|
|
Studium lokálně modifikovaných povrchů pro selektivní růst kobaltu
Krajňák, Tomáš ; Bábor, Petr (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
V této práci se pomocí metody rentgenové fotoelektronové spektroskopie určovala chemická analýza křemíkových substrátů s orientací (1 1 1). Byly využity přístroje XPS Kratos Supra a elektronový mikroskop Tescan LYRA3 s iontovým svazkem FIB ve sdílených laboratořích CEITEC (CF Nano). Povrch použitých substrátů byl lokálně modifikován fokusovaným iontovým svazkem gallia. Byly odprašovány čtvercové plochy o nominálních hloubkách od 1 nm do 10 nm. Dále byl studován vliv žíhání na takto modifikované oblasti. Výstupem této práce je určení závislostí intenzit Si 2p a Ga 2p3/2. Byla určena závislost intenzit těchto píků na nominální hloubce odprášených ploch a vliv teploty na tyto plochy. XPS analýza povedená po modifikaci substrátu fokusovaným iontovým svazkem odhalila přítomnost gallia a další složku píku Si 2p. Tato komponenta byla přiřazena amorfnímu křemíku. Veškeré gallium bylo ze vzorku odstraněno při žíhání vzorku na teplotě 700 °C po dobu 120 minut.
|
|
|
Testování a optimalizace iontového zdroje
Glajc, Petr ; Král,, Jaroslav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
V diplomové práci je detailně popsán proces testování iontového zdroje se sedlovým polem doplněný nejdůležitějšími výsledky experimentů. Mezi ně lze zařadit měření příčného profilu proudu iontového svazku a energiového spektra iontů pomocí Faradayovy sondy. Pomocí výsledků těchto měření je ukázáno, že optimalizovaný zdroj pracuje správně a dle očekávání. V závěru práce je popsán vývoj iontově-optického a konstrukčního návrhu fokusační optiky a dále je zobrazena vyrobená sestava optiky nainstalovaná na iontovém zdroji.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
|
Návrh iontového zdroje pro odprašování
Glajc, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem nového typu iontového zdroje. Jejím cílem je navrhnout iontový zdroj se sedlovým polem pro odprašování. Inovací ve vypracovaném návrhu je kombinace klasického válcově symetrického iontového zdroje a žhavené katody vyrobené z wolframu. V první části práce je uvedena rešerše problematiky iontových zdrojů. Druhá část se zabývá elektronově-optickým návrhem zdroje a simulací elektrostatického pole včetně trajektorií elektronů a iontů. Jsou také odhadnuty některé parametry iontového zdroje. V třetí části je detailně popsán konstrukční návrh založený na předchozích simulacích. Součástí práce je kompletní výkresová dokumentace.
|
|
|
Analýza nanostruktur metodou ToF-LEIS
Duda, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Mašek, Karel (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Předložená práce pojednává o využití analytické metody TOF-LEIS v oblasti výzkumu nanostruktur. Touto metodou byl stanoven nový postup pro hloubkové profilování prvkového složení vzorku, který je založen na střídavém měření spolu s metodou DSIMS. Metoda TOF-LEIS je schopna detekovat rozhraní vrstev ještě před jeho rozmixováním odprašujícím svazkem iontů metody DSIMS. Dále byl stanoven postup úpravy výsledných ToF-LEIS spekter tak, abychom obdrželi skutečnou koncentraci prvků ve vzorku eliminací příspěvku mnohoobných kolizí projektilů. Porovnáním TOF LEIS spekter s výsledky měření metody DSIMS byl obdržen poměr výtěžku iontů molybdenu a křemíku. V další části práce jsou ukázány výhody metody TOF-LEIS v kombinaci s metodou XPS během analýzy teplotní stability zlatých nanočástic. Je ukázána komplementárnost obou metod a jejich závěry podloženy snímky elektronového mikroskopu. Závěrečná část je věnována popisu nově sestavené aparatury pro analytickou metodu TOF-SARS a představení jejich možností především ohledně detekce vodíku na grafenu.
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
|
|
Tvorba nanostruktur pomocí fokusovaného iontového svazku
Bartoš, Radko ; Tomanec, Ondřej (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářské práce se zabývá problematikou obrábění iontovým svazkem. Jsou představeny přístroje, které se pro tuto metodu používají, a možnosti různých druhů nastavení počátečních podmínek, které mají za následek odlišný výsledný tvar nanostruktur. V práci je popsána metodika tvorby a měření vytvořených nanostruktur. Ze získaných výsledků jsou odvozena vhodná nastavení iontového svazku tak, aby získané nanostruktury měly požadovaný tvar.
|
|
|
Odprašování prachových zrn a jeho vazba na procesy v kosmickém prostoru.
