|
|
Charge transport optical characterization in semiconductor radiation detectors
Ridzoňová, Katarína ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Toušek, Jiří (oponent)
Merania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného elektrického poľa. V prezentovanej práci boli vyššie spomenutými metódami skúmané n-typové planárne detektory s takmer Ohmickými kontaktmi. Bolo dokázané, že v prípade silne sa absorbujúceho svetla v DC režime osvetlenia neovplyvňuje transportné vlastnosti len povrchová rekombinácia. Musí byť zarátaný aj vplyv priestorového náboja, ktorý vzniká ako dôsledok záchytu nosičov na pascových hladinách. Preto k popisu meraných foto- voltampérových charakteristík boli odvodené nové teoretické modely. Namerané dáta boli fitované novou teóriou, odkiaľ sme získali parametre pohyblivosť a povrchovú rekombináciu.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti monokrystalů ZnO
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Moravec, Pavel (oponent)
Pomocí měření Hallova jevu do nízkých teplot byly studovány elektrické a optické vlastnosti monokrystalů ZnO. Studovali jsme vliv defektů na tyto vlastnosti. Zkoumali jsme donorové a akceptorové hladiny v materiálu a pokusili se objasnit jejich původ. Materiál byl charakterizován pomocí měrného elektrického odporu, koncentrace volných nosičů a jejich pohyblivosti. Žíháním materiálu v parách Zn jsme změnili koncentraci defektů a zvýšili pohyblivost nosičů. Byla zkoumána fotoluminiscence vybuzená nad gapovým zářením, pozorovali jsme "zelenou" fotoluminiscenci a její posun k modrým vlnovým délkam po žíhání krystalu. Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)
|
|
|
Transport and optical properties of CdTe/CdZnTe single crystals
Uxa, Štěpán ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Humlíček, Josef (oponent) ; Drbohlav, Ondřej (oponent)
Název práce: Transportní a optické vlastnosti monokrystalů CdTe/CdZnTe Autor: Štěpán Uxa Katedra: Fyzikální ústav UK Vedoucí disertační práce: doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Fyzikální ústav UK Abstrakt: Práce je zaměřena na studium vnitřního elektrického pole a teplotní závislosti absorpční hrany vzorků CdTe a CdZnTe. V první části práce je studováno elektrické pole rovinných detektorů záření pomocí metody přechodných proudů (TCT). Je předsta- vena ucelená teorie propojující TCT měření s měřeními účinnosti sběru náboje (CCE) studovaného detektoru, vedoucí ve výsledku k vyvinutí dvou nových iteračních metod pro zpracování experimentálních dat. Tyto metody mohou být použity vždy, kdy lze vnitřní elektrické pole v detektoru aproximovat lineárních profilem. V druhé části práce jsou před- stavena vysokoteplotní měření propustnosti tenkých vzorků CdTe, z nichž je vyhodnocena teplotní závislost šířky zakázaného pásu. Je to zároveň poprvé, kdy byla taková měření provedena ve zvýšeném tlaku kadmiových par, což významně snižuje sublimaci vzorků během měření. Klíčová slova: CdTe, metoda přechodných proudů, elektrické pole, absorpční hrana, šířka zakázaného pásu
|
|
|
Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe
Pekárek, Jakub ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Doležal, Zdeněk (oponent)
V předložené práci byl studován vliv různých typů leptání povrchu a pasivace povrchu vysokoodporového polovodiče CdZnTe, za účelem nalezení optimálních podmínek ke zlepšení vlastností kontaktu kov-polovodič. Hlavní snahou bylo snížit hodnotu svodového proudu a tím získat lepší rentgenové a gama spektra, neboli vytvořit detektor fungující za pokojové teploty na bázi tohoto polovodiče s dostačujícím energetickým rozlišením a co největší účinností sběru náboje. Jednotlivé povrchové úpravy byly charakterizovány pomocí volt-ampérové charakteristiky, spektrální analýzy a určením profilu vnitřního elektrického pole.
|
|
|
Elektromigrace defektů v polovodičích (CdZn)Te.
Pekárek, Jakub ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Grill, Roman (oponent)
V předložené práci je studován efekt elektromigrace defektů v materiálu (CdZn)Te ve vnějším elektrickém poli, při několika různých teplotách a proudech. Cílem práce bylo ověřit tento efekt pomocí několika elektrických kontaktů rozmístěných lineárně na vzorku. Tyto kontakty, zastávající funkci potenciálových sond, zaznamenávaly drift lokální modulace odporu. Snažili jsme se určit, za jakých podmínek a proč k němu dochází, a následně rozhodnout, jak je možné tohoto účinku využít k čištění polovodičových vzorků a pro přípravu vysoko odporového materiálu.
