|
|
Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2
Tomková, Renáta ; Zahradníček, Radim (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o topologických izolátorech, které jsou popisovány pomocí kvantového spinového Hallova jevu, dále o polovodičích, kde je vysvětlena pásová struktura v polovodičích a podrobněji zmíněn unipolární tranzistor MOSFET. V práci jsou zmíněny především 2D materiály a to zejména MoS2. Téma se zaměřuje na jeho strukturu, elektrické vlastnosti, využití a přípravu pomocí mikromechanické exfoliace. V poslední kapitole této práce je popsána jak příprava struktur MoS2, tak jejich analýza. Strukturní vlastnosti tohoto materiálu byly měřeny metodou AFM a Ramanovou spektroskopií. V experimentální části jsou názorné fotografie MoS2 pořízené z optického mikroskopu a prostorové mapy struktury vytvořené metodou AFM.
|
|
|
Organické polovodiče na povrchu tolopogického izolátoru
Hrubá, Daniela ; Průša, Stanislav (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá využitím topologického izolantu Bi2Se3 jako substrátu pro depozici různých typů organických molekul. Příprava substrátu probíhala metodou exfoliace v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Pro depozici molekul pentacenu, kyseliny 4,4'-bifenyl-dikarboxylové (BDA) a tetrakyanoquinodimetanu (TCNQ) byly použity efúzní cely. Kvalita a uspořádání vytvořených vrstev byla následně charakterizována nízkoenergiovou elektronovou mikroskopií (LEEM). V práci jsou diskutovány naměřené výsledky a chování molekul na povrchu krystalu po depozici. Difrakční obrazce byly použity pro vytvoření modelu uspořádání molekul v reálném prostoru.
|
|
|
Optical and magneto-optical properties of thin films of topological insulator Bi2Se3
Jambrich, Jakub ; Veis, Martin (vedoucí práce) ; Hamrle, Jaroslav (oponent)
Významným objektom výskumu v oblasti materiálov sa v posledných dvoch desaťročiach stali topologické izolátory. Ich hlavnou výhodou je, že sa na ich povrchu vytvárajú metalické vodivé stavy, v ktorých sa elektróny dokážu pohybovať, akoby ich efektívna hmotnosť bola takmer nulová. Táto vlasnosť má obrovský potenciál na využitie v novej generácii vysokorýchlostnej elektroniky. V tejto práci sa venujeme skúmaniu optických a magnetooptických vlastností topologického izolátoru Bi2Se3, ktoré sú kľúčové pre jeho ďalšie potenciálne využitie. Pomocou merania absorpcie na Landauových hladinách vo vysokom magnetickom poli určíme tvar disperzie elektrónovej štruktúry, ako aj šírku zakázaného pásu. Následne spektroskopickou elipsometriou v rozsahu viditeľného a blízkeho ultrafialového spektra odmeriame energetickú závislosť komplexnej relatívnej permitivity, ktorá je kľúčová pre popis optických vlastností.
|
|
|
Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2
Tomková, Renáta ; Zahradníček, Radim (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o topologických izolátorech, které jsou popisovány pomocí kvantového spinového Hallova jevu, dále o polovodičích, kde je vysvětlena pásová struktura v polovodičích a podrobněji zmíněn unipolární tranzistor MOSFET. V práci jsou zmíněny především 2D materiály a to zejména MoS2. Téma se zaměřuje na jeho strukturu, elektrické vlastnosti, využití a přípravu pomocí mikromechanické exfoliace. V poslední kapitole této práce je popsána jak příprava struktur MoS2, tak jejich analýza. Strukturní vlastnosti tohoto materiálu byly měřeny metodou AFM a Ramanovou spektroskopií. V experimentální části jsou názorné fotografie MoS2 pořízené z optického mikroskopu a prostorové mapy struktury vytvořené metodou AFM.
|
host ::
RSS.