|
|
Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET
Matiaško, Maroš ; Martiš, Jan (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom testovacieho spínaného zdroja na princípe vysokofrekvenčného meniča. Cieľom tejto práce je návrh a konštrukcia experimentálneho meniča, ktorý používa na spínanie tranzistory GaN MOSFET a diódy SiC. Bola použitá topológia jednočinného priepustného meniča s dvoma spínačmi. Pri návrhu je zvolený netradične vysoký spínací kmitočet. Pri konštrukcii bol použitý výkonový transformátor s použitím otvoreného magnetického obvodu. Výstupom tejto práce je funkčný menič, ktorý je určený predovšetkým na výukové a demonštračné účely. Jednotlivé časti meniča sú rozdelené do individuálnych blokov, ktoré je možné ďalej použiť na zostavenie iných typov meničov.
|
|
|
Měnič s tranzistory GaN pro elektrický kompresor
Galia, Jan ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Martiš, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá návrhem a realizací funkčního vzorku výkonového měniče pro elektrický kompresor, který je určen pro hybridní automobily. Navrhovaný měnič bude určen pro E-compressor od společnosti Garrett Advancing Motion. Samotný měnič bude založen na moderní technologii tranzistorů s vysokou elektronovou pohyblivostí, jimiž jsou tranzistory na bázi nitridu gália (GaN). Smyslem práce je ověřit možnost užití tranzistorů GaN v aplikaci E-boosting.
|
|
|
Měnič s tranzistory GaN pro elektrický kompresor
Galia, Jan ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Martiš, Jan (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá návrhem a realizací funkčního vzorku výkonového měniče pro elektrický kompresor, který je určen pro hybridní automobily. Navrhovaný měnič bude určen pro E-compressor od společnosti Garrett Advancing Motion. Samotný měnič bude založen na moderní technologii tranzistorů s vysokou elektronovou pohyblivostí, jimiž jsou tranzistory na bázi nitridu gália (GaN). Smyslem práce je ověřit možnost užití tranzistorů GaN v aplikaci E-boosting.
|
|
|
Experimentální spínaný zdroj s tranzistory GaN MOSFET
Matiaško, Maroš ; Martiš, Jan (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom testovacieho spínaného zdroja na princípe vysokofrekvenčného meniča. Cieľom tejto práce je návrh a konštrukcia experimentálneho meniča, ktorý používa na spínanie tranzistory GaN MOSFET a diódy SiC. Bola použitá topológia jednočinného priepustného meniča s dvoma spínačmi. Pri návrhu je zvolený netradične vysoký spínací kmitočet. Pri konštrukcii bol použitý výkonový transformátor s použitím otvoreného magnetického obvodu. Výstupom tejto práce je funkčný menič, ktorý je určený predovšetkým na výukové a demonštračné účely. Jednotlivé časti meniča sú rozdelené do individuálnych blokov, ktoré je možné ďalej použiť na zostavenie iných typov meničov.
|
host ::
RSS.