Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 11 záznamů.  předchozí11 - 11  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.00 vteřin. 
Secondary electron contrast of dopped regions in semiconductor - a matter of surface treatment?
Frank, Luděk ; Müllerová, Ilona ; El-Gomati, M.
Direct observation of doped patterns in semiconductor, usually on cleavedsections through multilayers but recently also in plan views of patterneddoping of a technological layer, is acquiring high interest because of its straightforward application in the semiconductor technology. Plenty of experimental data has been collected [1-4] from conventional SEM observation and recently first results showed improved contrasts attainable with specimen immersed into electric field. Main features are the sign of contrast- the p-type regions are always brighter than the n-type ones, and the contrast grows toward lower energies.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 11 záznamů.   předchozí11 - 11  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.