|
|
Modelové katalyzátory na bázi oxidu ceru
Aulická, Marie ; Veltruská, Kateřina (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá přípravou tenkých vrstev oxidu ceru na monokrystalu Cu s povrchem (110). Fyzikálně-chemické vlastnosti tohoto systému byly studovány metodami fyziky povrchů (XPS, UPS, ARUPS, LEED, LEEM a STM). První část práce se zabývá studiem interakce monokrystalu Cu(110) s kyslíkem. Byly zjištěny podmínky, za kterých dochází ke vzniku kyslíkových rekonstrukcí O(2x1) a Oc(6x2). Dále byly popsány a diskutovány různé způsoby přípravy vrstev CeOx. Byl vyvinut postup, kterým lze spojitě měnit stechiometrii vrstev oxidu ceru od CeO2 do Ce2O3 změnou koncentrace kyslíkových vakancí. Byl pozorován vznik tzv. spill-overu na měděném substrátu. Bylo zjištěno, že na rozhraní měd'-oxid ceru dochází k přeuspořádání měděnného substrátu a tvorbě fazet Cu(13 13 1), na kterých potom roste vrstva CeOx formou tzv. Carpet-like růstu. Byla studována interakce tohoto systému s platinou. Na závěr byl studován vysokoteplotní růst vrstev CeOx a pozorován vznik roviny (110) oxidu ceru. 1
|
|
|
Elektronické a adsorpční vlastnosti modelových katalyzátorů s obsahem céru
Cabala, Miloš ; Veltruská, Kateřina (vedoucí práce) ; Jiříček, Petr (oponent) ; Polčík, Martin (oponent)
Název práce: Elektronické a adsorpční vlastnosti modelových katalyzátorů s obsahem céru Autor: Miloš Cabala Katedra: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí práce: RNDr. Kateřina Veltruská, CSc., Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt: Disertační práce je věnována studiu modelových katalyzátorů na bázi céru a céroxidu. Postupně se zabývá modelovými systémy CeAg, CeO2/Cu(111), Ni- CeO2/Cu(111) a Ni-Sn-CeO2/Cu(111). Ke studiu interakcí v těchto systémech byly použity metody fotoelektronové spektroskopie a další doplňkové metody rozptylu iontů a difrakce elektronů s nízkou energií. Modelové systémy byly připravovány za přísně definovaných podmínek. Vrstvy CeAg vykazují silnou bimetalickou interakci. V průběhu adsorbčního experimentu byla na CeAg prokázána molekulární adsorpce oxidu uhelnatého, a taktéž se ukazuje, že tyto vrstvy intenzívně reagují s kyslíkem. Z měření v jednotlivých směrech povrchové Brillouinovy zóny se nám podařilo zrekonstruovat pásovou strukturu připravené vrstvy CeO2/Cu(111). Ukázali jsme, že v námi připravené vrstvě Cu slabě interaguje s CeO2. Tato interakce má za následek přesun povrchového náboje z Cu do CeO2. Celkově jsme ve valenčním spektru určili tři hlavní pásy odpovídající hladině 2p kyslíku vázaného v CeO2. Na modelovém systému Ni-CeO2/Cu(111) byla po depozici Ni...
|
|
|
Characterization of highly porous Pd-modified SnO2 sputtered thin films for H2 detection
Chundak, Mykhailo ; Veltruská, Kateřina (vedoucí práce) ; Jiříček, Petr (oponent) ; Šmíd, Břetislav (oponent)
Název práce: Charakterizace vysoce porézních Pd-modifikovaných SnO2 naprášovaných tenkých vrstev pro detekci H2 Autor: Mgr. Mykhailo Chundak Katedra / Ústav: Katedra fyziky povrchů a plazmatu Vedoucí doktorské práce: RNDr. Kateřina Veltruská, CSc., Katedra fyziky povrchů a plazmatu Abstrakt: Doktorská práce je věnována studiu tenkých vrstev oxidu cínu, čistých i dopovaných paladiem, připravených magnetronovým naprašováním s využitím depozice pod úhlem (GLAD). Byl zkoumán vliv depozičních parametrů na změnu morfologie, krystalické struktury a chemického stavu. Vzorky byly charakterizovány různými metodami: rentgenovskou difrakcí (XRD), rentgenovskou fotoelektronovou spektroskopií (XPS), fotoelektronovou spektroskopií s využitím synchrotronního záření (SRPES), řádkovací elektronovou mikroskopií (SEM) a transmisní elektronovou mikroskopií s vysokým rozlišením (HRTEM). Připravené vrstvy vykazovaly vysokou porozitu, kterou je možné řídit depozičními parametry (úhel depozice, tlak plynu a výkon magnetronového výboje). Vysoce porézní vrstvy SnO2 GLAD a Pd-dopované SnO2 GLAD byly deponovány na substrát při pokojové teplotě a při 300 řC. Tyto vrstvy vykazovaly polykrystalickou strukturu s příměsí amorfní části, jejíž podíl byl dán podmínkami přípravy. Pomocí HRTEM byla určena velikost krystalků, pohybovala se od 5...