Vyšinka, Marek ; Šafránková, Jana (vedoucí práce) ; Stöckel, Jan (oponent) ; Wild, Jan (oponent)
Název práce: Odprašování prachových zrn a jeho vazba na procesy v kosmickém prostoru Autor: Marek Vyšinka Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí disertační práce: prof. RNDr. Jana Šafránková, DrSc., Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt: Značná část hmoty v kosmickém prostoru se nachází ve formě pracho- vých zrn, malých kousků hornin o rozměrech řádově stovek nanometrů až stovek mikrometrů. Prach je v tomto prostředí vystaven dopadu energetických částic (elektronů, iontů, UV záření), které jej nabíjejí, ale i rozrušují jeho strukturu. Předložená práce se zabývá interakcí iontů s prachovými zrny, která vede jednak k modifikaci jejich povrchu prostřednictvím implantace iontů, ale i k jejich de- strukci prostřednictvím odprašování. V rámci práce představujeme dva modely interakce iontů s prachovými zrny - první pro určení implantačního profilu iontů a druhý pro určení tvaru odprašovaného zrna ležícího na povrchu většího tělesa. Výsledný tvar odprašovaného zrna následně porovnáváme s experimentem. Dů- ležitým výsledkem této práce jsou změřené odprašovací výtěžky pro kulová zrna z SiO2 při různých povrchových potenciálech zrna, které byly dosaženy současným bombardováním ionty a elektrony. Klíčová slova: ionty, prachová zrna, odprašování, odprašovací výtěžek, implan- tační profil 1
|
|
|
Odprašování prachových zrn a jeho vazba na procesy v kosmickém prostoru.
Vyšinka, Marek ; Šafránková, Jana (vedoucí práce)
Název práce: Odprašování prachových zrn a jeho vazba na procesy v kosmickém prostoru Autor: Marek Vyšinka Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí disertační práce: prof. RNDr. Jana Šafránková, DrSc., Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt: Značná část hmoty v kosmickém prostoru se nachází ve formě pracho- vých zrn, malých kousků hornin o rozměrech řádově stovek nanometrů až stovek mikrometrů. Prach je v tomto prostředí vystaven dopadu energetických částic (elektronů, iontů, UV záření), které jej nabíjejí, ale i rozrušují jeho strukturu. Předložená práce se zabývá interakcí iontů s prachovými zrny, která vede jednak k modifikaci jejich povrchu prostřednictvím implantace iontů, ale i k jejich de- strukci prostřednictvím odprašování. V rámci práce představujeme dva modely interakce iontů s prachovými zrny - první pro určení implantačního profilu iontů a druhý pro určení tvaru odprašovaného zrna ležícího na povrchu většího tělesa. Výsledný tvar odprašovaného zrna následně porovnáváme s experimentem. Dů- ležitým výsledkem této práce jsou změřené odprašovací výtěžky pro kulová zrna z SiO2 při různých povrchových potenciálech zrna, které byly dosaženy současným bombardováním ionty a elektrony. Klíčová slova: ionty, prachová zrna, odprašování, odprašovací výtěžek, implan- tační profil 1
|
|
|
2D a 3D analýza polovodičových struktur metodou SIMS
Vařeka, Karel ; Šamořil, Tomáš (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Chemická analýza polovodičových struktur pomocí metody SIMS je hlavní náplní této bakalářské práce. Umožňuje hloubkové profilování a vytváření 2D či 3D snímků materiálů. Během zkoumání čipu z polovodiče TIGBT dochází k odprašování heterogenní struktury s různou rychlostí odprašování jednotlivých částí. Ukázalo se jako výhodné provést řez tímto vzorkem pomocí fokusovaného iontového svazku tak, aby vznikl profil umožňující provedení tomografického měření. Tato nově vzniklá plocha zaručuje chemickou analýzu profilu polovodičových struktur bez nutnosti odprašování v dynamickém SIMS módu. Rekonstrukcí jednotlivých dvourozměrných snímků lze sestavit 3D obrazec analyzované části vzorku. Byla provedena i příprava a vyjmutí lamely z čipu TIGBT za účelem analýzy detektorem prošlých elektronů.
|
host ::
RSS.