|
|
Nízkoenergetická excitace v orientovaném grafitu pomocí THz magnetooptické spektroskopie
Dubský, Jan ; Kunc, Jan (oponent) ; Vrba, Radimír (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá modelováním elektronických vlastností krystalu grafitu, které jsou měřitelné za užití spektrometru určeného pro vysokofrekvenční elektronově paramagnetickou rezonanci (anglicky high frequency electron paramagnetic resonance, zkráceně HFEPR) nacházejícího se v laboratořích CEITEC VUT. Jedná se zejména o pásovou strukturu grafitu a jeho Landauovy hladiny. V teoretické části práce jsou popsány stěžejní jevy a souvislosti z kvantové mechaniky a definice významných pojmů z fyziky pevných látek, s jejichž pomocí je možné popsat krystalickou strukturu grafitu a jeho elektronické vlastnosti. Dále je v práci popsán HFEPR spektrometr a jeho funkční princip. V praktické části se nacházejí numerické modely pásové struktury grafitu, modely jeho Landauových hladin a popis přípravy vzorku grafitu pro měření. Na konci praktické části je analýza výsledků měření, konkrétně cyklotronové rezonance a Shubnikových-de Haasových oscilací, díky níž je možné určit fyzikální parametry vzorku, jako např. efektivní hmotnost nosičů náboje a fundamentální frekvenci.
|
|
|
Infrared magneto-spectroscopy of Bi2Te3 topological insulator
Mohelský, Ivan ; Výborný, Karel (oponent) ; Orlita, Milan (vedoucí práce)
The main goal of this thesis is to characterize the electronic band structure of Bi2Te3 topological insulator, a system that is, in an ideal case, insulating in bulk but conducting via metallic surface states. This material has been extensively studied for more than 60 years, however, its bulk band structure is not yet fully understood, especially the characteristics of the band gap are still a matter of discussion. In this thesis, results of a Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T, supplemented by ellipsometry at zero magnetic field, are presented to clarify some of the band gap properties. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches Eg = (175±5) meV at low temperatures, and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either six or twelvefold valley degeneracy.
|
|
|
Cyklotronová rezonance Diracových elektronů v selenidu bismutitém
Hlavička, Ivo ; Dubroka, Adam (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Selenid bismutitý se řadí do skupiny topologických izolátorů---materiálů charakteristických svou pozoruhodnou pásovou strukturou, vyznačující se přítomností Diracovských povrchových stavů s lineární disperzí. V této práci se zabýváme optickou odezvou tohoto materiálu v infračerveném spektru za přítomnosti magnetických polí. V takovém případě probíhá absorpce, jež má charakter cyklotronové rezonance, na volných nosičích náboje. Výsledky experimentů ukazují, že pozorovaná odezva odpovídá spíše modelu hmotných elektronů ve vnitřních stavech nežli modelu nehmotných elektronů na povrchu.
|
|
|
Nízkoenergetická excitace v orientovaném grafitu pomocí THz magnetooptické spektroskopie
Dubský, Jan ; Kunc, Jan (oponent) ; Vrba, Radimír (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá modelováním elektronických vlastností krystalu grafitu, které jsou měřitelné za užití spektrometru určeného pro vysokofrekvenční elektronově paramagnetickou rezonanci (anglicky high frequency electron paramagnetic resonance, zkráceně HFEPR) nacházejícího se v laboratořích CEITEC VUT. Jedná se zejména o pásovou strukturu grafitu a jeho Landauovy hladiny. V teoretické části práce jsou popsány stěžejní jevy a souvislosti z kvantové mechaniky a definice významných pojmů z fyziky pevných látek, s jejichž pomocí je možné popsat krystalickou strukturu grafitu a jeho elektronické vlastnosti. Dále je v práci popsán HFEPR spektrometr a jeho funkční princip. V praktické části se nacházejí numerické modely pásové struktury grafitu, modely jeho Landauových hladin a popis přípravy vzorku grafitu pro měření. Na konci praktické části je analýza výsledků měření, konkrétně cyklotronové rezonance a Shubnikových-de Haasových oscilací, díky níž je možné určit fyzikální parametry vzorku, jako např. efektivní hmotnost nosičů náboje a fundamentální frekvenci.
|
|
|
Infrared magneto-spectroscopy of Bi2Te3 topological insulator
Mohelský, Ivan ; Výborný, Karel (oponent) ; Orlita, Milan (vedoucí práce)
The main goal of this thesis is to characterize the electronic band structure of Bi2Te3 topological insulator, a system that is, in an ideal case, insulating in bulk but conducting via metallic surface states. This material has been extensively studied for more than 60 years, however, its bulk band structure is not yet fully understood, especially the characteristics of the band gap are still a matter of discussion. In this thesis, results of a Landau level spectroscopy in magnetic fields up to 34 T, supplemented by ellipsometry at zero magnetic field, are presented to clarify some of the band gap properties. The observed response is consistent with the picture of a direct-gap semiconductor in which charge carriers closely resemble massive Dirac particles. The fundamental band gap reaches Eg = (175±5) meV at low temperatures, and it is not located on the trigonal axis, thus displaying either six or twelvefold valley degeneracy.
|
|
|
Cyklotronová rezonance Diracových elektronů v selenidu bismutitém
Hlavička, Ivo ; Dubroka, Adam (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Selenid bismutitý se řadí do skupiny topologických izolátorů---materiálů charakteristických svou pozoruhodnou pásovou strukturou, vyznačující se přítomností Diracovských povrchových stavů s lineární disperzí. V této práci se zabýváme optickou odezvou tohoto materiálu v infračerveném spektru za přítomnosti magnetických polí. V takovém případě probíhá absorpce, jež má charakter cyklotronové rezonance, na volných nosičích náboje. Výsledky experimentů ukazují, že pozorovaná odezva odpovídá spíše modelu hmotných elektronů ve vnitřních stavech nežli modelu nehmotných elektronů na povrchu.
|
host ::
RSS.