|
|
|
Fyzikálně-chemické vlastnosti epitaxních vrstev CeOx/Cu(111)
Duchoň, Tomáš ; Veltruská, Kateřina (vedoucí práce) ; Polčík, Martin (oponent)
V průběhu této práce byl napařováním kovového ceru a expozicí kyslíkem studován reverzibilní přechod mezi CeO2/Cu(111) a Ce2O3/Cu(111). K charak- terizaci připravených vrstev bylo použito metod XPS, ISS (a její úhlově rozlišené modifikace), LEED a XPD v kombinaci s počítačovým modelováním pomocí kó- du EDAC. V rámci zkoumaného přechodu byly identifikovány čtyři rekonstrukce - ( √ 7× √ 7)R19.1◦ , ( √ 3× √ 3)R30◦ , 3×3 a 4×4 - pro něž byly navrženy struktur- ní modely. Připravené vrstvy Ce2O3/Cu(111) vykazující rekonstrukci 4 × 4 byly kombinací všech použitých metod identifikovány jako kubická fáze Ce2O3. Stu- dium chemického stavu vrstev pomocí fotoelektronové spektroskopie odhalilo, že redukce vrstev postupuje od povrchu a oxidace probíhá difuzí kyslíku do objemu.
|
|
|
Fyzikálně-chemické vlastnosti epitaxních vrstev CeO2/Cu(110)
Aulická, Marie ; Veltruská, Kateřina (vedoucí práce) ; Nehasil, Václav (oponent)
V rámci této práce byly zkoumány možnosti přípravy tenkých epitaxních vrstev oxidu ceru na povrchu Cu(110). K charakterizaci připravených systémů byly použity metody rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS), úhlově rozlišená fotoelektronová spektroskopie (XPD), elektronová difrakce (LEED), spektroskopie rozptýlených iontů (ISS) a skenovací tunelový mikroskop (STM). Metodou reaktivního napařování ceru v kyslíkové atmosféře byla připravena ostrůvková struktura CeO2 a studoval se vliv teploty na elektronovou strukturu a morfologii. Při teplotě nad 550 ˚C docházelo k částečné redukci na Ce2O3 a přeuspořádání ostrůvků na strukturu CeO2(331). Byla prokázána oxidem ceru stimulovaná oxidace povrchu mědi, neboť byla pozorována čistá rekonstrukce c(6x2) povrchu Cu(110) při expozici kyslíku o 1,5 řádu nižší než na samotné Cu(110). Další modelový systém byl připraven napařováním ceru na povrch Cu(110) předexponovaný kyslíkem. Expozicí kyslíku při 300 ˚C vznikla na povrchu směs rekonstrukcí (2x1) a c(6x2). Na tento povrch byl deponován cer, též při 300 ˚C. Při následném ohřevu na 500 ˚C byl pozorován vznik epitaxní vrstvy Ce2O3(0001), doprovázený vznikem velkých hladkých pásových struktur ve směru [11̄0] dlouhých stovky nm.
|
|
|
Studium vlivu teploty substrátu na strukturu epitaxních vrstev oxidu wolframu
Pavlíková, Romana ; Mašek, Karel (vedoucí práce) ; Veltruská, Kateřina (oponent)
Předmětem práce je zkoumání vlivu teploty substrátu při radiofrekvenční oxidaci monokrystalu wolframu W(110) na strukturu, chemické složení a morfologii vznikajících vrstev. Tyto parametry byly zkoumány pomocí metod RHEED, XPS, AFM a SEM. Oxidace byla provedena za pokojové teploty a dále při teplotách substrátu 400ř C, 500ř C a 550ř C. Vrstvy vznikající za pokojové teploty a při 400ř C byly amorfní, rekrystalizací pak bylo dosaženo epitaxního uspořádání. Za teploty 500ř C vznikla přímo epitaxní vrstva. Po dalším zvýšení teploty na 550ř C vznikla polykrystalická vrstva, která ale téměř postrádala preferenční uspořádání. Veškeré vznikající epitaxní vrstvy oxidu wolframu rostly s krystalografickou rovinou (111) rovnoběžnou s povrchem. Vrstvy rostly s relativně vysokou hrubostí v řádu několika nanometrů.
|
|
| |
|
| |
|
| |
|
|
The study of gas molecule interaction with supported noncontinuous bimetallic films
Píš, Igor ; Nehasil, Václav (vedoucí práce) ; Veltruská, Kateřina (oponent)
V předložené práci jsme deponovali vrstvy vanadu a rhodia o tloušťce zlomku monovrstvy až několika monovrstev na polykrystalickou podložku -Al2O3. Připravené vzorky se lišily v poměru zastoupení obou kovů a v pořadí jejich depozice. Po depozici byly vzorky ohřívány a byla studována jejich interakce s molekulami CO a O2. Po každém experimentálním kroku (depozice, ohřev, adsorpce či desorpce plynů) byly vzorky proměřeny metodou XPS. Ke studiu interakce plynů s povrchem (adsorpce a desorpce ) byly použity metody Molekulárních svazků (MB) a Teplotně stimulované desorpce (TDS). Podobně byl studován i bimetalický systém vanadu deponovaného na polykristalickou fólii Rh a růst vanadu na polykrystalické podložce -Al2O3.
|
host ::
RSS.