|
|
|
Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors
Bugár, Marek ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Holý, Václav (oponent) ; Fochuk, Petro (oponent)
Název práce: Dynamika strukturních defektů v polovodičích CdTe Autor: RNDr. Marek Bugár Ústav: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy v Praze Vedoucí doktorské práce: Doc. Ing. Eduard Belas CSc.; Fyzikální ústav Univerzity Karlovy v Praze Abstrakt: Práce je zaměřena na výzkum vlivu žíhání na strukturní, elektrické a optické vlastnosti epitaxních podložek na bázi CdZnTe a detektorů rentgenového a gama záření na bázi CdTe a CdZnTe. První část práce zkoumá strukturní vlastnosti mikrodefektů - inkluzí - snižujících kvalitu obou typů materiálů a je zaměřena na nalezení efektivního žíhacího procesu pro jejich odstranění. V případě podložek CdZnTe se žíhací experimenty zaměřují také na nalezení temperančních podmínek zvyšujících jejich infračervenou propustnost. V detektorech vysokoenergetického záření je cílem žíhacích experimentů také zachování vysokoodporového stavu materiálu. Práce obsahuje také měření transportních vlastností CdTe přímo při vysokých teplotách. Klíčová slova: CdTe, žíhaní, inkluze, detektor, defekty
|
|
|
Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe
Šedivý, Lukáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Šíma, Vladimír (oponent)
Název práce: Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe. Autor: Lukáš Šedivý e-mail autora: luky.sedivy@seznam.cz Katedra (ústav): Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí bakalářské práce: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc. e-mail vedoucího: belas@karlov.mff.cuni.cz V předložené práci byl studován vliv defektní struktury na elektrické a detekční vlastnosti materiálu CdTe. Byla snaha kompenzovat vliv strukturních defektů v mate- riálu žíháním v Cd a Te parách při zachování dobrých parametrů pro detekci rentge- nového a γ záření. Materiál byl charakterizován pomocí měrného elektrického odporu, koncentrace a pohyblivosti nosičů. Též byly pomocí infračerveného mikroskopu studo- vány telurové a kadmiové inkluze v materiálu. Byly také zkoumány statické i dynamické vlastnosti defektní struktury ve vysokých teplotách a definovaných tlacích Cd. Experimentálně byly stanoveny hodnoty chemic- kých difúzních koeficientů popisujících dynamické vlastnosti těchto defektů. Klíčová slova: monokrystal CdTe, strukturní defekty v polovodičích, žíhání v parách kadmia a teluru, chemický difúzní koeficient, detektory γ−záření. 1
|
|
|
Detekce gama a Rtg záření detektory připravenými z monokrystalů (CdZn)Te.
Drobný, Miloslav ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Grill, Roman (oponent)
V předložené práci byl studován vliv kovových kontaktů připravených na detektorech z vysokoodporového polovodičového materiálu Cd0,85Zn0,15Te na kvalitu detekovaného signálu. Cílem práce bylo vytvoření ohmických kontaktů. Byly otestovány dva typy materiálů (zlato, platina) a dvě metody přípravy (chemické nanášení, napařování). Na základě provedených spektroskopických měřeních a změřených voltampárových charakteristik bylo zjištěno, že lepší detekční vlastnosti mají detektory opatřené Au kontakty. Voltampérová charakteristika detektoru s těmito kontakty má pseudoohmický charakter. Navíc Au kontakty připravené napařením vykazují nejnižší hodnotu povrchového svodového proudu.
|
|
|
Vliv žíhání na koncentraci přirozených defektů v polovodičích (CdZn)Te.
Bugár, Marek ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Sopko, Bruno (oponent)
Práca je zameraná na výskum optimálních podmienok žíhania, ktoré vedú k výraznému zníženiu koncentrácie prirodzených defektov v polovodičoch (CdZn)Te. Požiadavky kladené na materiál (CdZn)Te používaný ako podložky pre tenké vrstvy (HgCd)Te tvorené epitaxiou z molekulárnych zväzkov sú kryštál s nízkou koncentráciou štruktúrnych defektov, vysoká priepustnosť žiarenia s vlnovou dĺžkou 10m a dobrá kryštálová štruktúra. Bol skúmaný vplyv žíhania na zmeny parametrov týchto požiadaviek pomocou optického mikroskopu pracujúceho v infračervenej oblasti, Fourierovským interferometrom pre strednú infračervenú oblasť a pomocou difraktometru metódou XRC. Bol skúmaný vplyv žíhania na vzorky obsahujúce telúrové inklúzie pri teplotách 600-850řC v parách kadmia. Bola tiež odmeraná zmena telúrových inklúzií po žíhaní v parách telúru. Bola skúmaná zmena morfológie inklúzií vo vzorkách s kadmiovými inklúziami po žíhaní pri teplotách 600-800řC v parách telúru, ako aj po žíhaní v parách kadmia.
|
|
| |
host ::
RSS.