keywords:"monocrystalline silicon" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"monocrystalline silicon"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Návrh fotovoltaické elektrárny pro rodinný dům v lokalitě Opavy Pekárek, Marek ; Jandová, Kristýna (oponent) ; Vaněk, Jiří (vedoucí práce) Tato bakalářská práce se zabývá návrhem fotovoltaické elektrárny s bateriovým úložištěm pro rodinný dům. V teoretické části práce je nejprve rozebrán princip fotovoltaického jevu a funkce fotovoltaických článků. Následně se práce zabývá popisem používaných fotovoltaických panelů a celých systémů fotovoltaické elektrárny v dnešní době. Součástí práce jsou informace o legislativních podmínkách a dostupných dotacích týkajících se instalací fotovoltaických elektráren v České republice. V druhé části práce se zabývám návrhem fotovoltaické elektrárny na vybraném objektu rodinného domu s naměřeným zátěžovým profilem roční spotřeby energie. Metodika návrhu systému zahrnuje výpočet potřebného výkonu elektrárny, výběr vhodného umístění panelů, výběr komponent a návrh elektrického zapojení. Součástí práce je ekonomická analýza a výpočet návratnosti investice, kde je přihlíženo na dostupné energetické produkty dodavatelů energií v České republice. Úplný záznam
	Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce) Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm. Úplný záznam
	Detekce a studium krystalových defektů v Si deskách pro elektroniku Páleníček, Michal ; Tichopádek, Petr (oponent) ; Urbánek, Michal (vedoucí práce) Tato diplomová práce se zabývá studiem a vyhodnocováním krystalografických defektů na povrchu křemíkových desek vyrobených Czochralského metodou. Zaměřuje se především na růstové defekty a kyslíkové precipitáty, které hrají významnou roli při vzniku vhodných nukleačních center pro růst vrstevných chyb. Růst vrstevných chyb v blízkosti povrchu křemíkových desek je podpořen jejich oxidací a selektivním leptáním. Takto výrazněné vrstevné chyby se označují jako OISF z anglického Oxidation Induced Stacking Fault. Prostorové rozložení OISF na desce dává zpětnou vazbu k procesu tažení monokrystalu křemíku a kvalitě povrchu desek. Dále je v této práci popis zařízení pro automatickou detekci a analýzu OISF, které bylo vyvinuto pro firmu ON Semiconductor v Rožnově pod Radhoštěm. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English