Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 5 záznamů.  Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Growth of InP crystals for radiation detectors and other application
Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman
Bulk InP single crystals were grown by Czochralski method. Various dopants were added to the melt to obtain single crystals suitable for radiation detectors and other application. The intentionally doped of InP crystals were characterized by measurements of resistivity and Hall coefficient. Prototype detectors were prepared and evaluated by spectral detection of alpha particles and x-rays.
LPE Growth of III-V Semiconductors from rare-earth Treated Melts
Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
We focus on the characterization of InP and InGaAsP layers prepared by liquid phase epitaxy with rare-earth admixtures. We applied photoluminescence spectroscopy (PL), capacitance-voltage measurements, and secondary ion mass spectroscopy in order to explain: (i) the gettering effect and conductivity crossover of InP layers for Pr treated samples, (ii) narrowing of the PL and elecroluminescent spectra of the active InGaAsP region of a double-heterostructure LED.
Růst krystalů InP pro detektory záření a jiné použití
Pekárek, Ladislav ; Yatskiv, Roman
Monokrystaly indium fosfidu byly připravovány růstem podle metody Czochralského. Do taveniny byly přidávány různé dopanty tak, aby se získaly krystaly vhodné pro detekční účely a jíne aplikace. Krystaly byly charakterizovány měřením Hallova jevu. Byly připraveny prototypy detektorů a vyhodnoceny spektrální detekcí alfa částic a rtg paprsků.
Detektory rtg a částicového záření na bázi indium fosfidu
Pekárek, Ladislav ; Žďánský, Karel
Monokrystaly indium fosfidu byly připravovány růstem podle metody Czochralského. Do taveniny byly přidávány různé dopanty tak, aby se získaly semiizolační krystaly vhodné pro detekční účely. Byly připraveny prototypy detektorů a vyhodnoceny spektrální detekcí alfa částic a rtg paprsků.
Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny
Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
Je známo, že přidáním prvků vzácných zemin do růstové taveniny lze získat LPE vrstvy sloučenin AIIIBV vysoké čistoty. Každý z těchto prvků však vykazuje jedinečné chování. Nízké přídavky Tb, Dy, Tm a Pr vedou ke getraci mělkých donorů a růstu čistých vrstev vodivosti typu n. Při překročení určité koncentrace dochází ke změně vodivostního typu. Přídavek Tm na InP:Fe substrátech má za následek konverzi epitaxní vrstvy do semiizolačního stavu kvůli difuzi Fe zprostředkované vzácnou zeminou.

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.