|
|
Studium fotoluminiscence tenkých vrstev MoS2
Kuba, Jakub ; Kunc,, Jan (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Práce se zabývá studiem tenkých vrstev dichalkogenidů přechodných kovů, především sulfidem molybdeničitým. Vytvořeny byly nanostruktury v dvojdimenzionálních krystalech MoS2 a WSe2, jenž byly následně analyzovány. Sledovány byly především jejich fotoluminiscenční vlastnosti. Součástí práce je rešerše dichalkogenidů přechodných kovů a popis způsobu přípravy vrstev upravenou metodou mikromechanické exfoliace.
|
|
|
Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2
Tomková, Renáta ; Zahradníček, Radim (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o topologických izolátorech, které jsou popisovány pomocí kvantového spinového Hallova jevu, dále o polovodičích, kde je vysvětlena pásová struktura v polovodičích a podrobněji zmíněn unipolární tranzistor MOSFET. V práci jsou zmíněny především 2D materiály a to zejména MoS2. Téma se zaměřuje na jeho strukturu, elektrické vlastnosti, využití a přípravu pomocí mikromechanické exfoliace. V poslední kapitole této práce je popsána jak příprava struktur MoS2, tak jejich analýza. Strukturní vlastnosti tohoto materiálu byly měřeny metodou AFM a Ramanovou spektroskopií. V experimentální části jsou názorné fotografie MoS2 pořízené z optického mikroskopu a prostorové mapy struktury vytvořené metodou AFM.
|
|
|
Rastrovací optická mikroskopie v blízkém poli (SNOM)
Majerová, Irena ; Kvapil, Michal (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Studiu optických vlastností 2D materiál je v poslední době soustředěna pozornost široké vědecké komunity pro své možné aplikace v nanofotonice a plazmonice. Tato bakalářská práce se zabývá detekcí fotoluminiscence (PL) 2D materiálu (MoS2) pomocí rastrovací optické mikroskopie v blízkém poli (SNOM). Tato PL je excitována v dalekém poli pomocí fokusovaného zeleného laseru a v blízkém poli pomocí interference povrchových plazmonových polaritonů (SPP). Monovrstvy vloček MoS2 jsou připravovány pomocí mikromechanické exfoliace na různé funkční substráty (kovové i dielektrické). Charakterizace a kvalita připravených monovrstev MoS2 je kontrolována pomocí Ramanovy optické spektroskopie. Dále jsou v práci srovnávána experimentálně získaná optická spektra PL MoS2 detekována v dalekém poli pomocí konfokální optické mikroskopie a v blízkém poli pomocí SNOM aparatury, kde v blízkém poli je pozorována až trojnásobně silnější intenzita PL tohoto 2D materiálu než v dalekém poli.
|
|
|
Rastrovací optická mikroskopie v blízkém poli (SNOM)
Majerová, Irena ; Kvapil, Michal (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Studiu optických vlastností 2D materiál je v poslední době soustředěna pozornost široké vědecké komunity pro své možné aplikace v nanofotonice a plazmonice. Tato bakalářská práce se zabývá detekcí fotoluminiscence (PL) 2D materiálu (MoS2) pomocí rastrovací optické mikroskopie v blízkém poli (SNOM). Tato PL je excitována v dalekém poli pomocí fokusovaného zeleného laseru a v blízkém poli pomocí interference povrchových plazmonových polaritonů (SPP). Monovrstvy vloček MoS2 jsou připravovány pomocí mikromechanické exfoliace na různé funkční substráty (kovové i dielektrické). Charakterizace a kvalita připravených monovrstev MoS2 je kontrolována pomocí Ramanovy optické spektroskopie. Dále jsou v práci srovnávána experimentálně získaná optická spektra PL MoS2 detekována v dalekém poli pomocí konfokální optické mikroskopie a v blízkém poli pomocí SNOM aparatury, kde v blízkém poli je pozorována až trojnásobně silnější intenzita PL tohoto 2D materiálu než v dalekém poli.
|
|
|
Experimental and Theoretical Comparative Study of Monolayer and Bulk MoS2 under Compression
del Corro, Elena ; Morales-García, A. ; Peňa-Alvarez, M. ; Kavan, Ladislav ; Kalbáč, Martin ; Frank, Otakar
Recently, a new family of 2D materials with exceptional optoelectronic properties has stormed into the scene of nanotechnology, the transition metal dichalcogenides (e.g., MoS2). In contrast with graphene, which is a zero band gap semiconductor, many of the single layered materials from this family show a direct band-gap in the visible range. This band-gap can be tuned by several factors, including the thickness of the sample; the transition from a direct to indirect semiconductor state takes place in MoS2 when increasing the number of layers from 1 towards the bulk. Applying strain/stress has been revealed as another tool for promoting changes in the electronic structure of these materials; however, only a few experimental works exist for MoS2. In this work we present a comparative study of single layered and bulk MoS2 subjected to direct out-of-plane compression, using high pressure anvil cells and monitoring with non-resonant Raman spectroscopy; accompanying the results with theoretical DFT studies. In the case of monolayer MoS2 we observe transitions from direct to indirect band-gap semiconductor and to semimetal, analogous to the transitions observed under hydrostatic pressure, but promoted at more accessible pressure ranges (similar to 25 times lower pressure). For bulk MoS2, both regimes, hydrostatic and uniaxial, lead to the semimetallization at similar pressure values, around 30 GPa. Our calculations reveal different driving forces for the metallization in bulk and monolayer samples.
|
|
|
Studium fotoluminiscence tenkých vrstev MoS2
Kuba, Jakub ; Kunc,, Jan (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Práce se zabývá studiem tenkých vrstev dichalkogenidů přechodných kovů, především sulfidem molybdeničitým. Vytvořeny byly nanostruktury v dvojdimenzionálních krystalech MoS2 a WSe2, jenž byly následně analyzovány. Sledovány byly především jejich fotoluminiscenční vlastnosti. Součástí práce je rešerše dichalkogenidů přechodných kovů a popis způsobu přípravy vrstev upravenou metodou mikromechanické exfoliace.
|
|
|
Příprava a charakterizace tenkých vrstev MoS2
Tomková, Renáta ; Zahradníček, Radim (oponent) ; Bartoš, Miroslav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o topologických izolátorech, které jsou popisovány pomocí kvantového spinového Hallova jevu, dále o polovodičích, kde je vysvětlena pásová struktura v polovodičích a podrobněji zmíněn unipolární tranzistor MOSFET. V práci jsou zmíněny především 2D materiály a to zejména MoS2. Téma se zaměřuje na jeho strukturu, elektrické vlastnosti, využití a přípravu pomocí mikromechanické exfoliace. V poslední kapitole této práce je popsána jak příprava struktur MoS2, tak jejich analýza. Strukturní vlastnosti tohoto materiálu byly měřeny metodou AFM a Ramanovou spektroskopií. V experimentální části jsou názorné fotografie MoS2 pořízené z optického mikroskopu a prostorové mapy struktury vytvořené metodou AFM.
|
host ::
RSS.