of metal phthalocyanines, the procedure of iron phthalocyanine thin film deposition on Si(100), the supplementary post-deposition analysis by XPS and the equipment used to measure X-ray reflectivity. Further we describe the theoretical description of physical background of X-ray diffraction on a crystal, the measurement of X-ray reflectivity and evaluation of acquired data, focusing on determination of the thin film thickness, identification of its crystal structure and lattice parameters. It has been found out that iron phthalocyanine thin films deposited on a substrate at room temperature grow as an alpha-phase in the shape of needles perpendicular to substrate surface, so the film thickness, due to high rougness of the film, can be only estimated with the help of Scherrer equation for long depositions. In the case of shorter depositions (and thus lower roughness) the Kiessig fringes method can be used. By the post-deposition annealing we were not able to induce a phase transition; at required temperatures all the material on the substrate evaporated. By a deposition on a substrate heated to 160°C we acquired considerably rough film with unclear crystalline phase.
|
guest ::
